sprav_tranzistor (529834), страница 36
Текст из файла (страница 36)
Зависимость максимально допустимого постоянного напряжения коллектор-эмнз тер от сопротивления в цепи база- эмиттер Транзисторы германиевые лиффузионпо-сплавные р-и-р усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Прелназиачены для работы в усилителях промежуточной и высокой часзот. Выпускаются в металлостсклянном корпусе с гибкими ныводами. Корпус транзистора электрически соединен с дополнительным (четвертым) выводом и может быть использован в качестве экрана.
Выволы эмиттера, базы и коллектора электрически изолированы от корпуса транзистора. Масса транзистора не более 0,6 г. яп 90 й го '" гп 10 ". 90 га 10 ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В Лорлуе 6БВ В,В Вулужено лед лайку аэц 'Электрические параметры Коэффициент шума при /= 1,6 МГц, (Укк = 5 В /э = = ! мА не более Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при !Гкэ = 5 В /к = 1 мА: ГТ322А ГТЗ22Б П'322 В Модуль коэффипиента перелачн тока при Т= 20 МГц, ггкь = 5 В, г» = 1 мА нс менее. ГТ322А, ГТ322Б .
ГТ322В Посзоянная времени пепи обратной связи прир= 5 МГц, 6гкв = 5 В, Тэ = 1 мА не более: ГТ322А ! Т322Б ГТЗ22В Емкость коллекторного перекопа при 6гкв = 5 В, Т= = !О МГп не более: ГТ322А, ГТ322Б . ГТ322В Входное сопротивление в схеме с общей базой при Цс~ = 5 В, 1э =- ! мА, Т= 50 †: 1000 Гц не более Выходная проводимость в схеме с общей базой при !'кз = 5 В, Тэ = 1 мА, у = 50 —: 1000 Гц не более . Обратный ток коллектора при бгкв = 10 В нс более: при Т= 293 К при Т= 328 К 4 дБ 30 — 100 50-120 20 — 120 4 2,5 50 пс 100 пс 200 пс 1,8 пФ 2,5 пФ 34 Ом 1 мкСм 4 мкА !00 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер: при Т= 233 и 328 К, Явэ ц 1О кОм: ГТ322А, ГТ322В .
ГТ322Б при Т = 293 К, Лвэ = 10 кОм Пгктоянное напряжение коллектор-база ° 10 В 6 В 15 В 25 В Постоянный ток коллектора . Постоянная рассеиваемая мощность коллекюра при Т = 233 — 298 К при Т= 323 К Тепловое сопротивление переход. среда . Температура перехола ГТ322А, ГТ322В .
ГТ322Б Температура окружшощей среды 1О мА 50 мВт 1О мВт 0,7 К/мВз 335 К 332 К От 233 до 320 К йвтз 50 ~втэ по 100 70 10 О г й В Вг„,мй О г Ч В ВТ„мй Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора Зависимость статического козффипиеита передачи тока от тока коллектора Зависимость относительного ко- зффилиента шума от частоты ГТ338А, ГТ338Б, ГТ338В Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-лтр лавинные маломощные Предназначены для применения в быстродействующих импульсных схемах Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выволамн Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 1,2 г 266 г 02 10 ч ьч 310 т ьч 10 гйв гвв гвв вув вввт,к Зависимость относительного обратного тока коллектора от температуры 10 м В в я 4 и г 0 10 103 10а 107 10вй,гй згсрпус селект ар Электрические параметры Напряжение лавинного пробоя при йя = 75 Ом, Ся = — дб — 60 пФ, Г= 15 кГп не менее ГТЗ38 А ГТ338В ГТЗЗ8В Время нарастания импульса при Я, = 75 Ом, 17кз = 20 В, 7"= 15 кГп не более бмкость коллекторного перехола при Нкь = 5 В, 3 = 10 МГп не более .
