sprav_tranzistor (529834), страница 47
Текст из файла (страница 47)
К,дБ 3,9 Кур,ДБ 5,5 г,в 5,О 9,5 47 3,6 3,5 3,9 'г 2Т354А-2, 2Т354Б-2, КТ354А, КТ354Б Электрические параметры Статический коэффициент перелачи тока в схеме с общим эмнттером при [[к = 2 В, 1к = 5 мА при Т= 2!3 К 2ТЗ54А-2 . 2ТЗ54Б-2 . при Т= 298 К 2ТЗ54А-2, КТ354А 2Т354Б-2, КТ354Б .
при Т= 398 К 2Т354А-2 . 2Т354Б-2 . Модуль коэффициента передачи тока при [[и = 2 В, Зэ = 5 мА, ["= [00 МГц не менее 2Т354А-2, КТ354А 2Т354Б-2, КТ354Б 20 — 200 45 — 360 40 — 200 90- 360 40 — 360 90-650 [[ [5 3,5 З,П [[ 1 Я 3 Ч 513,мА Зависимость коэффициента усиленна по мощности от тока эмиттера яЗЗОЗ 515 ЗгЗЗЗЗ 593ТК Зависимость коэффициента щу. ма от температуры Транзисзоры кремниевые эпи. таксиально-планарные и-р-и СВг[ усилительные Предназначены лла усиления сигналов высокой и сверхвысокой частот Бескорпусные, иа никелевом лрнсталлодержателе, с гибкими золотыми выводами и с защитным покрытием, изготовленным на освове кремнийорганического лака Масса транзистора не более 0,003 г противление в схеме с общей базой в реВход дого сигнала при К= 50-1000 Гц 'Ук = 2 В.
5 мА не более l = ая времени цели обратной сввзи прн Ук = 2 В, 5 мА, Г'= 30 МГц не более: остояииая 2ТЗ54А-2 КТ354А 2Т354Б-2, КТ354Б 1"раничн чипе пап!\яновне при «оллекторного переход~ Бмкость более . эмиттерного перехода при бз 0 не оолее Обр тный к коллектора ри тук = 10 В не более: при 1= 298 К при 7= 398 К 2Т354А-2, 2Т354Б-2 Обратный ток эмиттера при Уэ = 4 В ие более .
1О Ом 25 пс 30 пс 10 В 1,3 пф 1,2 пФ 0,5 мкА 5 мкА 1 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база Постоянное напряжение коллектор-эмпттер при йвз и <3 кОм Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора . Импульсный ток коллектора прп т» и 1О мкс, 1э в 2 . Постоянный ток эмиттера Импульсный ток эмиттера при т„п 10 мкс, Д > 2 . Постоянная рассеиваемая мощностям при Т= 213+ 348 К 2Т354А-2, 2ТЗ54Б-2 при Т = 398 К 2Т354Л-2, 2Т354Б-2 при Т= 2!3 —: 323 К КТ354А . при Т= 358 К Температура перехода КТ354А, КТЗ54Б Температура окружающей среды: 2Т354А-2, 2Т354Б-2 . 10 В 10 В 4 В 10 мА 20 мА 10 мА 20 мА 30 мВт 1О мвт 30 мВт 16 мВт 398 К От 213 до 398 К От 213 до 358 К КТ354А, КТ354Б .
!г .с в Еч Зависимость относительного статического коэффициента перелачи тока от тока коллектора. О,б г г 9 5 52к, ! 347 ж оэ к ч Я ч 1,0 ов О,б 'о г й в в 10о„,в Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-змиттер.
И ь' г а В В 10 ОКО,В О г 9 В В 1029гМД Зависимость относительного модуля каэффипиента перелачи тока от напряжения коллекторзмиттер. 1,0 сэ Н ~~ О,в О,В о г 9 в в Оку,в О 1 г зи„,в Зависимость относительной постоянной времени пепи обратной связи от напряжения коллектор-эмиттер. 1,В 1,0 и '" '~- 12 э ~о,в ОВ 1,1 а' еч 1,0 Ц ~ 0,9 О,в 0 > 1г чэ и ,'1,О 0,9 О г й В В 1Огдгмд Зависимость относительного молуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера, Зависимость о~носительной постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера.
