sprav_tranzistor (529834), страница 27
Текст из файла (страница 27)
при Вгь = 20 В КТЗ42Б при Гlкь = 1О В КТ342В, при Т= 298 К при Пкь =- 25 В КЗ 342А при Ц<ь = 20 В КТ342Б при Гткь = 10 В КТ342В при Г= 398 К при Ггкь = 25 В КТ342А при Гткь = 20 В КТЗ42Б прн Гткь = 10 В КТ342В Обратныи ток эмиттера при Вьэ = 5 В не более . Обратный ток коллектор эмиттер при Зтьз = 10 кОм не более при Г/КЭ = 30 В КТ342А при ГГКЭ = 25 В КТ342Б при Ггкэ 10 В КТЗ4эв Напра,кение насыщения котлектор-эмиттер при lк = = 10 мА Гь =- 1 мА не ботее Напряжение насыщения баэа-эмиттер при Гк =!О чА, Гь =- 1 чА не более Граничное напряжение при 1з = 5 мА не менее КТ342А КТ342Б КТ342В Елглость коллекторного перехода при Ггкь=5 В не боэее КТ342Б КТ342В 25 В 10 В при 1= 398 К КТ342А КТ342Б КТ342В 25 В 20 В 1О В Граничное напряжение при /3 = 5 мА: 25 В 20 В 10 В 20 В 15 В 1О В 50 мА Импульсный ток коллектора при т» к 40 мкс, Д > 500 300 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при Т= 213 — 298 К .
при Т= 398 К 250 мВт 50 мВт 423 К Температура перехода От 213 до 398 К "гтз гаа ваа уаа Чав !92 при Т = 213 — 373 К КТ342А КТ342Б КТ342 В при Т = 398 К. КТ342А КТ342Б КТ342В Постоянный ток коллектора Температура окружающей среды а ч в уг йв и„,,в Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передача тока от напряжения коллектор-база. гаа а ч в уг уви„,в Зона возможных положений зависимости статического козффициента перелачи тока от напряжения коллектор-база. лгтэ хоа гггтэ 1апо гпа ваа Боо 150 гпо 1ап гоо Ба О 10 га 50 гаХ„ыД о г и Б Ои„„а Зона возможных положений зависимости статического коэффи.
циента передачи тока от напряжения коллектор-база опо 500 поа Бпа 500 г00 гоп Оо Ппгг,мй П 10 га 20 ООБ„М положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока эмнттера. ~гтэ гггтэ 500 ООО гаа уоо гоп 100 О 215 258 295 555 5757,К О 215 255 295 Бах 575 7,к Эоны возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от температуры. 7 Пехн1реччдхчхечие ер кери 193 "гтэ Бап 100 о 10 го Зоны возможных Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. "гтэ 1000 Вгрз 100О 100 впп 000 10 ппо гпо а 10-в 10-з 10-ч 10 10-е т„мД и г10 гвв гвв ввв г в 010 тк воо Пк,лФ 10 гоо о в в 1г п„,в о и в 1г 10 и„„в 2Т348А-З, 2Т348Б-З, 2Т348В-З, КТ348А, КТ348Б, КТ348В Транзисторы кремниевые зпитаксиатьно планарные н-р-и унииер.
альные высокочастотные маломопзные зона возможныа положений зависимости статического коэффициента передачи така от тем- пературыы ~~ аао Ч. впа Зона возможггых положений зазвсимости граничной частоты от напряженна коллектор база Зона возможных положений за висимости граничной частоты от тока эмиттера Зона возможныч положений зависимости емкости коллектор- ного перехода от иаприженил ьозлектор-база Ключ Кгллектер Нрелназначены дчя приэаен исиия в импульсных, переьлнэчатезьных и усилительных вы ысокочастотных схемах серь,етизнрованиой а~пар~туры Бескорпусные, с твердыми выводами, с защитным покрытием Обозначение типа приводится на этикетке групповой тары Масса транзистора не ботев 001 г Квллеятер миюмер Э тектрнческне параметры Траннчиая частота лоэффиписнта передачи тола в схеьге с общим эмнттером при 1 из = 1 В. 1и = 3 мА не менее Время рассасывания при Ег, = 3 В, 1„= 3 чА.
1ь, = 1ьт = 1 мА не более Коэффнпиент перелачи тока в схеме с общим эмиттером при 1/,гэ = ! В, Тк = 1 чА прн Т= 298 К 2Т348А-3. КТ348А 2Т348Б-З, КТ348Б . 2Т34ВВ-З, КТ148В . прп Т=213 К 2Т348А-3 ЗТ348Б-3 2Т348В-3 при Т= 358 К 2Т348А-3 100 мгг! 130 нс 25-75 35 — !20 80-250 9 — 75 15 — 120 25 — 250 значений 298 К значений 298 К 3 значений 298 К 05 В ОЗ В 085 В 11 пФ э2 пФ 10 чкА 10 мкА 195 От 25 до при 2Т348Б-3............От 35 ло при 2Т148В-3............Ог 80 до при Напряжение эмиттер-база при 11кз = 2,5 В, 1э = 0,05 мА не более Напра кение насыщения коллектор-эчи гтер при 1„= 03 чА и Тя=-1,7 мА 2Т348А-З, 1к=1,0 чА 2Т348Б-З, 1ь = 0 7 чА 2Т3488-3 не ботев Напряжение насыщения база-змитгср нрн 1ь =.
10 мА и Та=1 мА 2ТЗ48А-З, Та=0,6 мА 2ТЗ4ВБ-З, 1г, = 0,4 мА 2Т348В-3 ие бозсе Емкость кот чекторного перехода при 1 ь„= 1 В ие бозее Ечьость эчиттерно~о перехода прн 1 эь = ! В не более Обратный ток коз !сктора прн Гкв = 5 В не бозсс при Т= 298 К при Т= 358 К 5ратный ток коллектор-эмнтгер при 17кэ = 5 В, Яэь = 3 кОм еее бочее............ 3 мкА эрщнын так эмеытера прн Геэь = т 5 В ие бочее...
