sprav_tranzistor (529834), страница 43
Текст из файла (страница 43)
база: при Тц318 К; 1Т311А, !Т311Б, 1Т31! Г, 1Т311Д, 1ТЗ!1К, 1ТЗ! 1Л, ГТ311Е, ГТ311Ж ГТ311И . при Т=328 К: ГТ311Е, ГТЗ!! Ж ГТ3! 1И при Т = 343 К 1Т31! А, ! ТЗ!! Б, 1ТЗ!!Г, 1Т31!Д, 1Т31!К, 1Т311Л Импульсное напряжение коллектор-база при так! мкс, Ьт>10. при Т=293 К: !Т311А, 1Т311Б, !ТЗ!1Г, 1ТЗ!!Д, 1Т311К, !ТЗ!1Л ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТ311И при Т = 328 К ГТЗ!! Е, ГТЗ!! Ж, ГТ311И . при Г= 343 К 1ТЗ!!А, !Т311Б, !Т311Г 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Ль7Фэ < 10: при Т К 318 К 1Т31! А, 1Т311Б, ! Т311Г, !Т31!Д, 1ТЗ!!К, 1ТЗ!!Л, ГТЗ!1Е, ГТ311Ж при 7 < 318 К ГТЗ11И при Т= 328 К.' ГТЗ! 1Е, ГТ311Ж ГТ311И при Т = 343 К 1Т311А, 1Т311Б, ! ТЗ! 1Г, 1Т31! Д, ! Т311К, 1ТЗ! 1Л .
Постоянное напряжение эмнттер-база: при Т к 318 К: 1Т311А, 1Т311Б, 1Т31! Г, 1Т31!Д, 1Т311К, 1Т311Л, ГТЗ!1Е, ГТ311Ж ГТ311И . при Т=328 К: ГТ311Е, ГТЗ!1Ж ГТ311И при Т = 343 К 1Т31!А, ! ТЗ!! Б, 1Т311Г, 1ТЗ!1Д, 1Т31! К, 1Т31!Л . Постоянный ток коллектора . Постоянная рассеиваемая мощность: при Т=293 К 3!8 12 В 10 В 10 В 8 В 7 В 25 В 20 В 13 В 15 В 12 В 10 В 10 В 8 В 7 В 2 В 1,5 В 1,6 В 1,1 В 1 В 50 мА 150 мВт гтз! !и 1тз! 1Г, ,Р Г= 328 К гтз11Е, ГТ311ж „и Г = 343 К 1Т31! А, 1Т311Б !'13!1Д, 1Т311К, 1Т311Л мпература перехола 1тз!171, ггз Б, ТИ Г, Т31!Д 1Т31!Л ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТЗ!!И .
.Гемпература окружаюшей среды: 1тз11А, !Т311Б, 1ТЗ!! Г, 1ТЗ!1Д 1Т311Л ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТ311И 85,7 мВт 50 мВт 1ТЗ11К, 358 К 343 К 7г2 77 гоп 700 7го 00 Зависимость статического коэффипиента передачи тока от температуры. !агта~ 7 1427э( У Зона возможных подожений зависимости модуля коэффициента передачи тока от тока эчиттера. 319 7ОО 50 70 % 7,0 Я О,'5 0,7 0,05 0,07 0,005 0,007 г73гзг г53 гуг гог 375 т,77 Зона возможных положений зависимости обратного тока коллектора от температуры. 4 0 5 70 75 го г52у,мл Зон она возможных положений зависимости модуля коэффи~гиента перелачи тока от тока эмиттера. 1ТЗ11К, От 213 до 343 К .