Зависимосгь относительной емкостг~ эмнттсрного перекопа от напряжения эмиттер-база. Зависимость относительного обратного тока коллектора от температуры. Зависим ость относительной емьоллекторного перехода Ю'иаир»женив коллектор-б ' от вап 0 г 0 0 В 1006,нг1 996 ВУВ Г,К Зависимость относительного входного сопротивления от тока эмиттера Зависимость относительного статического коэффициента перельчи тока от темперагуры КТЭ55А 2Т355А, 60 6',Б нГ Гселус егер Кпгкекзл Гага Транзисторы кремниевые плаиарные и-р-л СВЧ усилительные. Прелназначены лля усиления и генерирования электрических сигнал шьчов в широком диапазоне частот.
Выпускаются в металлостекля н "сном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа прнволится на корпусе. Масса транзистора не более 1,2 г. 1С 1,У ю 16 в ч 1з1 „«10 э 0,9 о,в 'о 1,6 1,4 й 19 П 1,0 1 Г 0,0 о,с 913 м' ь 10 И ь ь и ь Ф1 ояа,в вув 916 ЗГЗ г,в г д а -в ь ь 1 ь Электрические параметры Стазическнй коэффициент передачи тока в схеме с общим эмнттером в режиме боэьшого сигнала при бткв = 5 В, тк = 10 мА нрн Г= 298 К при Т = 213 К 2Т355А при Т= 398 К 2Т355А Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме ма того сигнала при бткх = 5 В, /э = 10 мА, У= 1 кГц не более типовое значение Модуль коэффициента перелачи тока при Окк = 5 В, гэ =!О мА, Г= 300 МГц не менее . типовое значение Постоянная времени цепи обратной связи при !Зкв =- 5 В, гэ = !О мА, эг= 30 МГц ие более Емкость каллекторного перехода при !Гкк = 5 В не более типовое значение Емкость эмиттерного перехода при Оэв = 4 В не более типовое значение Обратный ток эмиттера прн Узв = 4 В не более 2Т355А КТ355А .
Обратный ток коллектора при бтка = 15 В не более: при Т= 298 К при Т= 398 К 2Т355 А 80- 300 40- 300 80-420 10 Ом З,З О, 5 б* 2 пф 1,4* пФ 2 пФ 1,2» пФ ! мкА 0,5 мкА 0,5 мкА 5 мкА Предельиме эксплуатящиониые данные Постоянное напряжение коллектор-база . Постоянное напря:кение коллектор-эмиттер прн йкэсЗ кОм. Постоянное напряжение эмиттер-база . Ток коллектора Импульсный ток коллектора при т» с 0,5 мс, !'3 > 2 Ток эмиттера Импульсный ток эмнттера при тя ж 0,5 мс, Д л 2 Постоянная рассеиваемая мощность при Т = 213 — 358 К . при Г= 398 К Температура псрехола .
Температура окружающей среды, 15 В 15 В 4 В 30 мА б0 мА 30 мА б0 мА 225 мВт 85 мВт 423 К От 2!3 до 398 К 1Т362Аэ ГТ362А, ГТ362Б Транзисторы германиевые планарные и-р-л СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 2,25 ГГц. 350 Электрические параметры Граничная частота при 17кь = 3 В, уэ = 5 мА не менее типовое значение Постоянная времени пепи обра~ной связи ' при Вкв = 3 В, уэ = 5 мА, Г= !00 МГп не более !Т362Л, ГТ362А . ГТ362Б Минимальный коэффициент шума при 1э = 2 мА, э'= 2,25 ГГц не более пйи 17!ск = 3 В 1ТЗ62А, ГТ362А ппи бкк = 3 В ГТ362Б . при 1/кк = 5 В 1Т362А .
