sprav_tranzistor (529834), страница 31
Текст из файла (страница 31)
КТ602А, КТ602Б при Тк 343 К цри Т= 393 К Импульсное напряжение коллектор-база: 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ: при Т< 373 К при Г= 423 К КТ602А, КТ602Б прн Т С 343 К . Постоянное напряжение коллектор-эмпттер при Утьэ < 1 кОм. 120 В 60 В 120 В 60 В 160 В 80 В 160 В 8 поду роводннвовыо врнворы Электрические параметры 1' н эчное напряжение при уэ = 50 мд, тн = 5 мкс, Х= 2 кГц ран~ ие менее .
Напряжение насыщения коллскт .э !в = 5 мА не более Напряжение насышения база-эмиттер прн тк = 50 мА, гв--5 мд не более . Статический коэффициент перелачи тока в схеме с обшпм эмиттероч при сгкк = 10 В, 1э = 1О чА. 2Т602А, КТ602А, 2Т602АМ . 2Т602Б. 2Т602БМ, КТ602Б не лэенее . Постоянная времени цепи обратной связи при 17кк= 1О В, ук = 1О мА, Г= 2 МГц не более . Граничная частота коэффициента перелачи тока в схеме с обшим эмиттером при 1lкэ = 1О В, гк —— 25 мА не менее . Бмкосгь коллекторного персхала при Укв = 50 В, Г= 2 МГц не более . Емкость эмиттерного перехала при 6уэк = О, /= 2 МГц не более Обрагный ток коллектора прп Т = 298 К, 1/кь = 120 В нс более 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ КТ602А, КТ602Б .
прн ты 398 К, ик, = 100 В 2Т60 А, 2Т602Б. 27602АМ, 2Т602БМ не более . Обратный ток коллектор-эмиттер. при Т= 298 К, 6укэ = 100 В, йэь = 1О Ом цс более 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ КТ602А. КТ602Б . при Т= 398 К, Пкэ = 80 В, й„ь = 1О Ом 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ нс более 100 В 50 В 100 В 50 В 5 В 75 мА 0,16 Вт 02 Вт 0,55 Вт 0,65 Вт йгтэ гао 02!у гоо 1ао 180 1га тго га ао а 69 го го Оо 507„, .4 Зависимость статического коэффициента перелачи тока от тока коллектора а 1а га га 9О 5аику,б Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер.
226 2Т602А 2Т602Б при Т» 373 К при 7'= 423 К КТ602А. КТ602Б при Т» 343 К при 7=343 К Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток козлектора Импульсный ток коллектора при т„» 1 мкс, !'з ж 7 ° ° ° ° ° ........ 500 мА Постоянный ток змпттера......... 80 мА Постоянная рассеиваемая мощность без теплоотвода при Т » 293 К , , . . . , . . . . .
. 0,85 Вт при Т= 398 К 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ при Т = 358 К КТ602А, КТ602Б с теплоотводом при Т„» 293 К............ 2,8 Вт при 7'„=398 К 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ прн Т„= 358 К КТ602А, КТ602Б Температура перехода 2Т602А, 2Т602Б . . . , . .
. . . . . . 423 К КТ602А, КТ602Б............ 393 К Общее тепловое сопротивление переход-корпус . . . . . . . . . , . . 45 К/Вт переход-окружающая срела........ 150 К/Вт Температура окружающей срелы 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602ЛМ, 2Т602БМ.... От 213 до 398 К КТ602А, КТ602Б............ От 233 до 358 К Примечание При постоянной рассеиваемой мощности более 0,85 Вт транзистор необходимо крепить за корпус к теплоотволя- щей панеди Пайка и изгиб подводящих проводов при монтаже допускается на ра асстоянии не менее 5 мм от корпуса Радиус закругления при изги 1,5-2 мм Пайку следует пронзводить в течение не более 10 с (температура пайки не должна превышать 555 К) При пайке необходимо осуществлять теплоотвод между корпусом тра раизнстора н местом пайки П113 200 150 ОО Ся,пФ г5 Оя,пф 70 15 10 2Т603А, 2Т603Б, 2Т60ЗВ, 2Т603Г, 2Т603И, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ60ЗД, КТ603Е Тран1ясторы кремниевые зпнтаксиально-нланарные и-р-и импульсные высокочастотные маломощные Предназначены лля применения в импульсных и переключательных высокочастотных схемах 227 0 гУВ ВОЗ 515 ВВВ 1,77 Зависимость статического козффнпиента передачи тока от тем- пературы 0 20 00 50 00 О„,В Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база 1 0 5 10 15 ЯО 25Ел,мД Зависимость модуля козффипиента передачи тока от тока эмиттера 0 1 2 8 г7 5055,0 Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения змиттер-база Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво.