От 233 до 328 К О г75 ггз г53 гуг гол 373 т,к г О 5 70 75гог577,4 Кш>АБ 9 Кж,ДБ в гу гв гг 1,9 1,7 О\ Н 1,5 0,9 0,7 05 ггг г55 гух г95 815 ггвт, Зона возможных положений за висимости относительного ст' статического коэффициента пере. дачи тока от температуры 320 Х а1 051 5 1п 501007мгц Зона возможных положений зависимости коэффициента шума от частоты -г5 ~~ гч ~Ф гв г1 0,1 1 йа 10ОКВЭ,кпм Зависимость пробивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер гв ез м гв гц гг 19 01 1 10 1аая„рп Зависимость пробивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер еэ М Ч 0,1 0,51 5 10 501001,мгй Зона возможных положений ий за. виснмостн коэффициента шу шума от частоты го 10 100Явд,кам Зависимость пробивного напряжения колзектор-эмнттер от сопротивления база-эмиттер 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д Транзисторы кремниевые эпитаксиальна-планарные л-р-л переключатсльны чьные маломощныс и СВЧ усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены лля переключения (2Т316А, 2ТЗ!6Б, 2Т316В, КТ316А, КТЗ!6Б, КТ316В) и усиления сигналов высокой частоты (2ГЗ16Г, 2Т316Д, КТЗ!6Г, КТ316Д). Выпускаются в металлостскяянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приволится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 0,6 г Ф23 Яеллпппюр 'Злеитрическне параметры Граничная частота при ока = 5 В, уэ = 10 мА: 2Т316А, КТ316А, 2Т316Г, КТ316Г не менее типовое значение 2ТЗ!6Б.
КТ316Б, 2Т316В, КТЗ16В, 2ТЗ16Д, КТ316Д не менее типовое значение Постоянная времени пепи обратной связи при бткв=5 В, 1э —— 10 мА,У=10 МГц: 2Т316Г, КТ316Г, 2Т316Д, КТЗ16Д не более . типовое значение Время рассасывания при 1, = 10 мА, ущ = 1 мА Ую 1,2 мА Як = 75 Ом: 2Т316А, КТЗ!6А, 2Т316Б, КТЗ!6Б не более типовое значение 2Т316В, КТЗ16В не более . типовое значение Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ек = О, тэ = 10 мА: прп Т= 298 К: 2Т316А, КТ316А .
2Т316Б, КТЗ16Б, 2Т316В, КТ316В 2ТЗ16Г, КТ316Г . 600 МГц 1000* МГц 500 Мгц 1000 МГн 150 пс 50* пс 10 нс 4' нс 15 нс 5' нс 20-60 40-120 20-100 11 ппвтпрпвппвпвпвпв прпепри 321 2Т316Д, КТ316Д . при Т = 213 К: 2ТЗ16А 2Т316Б, 2Т316В 2Т316Г 2Т316Д при Т= 398 К: 2ТЗ16А 2ТЗ16Б, 2ТЗ16В 2Т316Г 2Т316Д Граничное напряжение при lэ = 1 мА не менее типовое значение Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при !к = 10 мА, 1ь = 1 мА не более типовое значение Напряжение насыщения база-эмиттер при /к =!О мА, ув = ! мА не более . типовое значение Обратный ток коллектора при !!кв = 10 В не более: при Т= 298 К при Т = 398 К 2ТЗ!6А, 2ТЗ16Б, 2ТЗ16В, 2ТЗ16Г, 2ТЗ16Д Обратный ток эмиттсра при Т= 298 К, !!эв = 4 В не более Емкость коллекторного перехода при »!кк = 5 В не более типовое значение Емкость эмиттерного перекода при Еэв = О не более типовое значение Емкость конструктивная между выволами коллектора и эмиттера' Индуктивность выводов эмиттера и базы ' при 1= Змм.
10-60 20-120 10-! 00 30- 300 20- 120 40-240 20-200 60-600 5 В 1О* В 0,4 В 0,18" В 1,! В 0,8" В 0,5 мкА 5 мкА 1 мкА 3 пФ 2» пФ 2,5 пФ 1,2» пФ 0,5 пФ 6 нГн Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база . Нос гоянное напряжение коллектор-эмиттер при Дэв ~ 3 кОм Постоянное напряжение эмиттср-база .