типовое значение для 1Т362А р икв=З В, при Уха=5 В Стат атнческий коэффициент передачи тока в схеме общим эмиттером при 67кк = 3 В, уэ = 5 мА при Т= 298 К 1Т362А, ГТЗ62А . ГТ362Б ппи Г= 213 К !Т362А 2,4 ГГц 4,8" ГГц 10 пс 20 пс 4.5 дБ 5,5 дБ 4,5* лБ 3,7* лБ З,бе лБ 10- 200 10 — 250 От 0,3 до 1,5 значения при Т= 298 К Предназначены лля применения во7 вхолных и последующих каск аскалат усилителей СВЧ ! Выпускаюзся в мета тлостекляннам 'корпусе с зибкимн почоско!и выводами Обозначение типа приволится на крышке корпуса транзистора Двя транзисторов 1Т362А допускается условная маркировка буквой А и лвумя красными точками на фланпе ножки ~~жду выводами эмиттера и базы Масса транзистора не более 2 ! 351 прн Т= 343 К 1Т362А .От 0,5 до до значения "Ра Т= 298 К 5 мкА 30 мкА В 50 мкА !00 мкА 1 пФ 0,5» пф ! пФ 0,5» пф 0,04 — 165' 0,2 50' 38' 0,54 -72' Обратный ток коллектора при 6/ка = 5 В не более.
прн Т= 298 К при Т= 343 К !Т362А Обратный ток эмиттера прн Т = 298 К, 6Гэв = 0,2 ие более; !Т 362 А ГТ362А, ГТ362Б . Емкость коллекториого перехода при 6Гкк = 5 В не более типовое значение Емкость эмиттерного перехода при 1тэк = 0,2 В не более типовое значение Коэффициент отражения входной цепи в схеме с общим эмиттером* прп бкк 3 В !к = 2 мА, Г= 1.95 ГГц; молуль фаза Коэффиниент обратной передачи напряжения в скеме с общим эмиттером» при Укв = 3 В, !и = 2 мА, г'= 1,95 ГГц: модуль фаза Коэффициент прямой передачи напряжения в схеме с общим эмпттером при Укк = 3 В, гк = 2 мА, у = 1,95 ГГц: модуль фаза Коэффициент огра:кения выходной цепи в схеме с общим эмиттером» прв Пкк = 3 В, !и = 2 мА, Г= 1,95 ГГц: модуль фаза Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение коллектор-змиттер при пав =1 кОм . Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток кочлектора . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при Т= 298 К при 7 = 343 К 1Т362Л Импульсная СВЧ мощность, падающая на вход транзистора', при Т= 343 К, г"=- 1 ГГц, Д = 15 Температура перехода !Т362А .
352 5 В 5 В 0,2 В !0 мА ° 40 мйт 25 мВт 80 мВт 358 К ура окруиаюшей среды Темпера 1Т362А ГТЗ62А, ГТ362Б. От 213 до 34 13. 22В ло Згх К " "'" "- ~Т~6Б112Т КТ366А, КТ366Б, КТ366В Оебтах Калле Юазгь Электрические параметры Молуль коэффициента передачи тока при 1/кэ.= 2 В, Г= 100 МГп не менее при Уь = 3 мА 2Т366А-1, КТ366А ° 12 2 Полу роволии овие прибери 1О Транзисторы кремниевые планарные и-Р-л универсальные сверх- высок кочастотные матомошиые Предназиачевы лля применения в импульсных, переключательиых и ус усилительных сверхвысокочастотных схемах герметизироваиной аппаратуры Бескорпусные, с гибкими выводами, с зашитным покрытием Транзисторы поставляются в сопроводительной таре с возможностью радия их параметров без извлсчеиия из тары Маркировка транзистора приволится на сопроволитеяьной таре различными точками 2Т366А.1 — красная, 2Т366Б-1 — черная, 2Т366Б1-1 — синяя, 2Т366В- зеленая, КТ366А — две красные, КТ366Б — две черные, КТ366В— две зеленые Масса транзистора ие более 0,003 г при /к=5 мА 2Т366Б-1, КТ366Б 2ТЗббБ1-1 прп /к =!О мА 2Т366В-!, КТ366В .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
