sprav_tranzistor (529834), страница 37
Текст из файла (страница 37)
лехт аэа итт 278 Влыгтрические параметры Граничная частота при !7кх = 5 В, 1э = 10 мА не менее .......... ° ° ° ° 200 МГп типовое значение.............. 430* МГ, Статический коэффипиент передачи тока в схеме с общим эмиттером при !/ка = 1 В. 1э = 300 мА прн Т= 298 К КТЗ51А типовое значение . КТЗ51Б типовое значение . при Т = 233 К не менее при Т= 358 К О,б В 0,35' В 0,9 В 0,4б' В 1,2 В 0,9" В 1,1 В 0,89* В 1 мкА 15 мкА 10 мкА 20 пФ 9ч пФ 30 пФ 20" пФ 20 В 15 В 5 В 400 мА 272 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при ук = = 400 мА КТ351А при lк = 50 мА не более типовое значение .
КТ351Б нри lх = 10 мА не более типовое значение . Напряжение насыщения база-эмиттер при Тк = 400 мА КТ351А при Та=40 мА не более . типовое значение . КТ351Б прн гв = 10 мА не более . типовое значение . Обратный ток коллектора при !укь = 10 В не более прн Т= 298 К прн Т= 358 К Обратный ток эмиттера при (Уэь = 4 В не более . Емкость коллехторного перехода при !7кк = 5 В ие более . типовое значение Емкость эмиттерного перехода при зэк = 1 В не более типовое значение Предельные эксплуатапиаииые данные Постоянное напряжение коллектор-база . Постоянное напряжение кодлехтор-эмиттер при Яэк ч 10 «Ом Постоянное напряжение эмиттер-база . Импульсный ток коллектора прн тя < 1 мс, Д Э 10 20 — 80 52' 50 — 200 70" 0,4 значения прн Т= 298 К От 0,9 до 2 значений при Т= =298 К тоянная рассеиваемая мощность коллектоРа' при Т = 233 — 303 К .
при Т= 358 К ° Общее тел човое сопротивление Земпература пеРехода Гемпература окружающей среды 300 мВт !62,5 мйт 400 К1Вт 423 К От 233 до 358 К КТЗ52А, КТ352Б Транзисторы кремниевые эпитаксиально-пчанарные р-л-Р универсаль„ые высокочастотные маломощные Прелназначены для переключения и усиления сигналов высокой частоты Выпускаютсв в пластмассовом корпусе с гибкими выволами На корпусе наносится условная маркировка двумя цветными точлалзи на КТ352А — зеленой и розовой, на КТЗ52Б — зеленой и желтой Масса транзистора ие более 0,3 г леяяг аза 200 МГц 450' МГц 25 — г20 65л 70 — 300 !г5* О,З значения при Т= 298 К От 0,9 до 2 значений при Т = 298 К при Т= 358 К Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Тк = = 200 мА КТ352А при 1к 20 мА, КТ352Б при 1в = 3 мА не более типовое значение Напряжение насыщения база-эмиттер пр'г 1к = 2!"! мА КТЗ52А при 1а = 20 мА, КТ352Б прн 1в = 3 мА не более типовое значение 0,6 В 0,37' В 1,! В 0,8!' В 273 Электрические параметры Граничная частота при Укь = 5 В, 1э = !О мА не менее типовое значение Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при бгкь — — ! В, 1з = 200 мА при Т= 298 К КТ352А типовое значение .
