sprav_tranzistor (529834), страница 38
Текст из файла (страница 38)
500 пс типовое значение 2Т364А-2, 2Т364Б-2, 2Т364В-2... 120" пс Время рассасывания при !к = 100 мА, ун, = /аз = 1О мА не более: 2Т364А-2 2Т364Б-2 . КТЗ64А-2 2ТЗ64В-2 . КТ364Б-2 КТЗ64В-2 Статический коэффипиент перелачи тока в схеме с обнтихз эмиттером при 1lкк = 1 В, 77 = 100 мА при Т= 298 К 2Т364А-2, КТ364А-2........., .. 20 — 70 2Т364Б-2, КТ364Б-2............ 40 — 120 2ТЗ64В-2, КТЗ64В-2............ 80 — 240 при Т =- 213 К 2ТЗ64А-2 100 ис 130 нс 150 нс !60 нс !80 нс 230 ис От 0,3 значения при Т= 298 К до 70 От 0,3 значения при Т = 298 К до 120 От 0,3 значения прн Т = 298 К ло 240 2Т364Б-2 2ТЗ64В-2 при Т= 358 К 2Т364А-2 От 20 ло 2,5 значений при Т= 298 К От 40 до 2,5 значений при Г= 298 К 2Т364Б.2 279 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-лзо переключате ельные высокочастотные маломопзные Предназначены лзя примене- 1 мкА 1О мкА 30 пФ 14" пф Предельные эксплуатационные ленные Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение ковлектор-эмиттер при Лэк 410 кОм Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора при т» и 1О мкс, Д>10 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при Т= 298 К прн Т= 358 К Общее тепловое сопротивление Температура персхола 25 В 20 В 5 В 200 мА 400 мА 30 мВт 12 мВт 3300 К/Вт 398 К 6213 90 7гуту 90 90 70 70 90 90 ЧО 0 50 600 150 900 25013,ия Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.
Ч0 913 939 993 999 313 359 Т Гг Зависимость статического коэф" фициента передачи тока от тем пературы. 280 2Т364В-2............ От 40 ло 2,5 значег чений при Т= 298 К Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при !к = = 100 мА, 1в =!О мА не более........ О,З В типовое значение 2ТЗ64А-2, 2Т364Бт2, 2Т364В-2... 0,15я В Напряжение насьштения база-эмнттер при 18 = 100 мА, 1в = 1О мА не более......... ° ° ° 1,1 В типовое значение 2Т364А-2, 2Т364Б-2, 2Т364В-2... 0,9' В Обратный ток коллектора при 1/кв = 25 В не более; при Т= 298 К при Т= 358 К Образный ток эмиттера при гтэв = 5 В не более. при Т=298 К............, .
1 мкА при Т= 358 К.............. 1О мкА Гмкость коллекторного перехола при 17ка = 5 В не более................... 15 пФ типовое значение.............. 7* пФ Емкость эмиттсрного перехода при 17эя = 0 не более типовое значение атура окружающей срелы: эу364А-2, 2Т364Б-2, 2Т364В-2 . КТ364А-2, КТ364Б-2, КТ364В-2 . Темпер еразура окружающей срелы при транспортна заводской упаковке КТ364А-2, КТ364Б-2, Рокке в КТ364Б-2 . 150 1ВО 125 170 От 2! 3 до 358 К От 233 до 358 К От 223 до 358 К рза е 75 50 О г0 40 00 ВО 100!~,мд Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока ко тлсьтора 1,00 095 1,10 1,05 1,00 е 0.95 ~~ ~90 0,75 095 0,70 0,90 ' О гО 40 Во Во 1007„,нД ' г15гЗВ ВВЗВВВЗ1ЗЗЗВТ,К Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора.
Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от температуры. Транзисторы кремниевые эпитакспально.планарные р-л-Р универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в перекдючающих схемах, в схемах усилителей высокой частоты герметнзированной аппаратуры. Бескорпусные, с гибкими выволами, с защитным покрытием. Транзисторы помещаются в герметичную заводскую упаковку.