Постоянный ток коляектора 2ТЗ!6А, 2ТЗ16Б, 2ТЗ16В, 2ТЗ!6Г, 2ТЗ!6Д . Постоянный ток коляектора КТ316А, КТЗ!6Б, КТ316В, КТЗ16Г, КТ316Д Постоянный ток эмиттера 2Т316А, 2ТЗ16Б, 2ТЗ!6В, 2ТЗ16Г, 2Т316Д . Постоянный ток змиттера КТЗ!6А, КТЗ16Б, КТЗ!6В, КТЗ!6Г, КТ316Д Постоянный ток коллектора в режиме насыщения 322 10 В 1О В 4 В ЗО мА 50 МА 30 мА 50 мА 50 мА 50 мА ыи ток эмнттера в режиме насыщения Постоянный Постоянная расее 713!бр Т 2!3 348 К р > 6650 Па „рн Т = 213 — 348 К, р = 665 Па прн Т= 398 К КТЗ!6А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТЗ!6Д при Т = 213 — 363 К при Т= 398 К !Зо е тепловое сопротивление !Збщее т Температура пеРехода Г пература окружающей срелы .
Темпер !50 мВт 100 мВт 60 мВт 150 мвг 60 мВт 556 К7Вт 423 К От 213 до 398 К 1г1 1,0 1,1 10 09 П09 07 Об 0,6 05 05 0 10 60 УО 90 5016,мА 0 5 10 15 ЯО 6513,мА Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером ат тока эмиттера Зависимость относительного напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры 323 чг 1Д 1к= 10мА 16 ."; 1Д а 06 67316А-67516Д, „06,7„,А КТ516Д' 0,7 06 613 695 673 503 556 566 Т, К Зависимость относительной граничной частоты от тока эмит- тера 1„= 10мд 16 =1мА 10 э 'о г7516А-673!ОД, -.
06 0,6 К7316А КТ516Д 0,7 Об '613 645 673 605 556 3617гК Зависимость озноснтельного напряжения насыщенна база-эмитгер от темперщуры 2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1, 2Т318В1-1, 2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318А-1, КТ318Б-1, КТ318В-1, КТ318Г-1, КТ318Д-1, КТ318Е-1 1,6 В !24 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные и-р-и перека чательные СВЧ маломощные 1 Предназначены Лля работы в переключающих схемах гермети зированной аппаратуры Бескорпусные, с гибкими вы. ! !1 !! водами, с защитным покрытием Транзисторы помещаются в возвратную тару, позволяющую без извлечения из нее транзисторов производить измерение электрических параметров Обозначение типа и маркировочная точка эмиттера приводятся на крышке возвратной тары Масса транзистора не бо- лее 0,01 г Электрические параметры Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Тк = 1О мА, 1в = 1 мА не более при Т = 298 К и Т = 213 К 2ТЗ!8А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1, 2Т318В1-1, КТ318А-1, КТ318Б-1, КТ318В-1 .
. . . . . 0,27 В 2ТЗ!8Г-!, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТЗ!8Г-1, КТ318Д-1, КТ318Е-1.......... 0,33 В при Т= 358 К 2ТЗ!8А-1, 2ТЗ!8Б-1, 2Т318В-1, 2Т318В1-1, КТЗ! 8А-1, КТ318Б-1, КТ318В-1....... 0,3 В 2ТЗ18Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г-1, КТЗ!8Д-1, КТ318Е-1................. 6,37 В Напряжение насыщения база-эмиттер при ук —— 10 мА, Ук= ! мА не более при Т = 298 К и Т= 213 К 2Т318А-1,2Т318Б-1,2ТЗ18В-!,2Т318В1-1, КТ318А-1, КТ318Б-!, КТ318В-1............ 0,9 В 2Т318Г-1, 2Т318Д-!, 2Т318Е-1, КТ318Г-1, КТЗ!8Д-1, КТ318Е-1 .
при Т= 358 К 2Т318Г-1, 2ТЗ ! 8Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г-1, КТ318А-!, КТ318Б-1, КТ318В-1............ 1,05 В 2Т318Г-!, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г-1, КТ318Д-1, КТ318Е-1................ 1,15 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при !/кэ= ! В, Зэ= 10 мА пр, Г=298 К: 2Т318А 1 2ТЗ!8Г-1, КТ318А-1, КТ318Г-1 . эт~18Б.1, 2Т318Д-1, КТ318Б-1, КТ318Д-1 . 2Т3180.1, 2Т318В1-1, 2Т318Е-1, КТ318В-1, КТЗ!8Е ! ° при Т= 358 К; прзт318А-1, 2Т318Г-1, Ктз!8А-1, КТ318Г-1 . . . .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