дами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора ие более 1,75 з. Электрические параметры Напряжение насыщения коллектор-змиттер при Ук —— 150 мА, Гк =!5 мА: 2ТООЗА, 2ТООЗБ, 2ТООЗВ, 2Т603Г не более типовое значение КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТООЗГ, КТ603Д, КТ603Е не более . при Ук = 350 мА, ув = 50 мА 2Т603И нс более . Напряжение насыщения база-эмнттер: нри Рк = 150 мА, 7в = 15 мА: 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, КТООЗА, КТ603Б, КТООЗВ, КТ603Г, КТ603Д, КТООЗЕ не более . типовое значение прн 7» = 350 мА, ув = 50 мА 2ТООЗИ не более типовое значение Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером прн !Укв = 2 В при Г=298 К: при 79=150 мА. 2Т603А, 2ТООЗВ, КТ603Д КТООЗА, КТ603В 2Т603Б, 2ТООЗГ КТ603Б, КТ603Г не менее КТООЗЕ .
при !з = 350 мА 2ТООЗИ не менее типовое значение . при Т= 213 К, уз = 150 мА 2Т60ЗА, 2ТООЗВ 2ТООЗБ, 2Т6031 2ТООЗИ не менее при Т=398 К, уз=150 мА 2Т603А, 2Т603В 2Т603Б, 2Т603Г 2ТООЗИ не менее 0,8 В 0,2* В 1,0 В 1,2 В 1,5 В 0,9* В 1,3 В 1,0* В 20 — 80 1Π— 80 60 — 180 60 60 — 200 зб 50* 8-80 20-180 8 20- !80 60 — 400 20 70 нс 40* нс !00 нс 400 пс 25» пс 200 МГц 370 МГц 15 пФ 3" пФ 40 пф 35ь пФ 3 мкА !О мкЛ 3 мкА 5 мкА ! мкА 60 мкА 60 мкА 3 мкА 3 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор. змиттеР пРи ЗГьэ с 1 кОм при Т„,Ч 343 К КТООЗА, КТ603Б .
КТ603В, КТООЗГ . КТ603Д, КТ603Е . прн Тян 373 К 2Т603А, 2ТООЗБ, 2Т603И 2Т603В, 2Т603Г при Т„=393 К КТ60ЗА, КТООЗБ . КТООЗВ, КТ603Г ° 30 В 15 В 1О В 30 В 15 В !5 В 7,5 В 229 мя я рассасывания при 1к = 150 мА, 1ь = 15 мА: Р 276ОЗА, 2ТООЗБ, 2ТбОЗВ, 2ТООЗГ, 2Т603И не более типовое значение КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е 1 не более П сгоянная времени цепи обратной связи при 17кэ = 10 В, 1 = 30 мА, 7'= 5 МГп не более .
типовое значение Граничная частота передачи тока в схеме с общим эмиттером при 17кэ = 1О В, 1э = 30 мА, не менее . типовое значение . Емкость коллекториого перехода прн !7кэ = 10 В,Т"= 5 МГц не более типовое значение . Емкость эмиттерного пеРехода пРи 1/эь = О 7'- 5 не более типовое значение . Обратцыи ток козлек:оргь не более ири Т = 298 К црн 17КЬ = 30 В 2Т603А, 2Т603Б, 2Т6ОЗИ . КТ603А, КТ603Б .
при бкг, = !5 В 2Т60ЗВ, 2Т603Г КТ603В, КТ603Г . при Г/кь = 1О В КТ603Д, КТООЗЕ . при Т= 398 К при Пкь = 24 В 2Т60ЗА, 2Т603Б, 2Т603И . при Пкь = 12 В 2Т603В, 2ТООЗГ Обратный ток эмизтера ие более при Ггэь = 3 В 2Т603А, 2ТООЗБ, 2ТООЗВ, 2Т603Г, 2Т6ОЗА, КТ60ЗБ, КТООЗВ, КТООЗГ, КТООЗД, КТ603Е при Г/аз=4 В 2Т603И 24 В 12 В 3 В 4 В 3 В 300 мА 0,5 Вт 423 К Ъы,4 г50 Тя,мд 10 800 150 100 03 00 о0 ибу,в 0 0,5 0,6 0,9 036,0 Зависимость тока эмнттера от напряжения эмиттер-база.
