sprav_tranzistor (529834), страница 51
Текст из файла (страница 51)
Температура окружагощеи среды 2Т384А-2, 2ТЗ84АМ-2 . тб В 30 В 20 В ЗО В 5,0 В 4,0 В 0,3 А 0,5 А 0,3 Вт 0,06 Вт 03 В» 0,2 Вт !1О К!Вт 408 К 393 К От 213 до 398 К От 228 до 358 К КТ384А, КТ384АМ к а«с = (408 Тк)!!717 «! Вт я««! Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется следукзщим образом Место монтажа в микросхеме смачивается спирто- 375 П Р и м е ч а н и я 1 Для 2Т384А-2, 2Т384АМ-2 при Тк = = 358 — 398 К максимачьно допустимая постоянная рассеиваемая могпность коллектора, Вт, рассчитывается по формуле канифольным флюсом (1Π— 30 У, канифоли, 90 — 70 4 спирта) атем укладывается фольга припоя ПОС-61 (ГОСТ 21931-76) толщни 30 мкм, размером 1,9 х 1,9 мкм Допускается нагрев микроса лпгнио» схемы до (473+ 5) К в течение !О с В момент пайкл транзистор Р прк. жимается к месту монтажа пиннетом Усилие прилагается к б „ оковым поверхностям кристаллодержателя Допускаются другие методы монтажа транзисторов в микросх хемы, обеспечивающие надежный тепловой контакт полложки транзпсто с корпусом микросхемы и нелостиость консгрукнии транзисто тора тора При монтаже транзисторов в микросхемы должны быть прин„, ты меры, исключающие возможность перегиба выводов и сопри„ иовения их и кристалла транзистора с острыми краями элемен тоа микросхемы рекомендуется выводы транзисторов и место свар, или пайки закреплять лаками При этом не лопускается использован материалов, вступающих в химическое н злектрохимическое взаим действие с защитным покрытием и лругнми элементами канструкпзщ транзистора 0919 гоо "919 150 1го (го 90 ВО ЧО 0 100 гоо 500 4005001к,мд 0 04 О,В 1,г 1,9 гомэ,В Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмнгтер $3 1,г (,г 1,0 0,9 О:) " Ор" х Оэд ог 1,0 09 О,В 0,7 0 100 гоо 800 900 5002'К,мй О 1ОО гОО 300 900 5007к,мД Зависимость напряжения пасы.
щения база-эмиттер от тока коллектора Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора 376 (дтзз! 1г ,ыл а 4 В уг ГВ гбриБВ Зависит симос гь молуля коэффита передачи тока от тока ннента коллектора Зависимость модуля коэффициента передачи тока от напряжения козлентор-эмиттер 1Т387А-2, 1Т387Б-2 Транзисторы германиевые планарные л-р-и СВЧ генераторные маломощные усиления и генерирования СВ Бескорпусные, на керамическом кристаллодержателе, с гиб- Я гимн полосковыми выводами н керамической крышкой В,В Выпускаются в ипднвиду- База ачьной таре-спутнике, обозначенне типа приводится на таре О На крышке транзистора наносятся условная маркировка цвет- гяиттер; всляеятея 0,7 ными точками !Т387А-2 — черная, !Т387Б-2 — белая Масса гранзистора не бо- зееО! г Электрические параметры йыхолная мощность в режиме автогенератора прн !7кн = 7 В, тэ = 50 мА не менее !Т387А-2 при У= 3 ГГц .
!Т387Б-2 при У= 4 ГГц . мелиаиное значение не менее !Т387А-2 при /'= 3 ГГц . 1Т387Б-2 при /'= 4 ГГц ° Граничн р чная частота коэффициента передачи тока в схеме с ок,,..з -- '":м эматтеРом пРи Укв = 3 В, /э = 50 мА не менее 1Т387А 2 1Т387Б-2 . 50 мВт 50 мВт 75 мВт 65 мВт 2,16 Ггц 3,0 ГГц Постоянная времена цепи обратной связи при 1/ка = 5 В, /э = 30 мА, / = 30 МГц не более 1Т387А-2 1Т387Б-2 Коэффициент усиления по мощности при !/кк = 7 В не менее 1Т387А-2 в схеме с общей базой при /'= 2.25 ГГц, 0,=30;.