Обратный ток коллектора прн гзкк = 20 В не более . Обратный ток коллектор-эмиттер при 17кз = 20 В, мьз = = 200 Ом не более 8 В 13 В 5 В 1 нс 2 пФ 30 мкА 1 мА Предельные эксплуатационные данные Напряжение коллектор-змиттер прн 77кз с 200 Ом 20 В Ток коллектора в лавинном режиме . 1 А Постоянная рассеиваемая мощность...... 100 мВт Температура перехода . . .
. . . . . . . . 358 К Тепловое сопроз ивление........... 0,6 К/мВт Температура окружающей среды....... От 233 до 328 К КТ343А, КТ343Б, КТ343В б' бмиттер база рб,б Леллеязпер 267 Транзисторы кремниевые зпитаксиачьно-планарные р-и-р универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в переключающих, импульсных и усилительных схемах высокой и низкой частот, генераторах низкой н высокой частот. Выпускаются а металчостеклянном корпусе с гибкими выводамн. Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 0,5 г Электрические параметры Напряжение насыщения кочлелтор-эчнттср прн ук = 10 мА, ув = 1 мА не ботве Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттероч при Окк =.
0,3 В, /э = 10 мА не менее КТЗ43А, КТ343В . КТ34 3Б Модуль коэффициента передача тока при 7 = 100 МГц, 11ка = 5 В /э = 10 мА не менее Время рассасывания при ук = 10 мА, уа = 1 мА не более КТ34ЗА, КТ343В . КТ343Б Емкость коллекторного перехода при (Ука = 5 В, Г= 1О МГц не более . Емкость эмиттернога перехода при Оьэ = 0 В, Г= 10 МГц не бочес . Обратный зол котлелтора при !Зкв = 10 В КТ343А, КТ343Б и при 1ткь = 7 В КТ343В не более Обратныи ток коллектор-эмиттер при 71аэ = 10 кОм, Окэ = = Ц~э„„„, не более .
03 В 30 50 10 нс 20 нс б пФ 8 пФ 1 млА 100 члА Предельные эксплуатационные лаииые Постоянное напряжение коллектор-эчиттер при Ввэ ~ 10 кОм КТ343А КТ343Б........... 17 В КТ34ЗВ............... 9 В Постоянное напряжение эмиттер-база прц 1эьо = = 100 мкА Постоянный ~ол коллектора Импульсный ток колтектора при т„< 1О мкс, Д>500............... 150 мА Постоянная рассеиваемая мощность кол тек гора при Т= 233 — 348 К.............. 150 мВт Температура перехала........... 423 К Температура окружающей среды,...... От 233 до 358 К П р н м е ч а н и я 1 Максимачьно допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 348 — 358 К рассчитывается по формуле 4 В 50 мА Рк т = (423 Т)/0,5 2 Допускается производить пайку на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора разрешается производить пайку путем погружения выводов не более чем на 3 с в расплавленныи припой с температурой 533 К Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса транзистора пе менее 3 мм, радиус изгиба не менее 1,5 включении транзистора в электрическую цепь, находящуюся Пр напряжением, коллекторный вывол лолжен присоединяться попон пап ннм и отсоединяться первым Не рекоменлуется эксплуатация „едины „зисторов с отключенной по постоянному току базой Не рекоранзист лгенлуе устоя эксплуатация транзисторов при рабочих токах, соизмерис неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне лльгх темпера"ур КТ345А, КТ345Б, КТ345В 4,2 Транзисторы кремниевые эпитакснально-планарные р-лчэ о о универсальные высокочастотные маломощные Предназначены лля пр пения в переключательных, имКоллект пудьсных и усилительных высокочастотных схемах Е Выпускаются в пластмассаюм корпусе с гибкими выводаЭмитте ми На корпусе наносится условная маркировка лвумя цветными а,б точками на КТ345А — белой и розовой, на КТ345Б — белой и желтой, на КТ345 — белой и синей Масса транзистора не более 0,3 г аза Электрические параметры Граничная часто~а коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при !7кэ = 5 В, 1э = !О мА не менее .
