sprav_tranzistor (529834), страница 41
Текст из файла (страница 41)
Импульсная рассеиваемая мощность при тх < 5 мкА 302 !5 В 20 В 12 В 3 В 25 мА 120 мА 360 мВг 100 мВт 358 К От 213 ло 343 К янная рассеиваемая мошность Постояв' тем р ратура Р-и перехола 'Темпер атура пкружаюшей среды П Р и м е ч а н и я ! Значения параметров привелены для 7 213 — 318 К П и Т= 318 — 343 К значеннв параметров уменьшаются через ри „, ждые 5' гг зк на 1 В, Окэх на 1 В, !7кзя на 0,4 В 1!за иам на кэк О 2 В Тк „„,„, иа 4 мА, Р„„,м на 1О мВт При Т = 318 — 343 К максимально допустимая постоянная рассеив ссеиваемая мошпость коллектора, мВт, рассчитывается по формуле Рк,м = (358 — Т)/0,4, а при р = 665 Па она уменьшается на 30;;" Ив»1 0,7 0,0 о 70 го и 40 5023,пА г 0 Ф В 7Я 1Б ЯО7,ый Зависимость модуля козффнниента передачи тока от тока змиттера Зависимость относительного козффнниента передачи тока в реюгме малого сигнала от тока эмиттера 1,0 О„лр 7 ы~„о,в о,о 0,5 О,с г су,ом 0 9 в 7Я 1о во 0~8,0 Зависимость относительного пробивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база "Зтл гчо о,к гоо аз йо,ч ОЪ уго о,г во чо гугггггвггуггог г75 у,к гугггггкггуггогт ттд Зависимость коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от температуры.
Завпсимость напряжения пасы. гцсння эмиттер-база от темпо ратуры. П417, П417А Змимглер язллелтзр каза Электрические параметры Граничная частота при 17кь = 5 В, уэ = 5 мА не менее Постоянная времени цепи обратное связи при 1'ив=5 В, 15=5 мА, 1'=5 МГц не более Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Г/кв = 5 В, 1э = 5 мА, / = 50 + 1000 Гц; при Т= 293 К: П417 П417А. 200 МГц 400 пс 24-!00 65-200 Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-л-р усилитсяьные высоко ьчстотные.
Предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах высокой частоты. Выпускаются в металлостекчяннолз корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Вывод эмиттера па боковой поверхности корпуса маркируется цвепюй меткой. Масса транзистора не более 2 г. прц Т= 343 К П417 3 мкА 70 мкА 30 мкА Предельные эксплуатацнонные данные Посгоянное напряжение коллектор-эмиттер: при отсоединенпой базе: при Т = 213 + 303 К при Т = 343 К .
прн короткозамкнутых выводах эчиттера и базы Постоянное напряжение эмиттср-база . Постоянный ток коллектора . Постоянная рассеиваемая мощность; при Т = 213 + 333 К , при Т= 343 К Температура окружающей среды . 8 В 4 В 10 В 0,7 В 10 мА 50 мВт 30 мВт От 2!3 до 343 К 1,Я аз ьъ а й 10 м дО,В 4 0 Я 9 3ависимость относительного коэФфнциента передачи тока в режиме малого си~нала от напряжения коллектор-база.
8 пяб,б 305 От 24 до 3 значений при Т= 293 К П4!7А ° ° ° ° ° ° °....... От 65 до 3 значений прн Т= 293 К прн Т= 2!3 К ° ° ° °........1-0,4 значения прн Т= 293 К Входное сопротивление в режиме малого сигнала при гг = 5 В, /з — — 5 мА, 7'= 50+ 1000 Гц не более 10 Ом Выхолпая полная проводимость в режиме малого сигнала пйн Гтка = 5 В, 13 = 5 мА,Т= 50 —: 1000 Гц не более............ ° ° ° 10 мкСм Пбратный ток коллектора при Г/кв =!О В не более: при Т = 293 К. при Т= 343 К г3братный ток эмиттера при Пэв = 0,5 В не более Граничное напряжение при 17кя = 8 В, 7э = 5 мА не менее......,......... ЯВ Емкость коллекторного перехола прн Пкь = 5 В, у= 5 МГгг не более...........