КТЗ52Б типовое значение при Т = 233 К не менее Обратный ток коллектора при !ткк = 10 В ие более при Т= 298 К при Т= 358 К Обратный ток эмиттера при Уэк = 4 В не более . Емкость коляекторного перехода при Пьв = 5 В не более типовое значение Емкость эмиттерного перехола при Пэв = 1 В ие более типовое значение 1 мкА 10 мкА 10 мкА 15 пф 9,5' пф 30 пф 20* пф Предельные эксплуатаниониые данные Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лэа < 10 кОм . Постоянное напряжение эмиттер-база Импульсный гок коллек гора при т„ж 1 мс, Д Л 10 Постовнная рассеиваемая мощность коллектора. при Т = 233 — 303 К при Т= 358 К . Общее тепловое сопротивление . Температура перехода Температура окружающей среды 20 В 15 В 5 В 200 мА 300 мвт 162,5 мВт 400 Кувт 423 К От 233 до 358 К КТ357А, КТ357Б, КТ357В, КТ357Г Эиаттер с'аеа елеектер Электрические нараметры Напряжение насыщения коллектор-змиттер при 1к = 10 мА, /к = 1 мА не более Напряжение насыщения база-эмиттер при !и — — 1О мА, !ь = 1 мА не более 0,3 В 1 В 274 Транзисторы кремниевые элитаксиально-планарные р-и-р универсальные высокочастотные маломощные Предназначены для работы в схемах переключения и усиления высокой частоты Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выволами.
Обозначение типа приволится на этикетке Масса транзистора не более 0,2 г ический ьоэффипиент перелачн тока в схеме с общим Статике эмитт "Ри 7 = 298 К КТ357А КТ357В КТ357Б, КТ357Г, при Т= 358 К КТ357А, КТ357В . КТ357Б, КТ357Г . ,рсг 1= 733 К КТЗ57А, КТ357В . КТ357Б, КТ357Г .
Модуль коэффипиента перелачи тока в схеме с общим эмнттеролз при Т= 100 МГц, !Зкэ = 5 В, !к = 10 мА не менее . Время рассасывания при Зк = 10 мА, !в = 1 мА не более Выпасть коллекторного перехола при 77кк = 5 В, 7 = 5 МГп не более . Вмкость эмиттерного перехола при !/кэ = 0 В не боФбратный ток коллектора прн 77кк = 7/ккм„ж не бопрн Т = 298 К и 1 = 233 К при Т= 358 К Обратный ток эмиттера прн 77кз = 3,5 В не бо- 20 — 100 60 — 300 20 — 250 60 — 750 8 — 100 20 — 300 150 ис 7 пФ 10 пФ 5 мкА 40 мкА 5 мкА Предельные эисплуатаинвивые данные Постоянные напряжения коллектор-база, коллекторэмиттер КТ357А, КТЗ57Б КТЗ57В, КТ357Г . Постоянное напряжение база-эмиттер Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора при тс ж 1 ри,ср ~ рх м с Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Т= 233 — 323 К .
Импульсная рассеиваемая мощность коялектора тяп! мкс . Температура окружающей среды 6 В 20 В 3,5 В 40 мА мкс, 80 мА при 100 мВт при 200 мВт От 233 ло 358К Рк, — 50 4 !358 — Т! ! 0,7 2 Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора Пайка производится при температуре 533 К в течение 10 с Категорически запрещается кручение вы- 275 П р и м е ч а н и я 1 Максимально допустимая постоянная расеелваемая мощность кодлектора, мВт, при Т = 323 — 358 К рассчитывается по формуле иодов вокруг оси Не рекомендуется эксплуатация транзисторов „ при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами Допускается трехкратный изгиб выволов на расстоянии не м нее 3 мм от корпуса с радиусом закругления не менее ! м "гтэ 0 =050 чь кг= х КТ557Б, БО КТ357Г ! КТЗ57А, КТ5570 а 00 КТ357Т 40 ч 07! КТ557А, е КТ357Б ХО 00,0 0 10 20 УО МОХ~,мА о 10г 10г 10 ! 10г 10гккг,Ом Зависимость статического коэф- Зависимость максимально до.
фициента передачи тока от тока пустимого напряжения коллекколлектора. тор-эмнттер от сопротивления база-эмиттер. КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е Транзисторы кремниевые зпитаксиальио-плаиарные р-л-р усилительные высокочастотные. Прелназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в пдастмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г. Колкеклгор Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при гула = 1О В, Уэ = 1 мА: при Т= 298 К; КТ361А, КТ361Д . КТ361Б, КТ36! Г, КТ36!Е . КТЗ61В при Т= 373 К: КТ361А, КТ361Д. КТ361Б. КТ361Г, КТ361Е . КТ361В при Т = 2!3 К: КТЗ61А, КТ36!Д. 20 — 90 50 — 350 40 — 160 20 — 250 50 — 500 20 — 300 10— 276 КТЗ6!Б, КТ36!Г, КТЗ6!Е КТЗ61В „! дуль коэффистиента перелачи тока при 7 = 100 МГп, !7 =10 В, За=5 мА ие менее Постоянная времени пепи обратной связи прп 7 = 5 МГп, ц к — 10 В, ! э = 5 мА не более: КТ361А.