Время рассасывания при 1к = !00 мА, 1щ = 1гт = !О мА не более . Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при !Гкэ = ! В, 1э = !00 мА не менее КТ345А КТ345Б КТ345В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 1к = = гОО мА, 1к !О мА не более . Напряжение насыщения база-эмиттер при 1к = !00 мА, 1ь = !О ллА .
ймкость коллектоРного пеРехода пРи !ткк = 5 В, У= !О МГц не более . Бмкость эмиттерного перехода при бэв = 0 В, 1 = !О МГц не более . Обр братиый ток коллектора при 47кк = 20 В не более г3братный ток эмиттера при Уэв = 5 В не более 350 МГц 70 нс 20 50 70 0,3 В 0,92 — !,! В !5 пФ 30 пф 05 мкА 0,5 мкА 269 20 В 5 В 200 мА 300 мА 300 мВт 59 мВт 600 мВт 423 К 0,4 К,'мВт 233 до 358 К КТ350А 9,8 Транзистор кремниевый зпи. таксиачьно-планариый р-ичт уни. версальный высокочастотный маломощный.
Предназначен для переключения и усиления сигналов высокой частоты. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. На корпусе наносится условная маркировка двумя точками серого и розового цвета. Масса транзистора не более 0,3 г. ч и Е а к !ОВ ййГц 289 Мг общим при Т= 358 К Предельные эксплуатаииониые даияые Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер при Льэ с !О кОм .
Постоянное напряжение эмнттер-база . Постоянный ток коллектора . Импульсный ток коллектора Постоянная рассеиваемая мощность: при Тс 303 К при Т= 358 К Импульсная рассеиваемая мощность . Температура перехола . Твидовое сопротивление перехол — окружающая среда Температура окружающей среды....... тут Электрические параметры Граничная частота при !1кв = 5 В. 1э = !О мА: не менее . типовое значение . Статический коэффициент передачи тока в схеме с эмнттером при !тик —— ! В, 1э = 500 мА: при Т= 298 К типовое значение при Т = 233 К не менее 20 — 200 20' 0,5 значе.
ния при Т= 298 К От 0,9 до 2 значений при Т= =298 К Иапряжеиие насыщения коллектор-эмэггтер при 1к = — 500 мА, 1к = 50 мА не более типовое значение Иапряжение насыщения база-эмиттер при 1к = 500 мА, 1а — 50 мА не бояее . тиновое значение Обратный ток коллектора прн 1/кв = 10 В не более при Т= 298 К при Т= 355 К . 13братный ток эмиттера при Ьза = 4 В не более .
Бмкость коллектарного перехода при ТГкв = 5 В ие более типовое значение бмкость эмиттерного перехода при !1эв = 1 В не более типовое значение ! В 0,19* В 1,25 В 092с В 1 мкА 15 мкА 10 мкА 70 пф 12* пф 100 пф 68" пф Предельные экспяуатациоиные данные Постоянное напряжение коллектор-база . Постоянное напряжение коллектор-змиттер при Яэа с 10 ьОм Постоянное напряжение эмиттер-база . Импульсный ток колдектора при т„с 1 мс, Д в!О Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 — 303 К при Т= 358 К Общее тепловое сопротивление Температура перехода Температура окружающей среды 20 В 15 В 5 В 600 мА 300 мВт 162,5 мВт 400 К1Вт 423 К От 233 до 358 К КТ351А, КТ351Б 4,8 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-и-р универсальные высокочастотные маломощные Предназначены для переключения и усиления сигналов высокой частоты Выпускаются в пяастмассовом корпусе с гибкими выводами На корпусе наносится условная маркировка двумя цветными точками "а КТ351А — желтой и розовой, на Т-51Б — двумя желтыми Масса транзистора не более 0,3 г.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