5 пФ о г 4 в вуэмд Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме мачого сигнала от тока эмиттера 213 гввгввгувов3 313 33гт,к Зависимость относительна~ о ко. эффициеита передачи тока в ре. жиме малого сигната от течь пературы П422, П423 'Гранзистары германиевые лнффузианно-сплавные Р-и-Р уси чительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1,6 МГц маломощные Предназначены лля примененив в усилительных и генера гор. ных каскадах высокой частоты Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится па боковой поверхности корпуса Вывод змиттера на буртике корпуса маркируется пветной точкой Масса транзистора не более 2,2 г Омипппер лтвр Эдектрические параметры Максимальная частота генерации при Пкв = 5 В, Уэ = 5 мА не менее П422 П423 Постоянная времени цепи обратной связи при с!ив = 5 В, 1э —— 5 мА, Г= 5 МГц не более П422 П423 Коэффициент шума при ~lкь = 5 В, 1з = 5 мА, /'= !,6 МГц пе более .
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала Гка = 5 В, уз - ! мА, У'= 50 — !000 Гц при Т= 293 К 60 МГц !20 МГц !000 пс 500 пс !О дБ 24- !00 1,г ж и е Я1,0 "о,в 1,2 ОЪ сч я 1,О 3о,в 5 мкА 70 мкА 70 ЗВ В 9 В 72 ГВ ВО:„нД Зависимость коэффициента передачи тока в режиме малого м~ сигнала от тока эмиттера Зависимость емкости каллек- ь! », торного перехода от напряжения коллектор-база У О г 9 В В ГВ Вял,В 7,2 э,о В,В В,В 0,9 Зависимость относительного пробивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер а,г и уа- 03 7 !О' !В' В,Э»лрм при Т вЂ” 328 К не более .
. . . . . . . . . 250 при Т= 248 К не менее.....,..., !5 М чь ол!Ой проводимости прямой передачи рн Модуль . — 5 В, уз = 5 мА, 7= 20 МГн не менее !укк = П422 ° ° ° ° ° ° °... 2,5 П 423 ° ° ° ° ° ° ° ° ° . °... 5 ,одная полная проводимость в режиме малого сигнала при коРотком замыкании при !тик = 5 В, 5 мА, у'= 50 — !000 Гп не более....... 5 мкСм гэ = Входное сопротивление прн Пкк = 5 В, гз = 5 мА не более . ° ............
38 Ом !у атный ток коллектора при гукв = 5 В не более при Т= 293 К при Т= 328 К Емкость коллскториого перехода ри Т= 1,6 — 5 МГн не более Предельные эксилуитаннвниые данные Папряжение коллектор-эмиттер прн ггвэ 4 ! кОм.... !О В Ток коллектора................ 20 мА Постоянная рассеиваемая мощность при Т= 248 — 293 К !ОО мВт Температура р-л перехода . . . . . , , , .
. . . 343 К Температура окружающей срелы..., .. От 248 до 328 К Примечание Прн Т= 293 — 328 К максимально допустимое значение рассеиваемой мощности уменыпается па !5 мВт через каждыс !О" Огтэ Ся»лр ВО В КТ620А, КТ620Б Бага Еоооееогор Емаоьгпер Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером: КТ620А пря 6гкв = 10 В, 1и = 10 мА не менее КТ620Б при !1кк = 5 В, 1к = 200 мА Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при гк = = 400 мА, 1в = 80 мА КТ620Б ие более Напряжение насыщения база-эмиттер при !и = 400 мА, /в = 80 мА КТ620Б не более . Молуль коэффициента передачи тока при Скв = 10 В, !э = 30 мА, Г= 100 Мрц не менее Время рассасывания при 1к = 200 мА, 1ь = 20 мА КТ620Б не более Обратный ток коллектора при !/кке = 50 В не более 100 30 — 100 1 В 1,8 В 100 нс 5 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при йэв =100 Ом Импучьсное напряжение коллектор-эмиттер: при Т„= 228+ 343 К: КТ620А КТ620Б при Т„= 358 К; КТ620А КТ620Б при Тп = 393 К: КТ620А КТ620Б Постоянное напряжение коллектор-база: при Тч = 228+ 343 К .
