sprav_tranzistor (529834), страница 24
Текст из файла (страница 24)
От 213 до 198 К КТ301Г, КТЗ01Д, КТ301Е, КТЗО!Ж..... От 233 до 358 К Примечание угри монтаже допускается пайка выводов аа расстоянии не менее 5 мм от корпуса Пайку следует производить 168 аяльпиком за время нс более 1О с Температура пайки не должна паял „евыгнать 5ЗЗ К Необходимо осушествтять теплоотвод межлу орпусом и местом пайки Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от „рпуса транэнстора, при этом дот кны быть приняты меры предоторожности, обеспечиваюшие неподвижность выводов между местом „эгиба и стеклянным изолятором, чтобы не произошло нарушения пая вывода со стеклянным изотятором, велушего к потере герме тичности гранзнстора 1г 15 ид 0,0 О,э 10 0,4 а,з п,г 0,1 0 о,г 0,5 о,у о,о и„в Входные характеристики о О,У п5 ау по изо,в Зависимость тока эмиттера от напряжения эмиттер-база агта 100 д 100 1Ва 1ОО 100 00 оа го га 0 о г 9 б о 1пт„л г 5 10 15 гпгбп„„в Зависимость статического коэффипнента передачи тока от тока эмиттера Зависимость статического коэффициента передачи тока от напря кении коллектор-эмиттер 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В, КТ312А, КТ312Б, КТ312В Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные и-р-и универсальные высокочастотные маломошные 169 2,2 1 оляеягпор Эмилглзор !82 аза Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при //кз 10 В, /з = 5 мА нс менее 2ТЗ12А КТ312А 2ТЗ12Б 2Т312В, КТ312Б КТ312В Постоянная времени цепи обратной связи при Скз = 10 В, /з = 5 мА /= 2 МГц не бозее Время рассасывания при /к = 10 мА, /в = 2 мА не более 2Т312А КТЗ!2А 2Т312Б, 2Т312В, КТ312Б, КТЗ12В.
Козффициент передачи тоха в схеме с общим эмиттером при Г!!а=2 В /в=20 мА 2Т312А КТ312А 2Т312Б, КТ312Б 2ТЗ12В . КТ312В Граничное напряжение при /з = 7,5 мА не нее 2ТЗ12А, 2Т312Б, 2Т312В КТЗ12А, КТЗ12В КТ312Б Напряжение насыщения коллектор-змгггтер при /к = 20 мА /н = 2 мА не более 2Т312А, 2Т312Б 2Т312В . КТ312А, КТЗ! 2Б, КТ312В 80 М/ ц 120 МГц 500 пс 100 ис 130 нс . 12 — 100 . 10 — 100 . 25 — 100 . 50 — 250 . 50 — 280 ме- 30 В 20 В 35 В 0,5 В 0,35 В 0,8 В !70 Предназначены лля применения в перехлючательных, усилите„„, ных и генераторных схемах ралиоэзектронной аппаратуры Выпускаются в метаззосгекзянгьои корпусе с гибкнмп выводьхщ Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не ботве 1 г Иапряжение насышения база-эмиттер при Тк = 20 мА, г = 2 чЛ не бочее .
Бмкость коллекторнога перехола при Ока = 10 В, /= 2 МГц ие бочее . Бчлость эмиттерного перехода прн Оза =- 1 В, Т= 2 МГц нс бочее . Обратный ток коччектора не более при Т= 298 К тЗ! А, 2Т312Б, тЗ!ЗВ пр !7ль=- 30 В . КТЗ! 2А, КТ312В при Скь == 20 В и КТ31>Б при Г„-З5 В. прп Т = 398 К 2Т312А, 2ТЗ1'Б, 2ТЗ12В прп Улк = =.30 В . Обратный ток эмпттера прн (/эк = 4 В не гюяее .
1,! В 5 пФ 20 пФ 1 члА 1О члЛ 1О млА 1О чкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение колчектор-база чТЗ12А, 2ТЗ12Б, 2ТЗ12В . КТЗ12А, КТ312В . КТЗ12Б Постоянное напряжение кочпекчор-эмиттер при Вэк ц !00 Ом 2Т312Л, 2Т312Б, 2Т312В .
КТ312А, КТЗ12В КТ312Б Пасюянное напряжение эчиттер-база. Постоянный ток кочлектора . Импу !ьсный ток котчектара при т„< 1 мкс, Д>10 . Постоянная рассеиваемая мощность при Т и 298 К КТ312А, КТ312Б, КТ312В, при Т'и ЗЗЗ К 2ТЗ12А, 2Т312Б, 2Т312В . прн Т = 358 К КТ312А, КТ312Б, КТ312В . при Т= 398 К 2ТЗ12А, 2ТЗ!2Б, 2ТЗ12В . Илшучьсная рассепвасчая мощность прп тя с 1 лшс, лз > 10 при Тс 333 К при Т= 398 К 2Т312А, 2Т312Б, 2ТЗ!2В .