ОбознаЧение ение типа и доколевка приводятся в паспорте. Масса транзистора не более 0,01 г. 0,90 ' 095 э О,ВО 150 "150 Ф 140 150 190 г1з гзВ гвз гВВ 31з ззВ т, д Зависимость напряжения насыщения коллектор.эмиттер от температуры. КТЗ80А, КТЗ80Б, КТЗ80В Кеелекегеуг 1э Электрические параметры Нвпряженле насыщения коллектор-эмиттер при Тк = = 1О мА, ув =! мА не более Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при !7кэ = О,З В, уэ = 10 мА при Т= 298 К КТ380А, КТЗ80В . КТ380Б при Т= 358 К КТ380А, КТ380В . КТ380Б при Т= 228 К КТ380А, КТ380В . КТ38ОБ Модуль коэффициента передачи тока при 7 =!00 МГц, 17кк = 2 В, 1э = 5 мА не менее Время рассасывания при Тк — — !О мА, Зк = 1 мА ие более КТЗЯОА, КТЗ80В .
КТ380Б Емкость коллекторного перехола при !7кк = 5 В, / = = 10 МГц не более Емкость эмиттерного перекода при !7кэ = 0 В, = 10 МГц не более Обратный ток коллектора КТ380А, КТ380Б при = 10 В, КТ380В при 1/кк = 7 В не более при Т= 228 К и Т= 298 К при Т= 358 К . Обратный ток коллектор-эмиттер при Якэ = 10 кОм КТ380А, КТ380Б при 1/кэ =!7 В, КТ380В при !7кэ = 9 В нс более Предельные эксплуатаннонные ленные Постоянное напрянение коллектор-эмиттер при Явэ = 10 кОм КТЗ80А, КТЗ80Б . 0,3 В 30 — 90 50 — 150 30 — 180 50 — 300 15 — 90 25 — 150 10 нс 20 нс б пФ 8 пф ! мкА !О мкА !00 мкА 17 В 9В 4 В К7380В явное напряжение база-эмиттер.
Постояв тоянный ток колле"тора прн Т= 298 К при Т= 358 К В ,л ный ток коллектора при т. < 100 чкс П стоянпая рассеиваемая мощность коз тсктора при Т = 228 — 298 К при Т= 358 К лульсная рассеиваемая мощность лоллекюра при с 1ОО мкс, )7 > 5 .
тн Температура перехола Тепловое сопротивление перехол-срела . Температура окружающей срелы 10 мА 5 чА 25 чА 15 чВт 5 чВт 50 чВт 373 К 3 К/чВт От 228 до 358 К постоянная рас— 358 К онреде- П р и м е ч а н и я 1 Максимально допустимая сенваечая мощность коллектора, мВт, при Т= 298 ляется по фоРмуле Рк и,~ = 1373 — Т) 7 3 Твзмд ои ХБ,мд а,г 0,15 а,г 0,1 а,а5 0 аг од 00 00 10„,0 Входные характеристлки 0 а,г Ои 00 0,0 10БЛ,В Входные характеристики Постоянный ток коллектора при Т = 298 — 398 К изменяется линейно от 1О до 5 мА 2 Минимальное расстояние от места пайки 1сварки) до защитного покрытия транзистора лолжно быть не менее 2,5 мм, при этом нагрев кристалла и защитного покрытия лопускается до температуры не более 373 К Допускается изгиб выводов на расстоянии не менее 0,3 мм от места выхода вывода из защитного покрытия При включении транзистора в дель, нахолящуюся пол напряженнем, базовый контакт необходимо присоелинять первым и отсоединять последним Нс рекомендуется эксплуатация транзисторов с отключенной базой по постоянному току Не рекомендуется работа при токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне температур Необходимо принимать меры по защите транзисторов от статического электричества "зтз а,в ж О,В Ф $0,0 о,г а 212 газ гвз ззз 272тк Зависимость обратно~о тока коллектора от температуры.
6зтз 120 а,г Й Й 01з 1ап ва 40 о о,г п,с о,в а,ви„„в Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер. Ва Зависимость относительного максимально лопустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления баэа-эмиттер. 1,2 Ж 1,2 а $ 1 400 аав 07 10 10з 10з Юч Юзп~~,ам го О З В 1г Юг.,н. Зависимость статического коэ»ь фипиента передачи тока от тока эмиттера. 0,1 '212 газ 202 хвз вузу,к Зависимость напряжения насншения коллектор-эмнтгер от температуры.