1О мкА Предельные зьсплуатащюнные данные эсгоянное ееагерямеееие ко елеьтор-бам...... 5 В эстояннае напряжение коччекеор-емеегтер при Явз к 3 кОм......,,,...... 5 В остоянное напряжение эмиттер-база....... 3,5 В остоянный ток коллектора . . . . . . . . . . . 15 мА ипульсньей ток коллектора при т„ е 1О мкс, Оэ10, т,Е,н 100 не............. 45 мА эстоянная рассеиваемая мощность при Тк 313 К.............. 15 мВт при Т = 358 К.............. 3,75 мВт мпульсная рассеиваемая мощность при Т и 298 К...
100 мВт емпература перехода . . . . . . . . . . , . . 373 К 5щее тепловое сопротивление . . . . . . . . . . 4 Кгмйт :мпература окружающей среды......... От 213 до 358 К П р и м е ч а н и е Способ крепления транзистора в аппаратуре лжен обеспечивать фиксацию положения кристалла и выволов При энта ке должны быть приняты меры, исключающие возможность .грева кристалла и смолы до температуры более 373 К 6213 240 беы 7,01г 0,01 гпп 160 1, ООВ 120 7, 006 О, 004 Вп 7,002 02 ОУ ОС 05 06 070бб,п 0 5 10 15 20 2576,иА Входные характеристики 0,05 Зависимость статического коэффипиеита передачи тока от тока эмиттера 1,025 О Зависимость обратного тока 212 202 272 202 522 263ТеК коллектора от температуры КТ358А, КТ358Б, КТ358В Меся/е Ютя маряирейяи мил/щер Еаза яеея/лар Электрическяе параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмгптером при !/кк = 10 В, /э = 5 мА не менее КТ358А КТ358Б, КТЗ58В .
Постоянная времени пепи обратной связи на высокой частоте не более Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при 1/кэ = 5,5 В, /э = 20 мА КТ358А КТ358Б КТЗ58В Напряжение насыщенна коллектор-эмиттер при !к = = 20 мА, /к= 2 мА не более . Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 20 мА, /к = 2 мА не более Обратный ток коллектора при 1/кк = 15 В КТ358А, КТ358В, при Окк = 30 В КТ358Б не более Обратный ток эмиттера прп !/эк = 4 В нс более . 80 МГц 120 МГц 500 пс 10 — 100 25 — 100 50-280 0,8 В 1,1 В !О мкА 10 млА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение колтсктор-база КТ358А, КТ358В.
КТ358Б Постоянное напряжение коллектор-эмнттер прн /ткэ к < 100 Ом КТ358А, КТ358В . КТ358Б 15 В ЗО В 15 В 30 В Транзисторы кремниевые эпитаксиачьио-планарпые и-р-и усилиельные высокочастотные маломощные Предназначены для применения в усилительных и генераторных схемах радиоэлектронной аппаратуры Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводамл, !Збозначение типа приводится иа корпусе Масса транзистора не более 0,2 г Л р н м е ч а н н е.
Разрешается трехкратный изгиб выводов на зсстоянии не менее 3 мм от корпуса с радиусом закругления : менее ! мм. При изгибе выволов должна быть обеспечена ие одвнжность выводов на участке от корпуса до места изгиба и сключена возможность передачи усилия иа место присоединения паола к корпусу, нарушения конструкции и герметичности транчстора. Пайка выводов допускается на расстоянил не менее 5 мм от ластмассового корпуса транзистора. Пайку производить в течение е более 10 с (температура пайки не должна превышать 523 Кй рпияв меры, исключающие возможность перегрева транзисторов Вхолные характеристики. эиА 10 Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.
Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивдепия база-эмиттер. о О,О О,у О,О О,О О„,В ~215 гоо 1ОО 1го ВО 100 Яку, яом остоянное напряжение эмиттер-база . остоянный ток коллектора . .мпульсный ток коллектора остоянная рассеиваемая мощность . мпульсиая рассеиваемая мощность при г„д! мкс. емпература перехода бщее тепловое сопротивление . емпература окружающей среды . г5 3 го 10 5 О 5 10 15 го г51д,мл О,1 1 10 6 4 В 30 мд 60 мА 100 мВт 200 мВт 393 К 0,7 К/Вт . Оз.
233 ло 358 К КТ359А, КТ359Б, КТ359В 0,25 В,ОН Эмитаге каяяеята г Ю Ч! Рама ' Пт Лаааемажд Электрические парапиарм Граничная частота при Пкэ = 2 В, уэ = 5 мА ие менее................... 300 МГц Постоянная времени цепи обратной связи при !ткв = 2 В, 7э = 2 мА,7 = 5 —. 30 МГц не более........ !00 пс Коэффициент шума при !7кэ = 2 В, Зэ = ! мА,7'= 20 МГп не более..................
6 дБ Статический коэффициент передачи тока в скеме с общим эмиттером при !7кв = ! В, 7э = !О мА: КТ359А................. 30-90 КТЗ59Б......,.......... 50 — 150 КТЗ59В................, 70-280 Напряжение насыщения коллектор-эмиттср при Ук = = !О мА, !к =! мА не более......... 0,7 В Обратный ток коллектора при !гкв = ! 5 В ие более... 0,5 мкА Обратный ток эмнттера при !7эв = 3,5 В не более... ! мкА Емкость коляекторного перехода при Скв = 5 В не более................... 5 пФ Емкость эмитгерного перевода прп !/эв — — О, ! В не более...................
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