20 В 50 В 40 В 40 В 30 В 25 В 20 В 50 В Транзисторы кремниевые эпнтаксиально-планарные р-и-р перека чательные. Предназначены для работы в импульсных схемах. Выпускаютса в металлостеклянном корпусе с гибкими выводам„ Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпус Масса транзистора КТ620А ие более ! г, КТ620Б не более 2 г 40 В 25 В пи Ге=358 К при тп 393 К Постоянно нное напряжение змиттер-база при Т„= 228 343 К КТ620А КТ620Б о»ниая рассеиваемая мошность коллектора Пас~о" „ри Г„ = 298 К КТ620А КТ620Б при Т„= 358 К КТ620А КТ620Б Тепловое сопротивление п р КТ620А КТ620Б Температура перекопа Температура окружаюшей 3 В 4 В 225 мВт 500 мВт 75 мВт )00 мВт 0,4 К/мВт О,!5 К!мвт 393 К От 228 ло 343 К Раздел ллшый ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ и-Р-л Транзисторы кремниевые эпитакснально-плаиарные и.р-л переключатеяьные маломошные и СВЧ усилительные с ненормированным козффиниентом шума Предназначены лля перекзночения (2Т306А, 2ТЗО6Б, КТ306А, КТЗООБ) и усиления сигналов высокой частоты (2Т306В, 2Т306Г, КТ306В, КТЗОбГ, КТЗ06Д) Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на крышке корпуса Масса транзистора не более 0 65 г дал 2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г, КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д Электрлческне параметры Граничная частота при !укв = 5 В, /э = 10 мА: 2ТЗООА, КТ306А, 2ТЗООВ, КТЗООВ не менее .
~иповое значение . 2Т306Б, КТ306Б, 2Т306Г, КТ306Г ие менее . типовое значение . КТ306Д не менее . Постоянная времени цепи обратной связи при !ука = 5 В, Зэ = 5 мА, 7'= 10 МГц: 2ТЗООВ, КТ306В, 2ТЗООГ, КТЗООГ не более . типовое значение . КТ306Д не более Коэффициент шума* при 17ка = 5 В: при 1э = 0,5 мА, 7'= 1 кГц не более . типовое значение .
при уз= ! мА, 1=90 МГп не более типовое значение . Время рассасывания при ук „„= 10 мА, 7щ = 1 мА, 7вз = 1,2 мА, Лк = 75 Ом 2Т306А, 2Т306Б, КТЗООА, КТ306Б не более типовое значение Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ек —— О, уэ = 10 мА: прн Т=298 К: 2Т306А, КТ306А . 2Т306Б, КТЗООБ 2ТЗООВ, КТ306В 2ТЗООГ, КТ306Г КТЗООД прн Т= 213 К 2Т306А 2Т306Б 2Т306В 2ТЗООГ при Т= 398 К 2ТЗООА 2ТЗООБ 2ТЗООВ 2ТЗООГ Граничное напряжение при 7э = 1 мА не менее: 2Т306А, КТ306А,2ТЗОбВ, КТЗ06В . 2Т306Б, КТ306Б, 2ТЗООГ, КТ306Г Напряжение насыщения колдектор-эмиттер прн 7к = = 10 мА, уа = 1 мА 2ТЗООА, 2Т306Б, КТ306А, КТ306Б не более типовое значение, Напряжение насыщения база-эмнттер при 7к = 1О мА, 7в = 1 мА 2Т306А, 2Т306Б, КТЗ06А, КТ306Б не более типовое значение 3!О ЗОО МГ, 500* Мгц 500 МГц 650* МГц 500 пс 60* пс 300 пс 30 лБ 12 дБ 8 лБ 5 дБ 30 нс 15" нс 20-60 40 - 120 20-100 40 — 200 30-150 8-60 !6-120 8-100 16-200 20-120 40-240 20-200 40 — 400 10 В 7В О,З В 0,2* В 1 В 0,9ч В ток коллектора при 77кв = !5 В не более: 0бр ти у=298 К 7.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