1Т387Б-2 в схеме с общим эмиттером при /'= 0,5 ГГц, /э = 20 мА . Минимальный коэффнпнент шума при //кк = 7 В 1Т387А-2 в схеме с общим эмиттером прн /э=5 — 30 мА при /'= 0,1 ГГц при Г= 1 ГГц 1Т387Б-2 при /э = 10 — 20 мА при/'= 0,5 ГГц в схеме с общим эчиттером . при / = 1 ГГц в схеме с обшей базой . при /= 2,5 ГГц в схеме с общей базой, Грщзичиое напряжение при /э = 50 мА не менее . Обратный ток коллектора при //ка = 10 В не более при Т = 213 К и Г = 298 К при Т= 343 К Обратный ток эмиттера при !/эа =- 0,2 В не более при Т = 213 К и Т = 298 К при Т= 343 К Сопротивление базы» при //кк = 7 В, /э = 50 мА не более . Сопротивление коллектор-база * при //ка = 7 В, /э = 50 мА не более . Емкость коллекторного перехода при Вкк = 5 В не более Емкость эмиттерного перехода " цри //зь = 0 В не более Индуктивность базы в режиме насыщения ' при 1/ка = 0 В, /к = 50 мА, у = ! ГГц не более .
Коэффициент отражения входной цепи в схеме с общим эмиттером ' при Укэ = 5 В при /и = 10 мА, У= 0,5 ГГц модуль фаза при /к = ЗО мА, У= 0,5 ГГц модуль фаза прн !к —— 10 мА, У = 1 ГГц людуль фаза при /к=30 мА,/=1 ГГц модуль фаза 378 05 пс 40 пс 10 25 дБ 5 дй 3 дБ 48 дБ 75 лБ 8 В 1О мкА 100 м»А 10 мкА 100 мкд 9 Ом 4,5 Ом 3 пф 45 пФ 0,45 нГн 1,78 — 140 ' 1,55 - 150' 1,92 — 165 ' 1,78 -175" в схеме в схеме с схеме с т ооратной перелачи напряжения фнцнеит' Ксэфф змиттером ' при Пкэ = 5 В = 10 мА, у= 0,5 ГГц бщим зм при !к = модуль фаза «ри к= 7 = ЗО мА,,у= 0,5 ГГц модуль фаза при к = 7 = 1О. А,7-1 Ггц модуль фаза „зи Зк-ЗО мА,э=1 ГГп модуль фаза ффнциент прямой перелачн напряжения Козчч общим эмиттером* прн !ткэ = 5 В прн Зк = 10 мА, 7'= 0,5 ГГд модуль фаза при Ук = 30 мА, У= 0,5 ГГц модуль фаза при Зк = 10 мА, Г= 1 ГГц модуль фаза при Зк — — 30 мА, .Г= 1 ГГц модуль фаза Коэффициент отражения выходной пепи в общим эмиттером* при Пкэ = 5 В при !к =10 мА,,~'= 0.5 ГГп модуль фаза при !к = ЗО мА, Г= 0,5 ГГп модуль фаза при 1к = 1О мА, 7'= ! ГГц модуль фаза при !к=30 мА,З= ! ГГц модуль фаза — 14,5 дБ 61' — !4,2 дБ 70' — 10,5 дБ 60' — 10 дБ 61" 8 дБ 8! * 95 лБ 75' 4 ЛБ 4,5 лБ 59' 1,79 — 55' 1,45 -40' 1,67 — 57 " 1,38 -61' Прелельиые эксплуатационные даняые Постоянное Постоянное !1зь с 100 Постоянное напряжение коллектор-база напряжение коллектор-эмиттер при Ом напряжение эмиттер-база !О В 8 В 0,2 В Импульсный ток коллектора при 298 К, т» К !О мкс, Дв !00.
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк = 2!3 — 303 К при Тк = 343 К рассеиваемая мощность коллектора в режиме усиления мощности при Тт = 2!3 — 303 К при Тк = 343 К Температура перехода Температура кристаллодержателя . '75 мВт "5 мВ„ 300 мВт !20 мВт 373 К Ог 2!3 Л, 343 й При эксплуатации обязательно применение теплоотвода, обеспечивающего тепловое сопротивление переход- окружающая срела не более . 250 Крй 3,5 г,г5 150 105 5,0 с. г,75 чч г,5 100 :. 75 мн 50 г,г5 Зависимость граничной часготы от тока змиттера Зависимость выходной мощам сти в режиме автогснератора ст напряжения коллектор-база 1га 1го 100 110 рао аа Ф ВО 90 и 00 га 70 ВО 0 10 га 30 40 5ОРВ, "В' 0 ра га га 40 50 ВОТ„мд Зависимость выхолной мош ошно.