КТ361Б, КТ36!Г . КТЗ6!В, КТЗ61Е . КТ361Д Емкость коллекторного перехода при Пкя = 10 В, у"= = 10 МГц не более КТЗ61А, КТЗ61Б . КТЭ61В, КТЭ61Г, КТЗ61Д, КТ36! Е Обратный ток коллектора при 1lкк = 10 В не более. при Г = 298 К и Т = 213 К при Т= 373 К ОбРатный ток коллектоР-эмиттеР пРи Яяэ = 10 кОм, 1'кэ = 1'кэ», с не более, 15 — 350 10 — 160 2,5 500 пс 1000 пс 250 пс 9 пФ 7 пФ 1 мкА 25 мкА 1 мкА Прелельные эисплуатаиионные данные Постоянные напряжения коллектор-база, коллекторэьщттер при Якэ = 10 кОм: при Т= 213+ 308 К: КТ361А КТ361Б КТ361В, КТ36!Д .
КТ361Г, КТ361Е . при Г= 373 К: КТ361А КТ361Б КТ36!В, КТЗ61Д . КТ361Г, КТ36!Е . Постоянное напряжение база-эмиттер Постоянный ток коллектора Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при Т = 213 †: 308 К при Т= 373 К Температура перехода Температура окружающей среды... ° ° ° ° От 25 В 20 В 40 В 35 В 20 В 15 В 35 В 30 В 4 В 50 мА 150 мВт 30 мВТ 393 К 213 до 373 К П р и м е ч а н и е. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность кол чектара, мВт, при Т = 308 —: 373 К определается па Формуле 1 к»с с = 1393 — 73 / 0,67 277 Допускается производить панку на расстоянии не менее 2 мм ат корпуса транзистора.
Допускается трехкратный изгиб выводов на расстоянии пе менее 2 мм от корпуса прп радиусе изгиб 1,5-2 мм. Категорически запрещается кручение выводов вокруг оси Игтз 140 Еа,мд г 1га 1,0 1,г 100 О,В ВО О,Ч 0 аг ач ов ави„,в Входные характеристики 'ая,пс 100 100 аг 1000 Ваа гаа га 10 гув гвз 515 ввв вузу,й 0 5 10 15 га1э,иА Зависимость г раничиой частоты от тока змиттера. О,В Огу :ОЧ 0,1 'г1в гвв гвв ввв вувт,в Зависимость напряхгеиия насыщения коллектор-эмиттер от температуры ВОО ч~ 1 Ча а га Ча Ва ВОЕ„мл Зависимость статического коэффидиента передачи тока от тока эмиттера. 10а а ч в 1г 1ВЕ„А Зависимость постоянной времени пепи обратной связи от тока змиттера 50 ~~ Ча Р Уа Зависимость максимально ло.
пустимого иапрялгения коллек" тор-эмиттер от температуры. 2ТЗ64А-2, 2Т364Б-2, 2Т364В-2, КТ364А-2, КТ364Б-2, КТ364В-2 ния ия в схемах переключения Бескорпусные, иа кристаллодер ержатете, с гибкими выводами и зашнтным покрытием Выпускаются в инливидуальиой сопроодигетьной таре Обозначение . тяпа приволится на сопроводитель'- ной таРе Масса транзистора не более 0,006 г база Лелоеяозе!з 'зиивзтер Электрические параметры Граничная частота при !7ка = 2 В, уп = 10 мА не менее,................. 250 МГи типовое значение 2ТЗ64А-2, 2Т364Б-2, 2Т364В-2... 350» МГп Постоянная времени нели обратной связи при !Укн = 2 В, 1з -- 5 мА, Г= 5 МГп не более.........
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