чэ За " .За я *го ч 10 0 1аз 1ач 1азЮ'1О'З„,е Зависимость максимально ло пустимой импульсной мошиосги рассеивания коллектора от лд"" тельности импульса. 2Т388А-2, КТ388Б-2 иттер еллектлр Электрические параметры Граничная частота коэффициента перелачи тока в схеме с общим элтнттером прн 77кэ = 5 В, Тк = 30 мА не менее Постоянная времени цепи обратной связи при !/кэ = !О В, 7э = 30 В, 7'= 30 М1 и, типовое значение . Время рассасывания при ух = 120 мА, 1в, = 1вз = !2 мА не более Время выключения при ук = !20 новое значение Врелщ включения прн ук = !20 мА, Тв = !2 мА, типовое значение Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером прн !7кэ —— 1 В, Тэ = 120 мА прн Т= 298 К прн Т= 398 К прн Т = 213 К .
!Раничное напряжение при уз=!О мА 1!апряжение насыщения коллектор-эмиттер при ук = = 120 мА, /в = 12 мА не более . На апряжение насыщения база-эмиттер при ук = 120 мА, ук = 12 мА не более . Имк мкосгь коллекторного перехола при !гкв = 10 Ь, У 10 МГц не более . 250 МГц 60' пс бО нс 75" ис 30" нс 25-100 25 — 200 1Π— 1ОО 50 В О,б В 1,2 В 7 пФ „нсторы кремниевые эпнтаксиально-планарные Р-лэз уннвер- .~-ранзн высокочастотные маломощные Предназначены для привльные в в импульсных, переключающих и усилительных высоконенения в ных схемах герметизировапной аппаратуры частотных корпусные, на крнсталлодержателе, с гиокнми выводами, с ным покрытием Транзисторы поставляются в сопроводительзвшитны с возможностью измерения их параметров без извлече- тары Обозначение типа приводится на корпусе сопровояяя яз ечьной тары Масса транзистора не более 0,02 г яятельн 7з УХ 7,Х Емкость эмиттерного перехода прн 1уэк = 0,5 В, 7' =!О МГО не более Обратный ток коллектора при Пкк = 50 В не более прн Т = 298 К.
2Т388А-2 . КТ388Б-2 . прн Т= 398 К Обратный ток коллектор-эмнттер при !Укэ — — 50 В, Якэ = 1 кОм не более Ооратный ток эмиттера при Пэк = 4,5 ие более . 5 шь 2 икА 1 мкА 10 мкА 2 мкА 2 мкА Предельные эксплуатапквнные данные Постоянное напряжение коллектор-база . Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при ~зкэ ь ! Постоянное напряжение эмиттер-база...... ° Постоянный ток коллектора Постоянная рассеиваемая мощность при йт „.„= 183 К1Вт: при Тс 353 К прн Т= 398 К Температура перехода Температура окружающей среды . 50 В 50 В 4,5 В 250 ЧА "гтЭ гг0 "гтэ 80 100 00 20 10 0 50 100 150 200 050 ТЭ,мд Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. г0 0 5 10 15 20 г50кэ 0 Зависимость статического коэф.
фипиента передачи тока ст напряжения коллектор-эмиттер. 0,3 Вт 0,055 Вт 408 К От 213 до 398 К П риме чан и е Минимальное расстояние от места пайки !свар. ки) вывола до поверхности транзистора 2 мм. Прн монтаже должны быть приняты меры. исключающие изгиб выводов иа расстоянии менее 0,5 мм от места выхода вывода нз защитного покрытия, а также касание выводов и кристалла трап. зистора.
При монтаже не допускается воздействие температуры более 473 К в течение 10 с. В качестве покрытия транзисторов применяется лак ПАИ-1.. При монтаже не допускается использование материалов, вступаю. щих в химическое и электрохимическое взаимолействие с за1цитным покрытием и элементами копструкпии транзистора. 7,1 1,0 а,г 0,7 ' а 50 1аа 15О гаагбат„мд 0 7„гыд а 50 100 15 Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора Зависимость напряжения насыкодлектор-змиттер от тока коллектора 800 боп 500 Даа О 50 100 150 200 250тк,ыД 0 10 20 20 чо 50 0~8,в Зависимость граничной частоты от напряжения коллектор-змиттер.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