. ителе сти от вхолной в усилит класса С в схеме с обшей ба " базой Зависимость выходной мощности в режиме автогенератора от тока эмиттера 380 га О 10 га ВО 40 50ЕВ,мд О г 4 В О 100 В,В КТЗ91А-2э КТ391Б-2, КТЗ91В-2 торы кремниевые эпитаксиально-планарные и-р-и СВЧ изисто!эы с нормированным коэффициентом шума на частоте !сипя ,ельные '6 ГГп азначены для применения во вхолных и последуницих у!релнаэн сцдителей сверхвысоких частот каскад о,„усные, на керамическом крнсталлодериателе, с гибкими Бескорпу ымн выводами и приклеиваемой керамической крышкой дссковыми ецце типа прнволится на ярлыке, находящемся в индиОбозкачени альной „оц таре На крышке транзистора наносится усэювная маретными точками КТ391А-2 — две черные, КТЗ91Б-2— кровка цв КТ39! В-2 — две синие яье Масса транзистора не более 0,2 г 'и алл учи 1,4 Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером лри 1/кэ = 7 В, 1э = 5 мА' КТ392А-2, КТ39!Б-2 не менее .
типовое значение КТ391В-2 не менее . Постоянная времени цепи обратной связи * при окк = 7 В, уэ = 5 мА, У'= 100 МГц не более . типовое значение М инимальный коэффициент шума при ь~кк = 7 уэ = 5 мА, 7"= 3,6 ГГц ие более КТ391А-2 КТЗ91Б-2,,......... ° ° ° КТ391В-2 таловое значение КТ391А-2 КТ391Б-2 Максим и с""'вльный коэффициент усиленна по мощности при кк=7 В, уз=5 мА,У'=36 ГГц КТО!А 2, КТ391Б-2 не менее типовое значение КТЗ91В-2 ие менее 5 ГГц 6* ГГц 4 ГГц 3,7 пс 3 пс 4,5 лБ 5,5 дБ б дБ 3,5" лБ 5,2* лБ 6 дБ 7" дБ 4 дБ 3.5 дБ '* дй 20 90' 0,5 м„д 0,5 мкА 2 мкА г, кд 10, кд 20 мкА 2 мйт 2,5 мВт 3 мВт 4 мВт 8,5 Ом 6,7 Ом 0,7 пФ 0,5* пф 1 пФ 0,8 пФ 0,18 пФ 0,26 пФ 0,04 пФ 0,87 нГя 0,43 иГв 0,87 иГи 69 нГН!мм Предельные эксплуатационные лаинме Постоянное напряжение коллектор-база КТ391А-2, КТ391Б-2 КТ 391 В-2 Постоянное напряжение аоллектор-эмиттер Вэа с 10 кОм .
!5 Н !О В при !О В 382 Оптимальный коэффипиент усиления по мощности* при 67ка = 7 В, /э = 5 мА, /= 3,6 ГГп не менее . типовое значение Статическнй коэффициент передачи тока в схеме с обп!им эмиттером при 67ка = 7 В, гэ = 5 мА не менее типовое значение Обратный ток коллектора не более при Т=298 К КТ391А-2, КТ391Б-2 прн ггкк = 10 В . КТ391В-2 при ГУка = 7 В прн Т= 398 К КТ391А-2, КТ391Б-2 при Ггка = 10 В . КТ391В-2 при !гкк = 7 В Обратный ток эмиттера не более КТ391А-2. КТ391Б-2, при г/эа = 2 В КЧ 39!В-2 при 67эа = 1 В Выходная мощность* прн снижении усиления на ! дБ прн !7ка = 7 В, Г= 3,6 ГГп при тэ=5 мА не менее типовое значение при 1э = 7 мА не менее типовое значение Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общей базой* при !7кк = 7 В, гэ = 5 мА не более типовое значение Емкость коллекториого перехода прн 47кв = 5 В ие более типовое значение Емкость эмиттерного перехода* при Пэв = 0 В не более .
типовое значение Емкость корпуса входная * Емкость корпуса выходная " . Емкость корпуса проходная ' Индуктивность вывода базы Я при ! = 1 мм . Индуктивность вывола эмиттера при параллельном соединении выводов * при ! = 1 мм Индуктивность вывола коллектора* при ! = 1 мм . Индуктивность выводов корпуса".........0 „нное напряжение эмиттер-оаэи Вес 5391А-2, КТЗ9! Б-2 КТ КТ39!В52'.............. „нный ток коллектора яниая рассеиваемая мощность коллектора тоя Л ри Г = 2!3 — 358 К при У=398 К .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