Входные характеристики. КТ60ЗД, КТ603Е........... ГО В при Т= 398 К: 2Т60ЗА, 2ТООЗБ, 2Т603И . 2ТООЗВ, 2ТООЗГ при Т= 423 К: 2ТООЗА, 2ТООЗБ, 2ТООЗИ........ 18 В 2ТООЗВ, 2ТООЗГ........... 9 В Напряженис эмиттер-база. 2ТООЗА, 2Т603Б, 2ТООЗВ, 2ТООЗГ 2ТООЗИ при Тч с 343 К . 2ТООЗИ прн Т„= 398 К . Постоянный так коллектора . Импульсный ток коллектора прн тя ж 10 мкс, 6З> 1О................ 600 мА Постоянная рассеиваемая мощность: при Т< 323 К при Т= 358 К КТООЗА, КТ603Б, КТ603В, КТООЗГ, КТ603Д, КТ603Е н Т = 398 К 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2ТООЗГ, 2ТООЗИ.....
0,12 Вт Температура перехода: 2ТООЗА, 2ТООЗБ, 2Т603В, 2Т603Г, 2ТООЗИ . КТООЗА, КТООЗБ, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТООЗЕ............... 393 К Общее тепловое сопротивление....... 200 К1Вт Температура окружающей среды: 2Т603А, 2ТООЗБ, 2Т603В, 2Т603Г, 2ТООЗИ... От 213 до 398 К КТООЗА, КТООЗБ, КТбОЗВ, КТООЗГ, КТ603Д, КТ603Е...,........... От 233 до 358 К П р им е ч а н и е.
Расстояние от корпуса до начала изгиба вы- вода 3 мм. Не допускается пайка выводов на расстоянии менее 5 мм от корпуса. Пайку выводов следует произволить не более 10 с при температуре не более 543 К с теплоотволом между корпусом в местом пайки. Запрещается кручение выводов вокруг осн. йна 1ПО вв 0 г В В В 100,В в 61 гв 500 Ек,мв 1,05 1,г 1,0 1,0 йа05 О,У 0,В5 0 га д0 Во В0 1001„мд ' 0 го цв 50 В0 100Ь„мд Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмнттер от тока базы. с„лч Сх лФ 5 г0 10 0 1 г 0ввВ 0 5 10 15 го г50яв,В Зависимость емкости коллектоРного перехода от напряжения коллектор-база.
231 Зона возможных положений зависимости статического коэффициента перелачи тока от тока коллектора. ез 0,В ч 00 У 0,0 Зона возможных положений за. висимости статического коэффициента передачи тока от напря ження коллектор-эмиттер. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы. Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база. 1г 1з1 сз П 1001з ООРЯ !Иота! ВО о,в 0,1 ОВ 1 10 ВО ВО ФО ВОРяе,нОм 0 20 ЧО б0 ВО Зависимость максимального до. пустимого напряжения коллектор-змиттер от сопротивления база-эмиттер. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от частоты.
КТ605А, КТ605Б, КТ605АМ, КТ605БМ Вариант 1 Место мари еи ер Вариант Е Змиттер 232 Транзисторы кремниевые меза-планарные л-р-н универсальные высокочастотные маломогнны. Предназначены для применения в импульсных, переключательных н усилительных высокочастотных схемах. Выпускаются в металлостеклянном (КТ605А, КТ605Б — вариант 1) пластмассовом корпусах с гибкими выводами (КТ605АМ, и Т605БМ вЂ” вариант 2) Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2 г, пчастмассовом не более ! г в пча Электрические параметры !!апряжсние насыщения коллектор-эмиттер при у, =20 мА, /а=2 мА не более Статический коэффициент переда ~и тока в схеме с общим эмиттером при (э = 20 мА, Укв = 40 В КТ605А КТ605Б 1 раничная частота коэффициента передачи тока при (/ьэ = 40 В, (э = 20 мА не менее Бмкость коллекторного перехода при (гкв = 40 В, у= 2 МГц не более . Бмкость эмиттерного перехода при Уэк = 0 В, у= 2 МГц не более Обратный ток коллектор-эмиттер прн (гкэ = 250 В нс более Обратный ток эмиттера при (гэв = 5 В не бо- лее 8 В 1Π— 40 30 — 120 40 МГц 7 пФ 50 пФ 20 мкА 50 мкА Предельные эксилуатапиен~ые данные Постоянное напряжение коллектор-база при Тс 373 К при Т= 423 К Постоянное напряжение коллектор-эмиттер )7вэ с ! кОм при Тс 373 К при Т= 423 К .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