Температура перелопа КТЗ!2А, КТЗ12Б, КТ312В 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В Общее !силовое сопротивчение . Течпература олрулачошей срелы КТ312А, КТ312Б, КТ312В 2ТЗ12А, 2ТЗ!2Б, 2ТЗ12В . 30 В 20 В 35 В 30 В 20 В 35 В 4 В 30 чА 60 мА 225 мВт 75 мВт 6",5 мВт 450 мВт 287,5 чВт 388 К 423 К 0,4 К/мвт От 233 до 358 К От 213 до 398 К 17! П р и м е ч а н и е Изгиб выводов разрешается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора с ралиусом закругления 1,5-2 мм Разрешается произволизь панку выволов иа рассгоянии не мен , енсе 5 мм от корпуса путем погружения не более чем на в расплавленный припой с температурой не более 523 К "ггз 100 тв,мл 1,0 80 о,в О,Б БО О,Ч О,г 0 ОВ ОЧ ОБ ОВ 100„,В Входные характеристики 1Бг„! Ьгм 1ЧО 100 80 ЧО 895 515 555 553 575 595 Т, К Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры Сгп лФ Б 172 1 0 Ч В 1г 18 гОО„Б,В Зависимость емкости коллеьторного перехола от напряже- ния колчектор-база 0 5 Чо 15 ЯО 251„,~л Зависимость статичеслаго ьо гф.
фициента перелачи тока от то- ха коллек~ора Ч 0 В Б 9 18 152з,и,4 Зависимость модуля коэффициента передачи тока от ~ела эмггттера 0,8 "О,Б а ОЧ ~~о,г Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный и-р-л универсазьный высокочастотный ьсалолсашньсй Предназначен для работы в усилительных и переключаю- 7,ру 7,7 ших схемах герметизированнои аппара гуры Бескорпусньсй, с гибкими выводами и зашнтным покрытием, на кристалзодержатече Транзистор помещается в тьруепутник Обозначение типа приводится на основании тары- спутника У базового вывода ставится точка Масса транзистора не бо- чй лес О,! г я ч Электрические параметры Граничное напряление при 1э = 5 мА не менее... 45 В Напряжение насышения коллектор-змнттер при 1к = = 30 чА, 1а = 6 мА не более......... 0,3 В статический коэффссссиесст передачи така в схеме с обшим эмиттероч при 17кэ = 5 В, 1э = 0,25 мА прн Т = 298 К .
. . . . . . . . . . . . . 30 — 120 при Т = 398 К . . . . . . . . . . . . . . 30 — 300 при Т = 213 К . . . . . . . . . . . . . . 15 — 120 Модуль коэффициента передачи тока прн 17кз = ГО В, 1к — 10 ыА, 1 = 100 МГц не менее....... 3 Постоянная времени цепи обратной связи при 1lка = 5 В, 1к = 10 мА, /= 30 МГц не более . . . . . . . 80 нс Емкость эмиттерного перехода при Оиэ = 0 . .
. . 8* -20" пФ типовое значение . . . . . . . . . . . . . . 15* пФ Емкость ьоллектарнога перехала при !1кв= 5 В не бозес....,.......,..... 10 пФ ВРемЯ включениЯ пРи 1к =!О мА, 1в = 1 мА.... 35*-45* нс типовое значение.............. 40' нс Время рассасывания при 1к = 30 мА, 1а = 3 мА не более.................. 300 нс Время выключения при 1к = 10 мА, 1„= 1 мА....
80" — 120' нс типовое значение.............. 100" нс Обратный ток коллектора при Сьа = 55 В не более при Т= 298 К и Т=213 К......... 0,075 мкА прн Т= 398 К......,....... 1,5 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Рвэ=!0 кОм........,.... 50 В Постоянное напряжение коллектор-база 55 В Постоянное напряжение база-эмгптер . 4 В Импульсные наприжения коллектор-база и коллектор-эмиттер при Вкэ = 1 кОм, так!00 мас, Д>2 Постоянный ток коллектора .
Импульсный ток коллектора при тв к 100 мкс, 13 и 2................ 70 мА Постояннаи рассеиваемая мощность коллектора. при Т= 213 —:298 К......... 0,5 Вт при Т= 398 К........... О,! Вт Температура перехода . . . . . . . . . . 423 К Температура окружающей среды...... От 213 до 398 К Тепловое сопротивление переход-корпус.... 0,25 КуыВг Примечание Минимальное расстояние от места пайки выводов ао поверхности трачзпс~ора 3 ыа Импе «ыа лов Понт ьаетса ты расстокнзн не менее 0,5 ым от месм выкола вывола из таазитна~о покрытии ~ 1,05 В КТ514А-2 КТ31ЧА-2 1 м а В~ 095 5 09 икя =5В 4 а ОВ5 2 О,В 0 10а 10" 105 10Я 1072яЭ,ОМ 0,5 0,5 0,7 ОВ 0,90 т,В 65 В 60 мА 15,м 4 В Зависимость относительного максимально дону от имого напряжения коллектор-эмиттср от сопротивления база-эмиттер Входные характеристиюг.
Ьггэ 90 ч 1 о 10 ьм 10 70 215 255 295 555 5757,К Зависимость обратного тока коллектора от температуры ВО 50 0 1 2 5 42ямА Зависимость статпческо~ о коэффппиента передачи така от така коллектора. 174 лета 1го 100 60 0,7 90 06 0 20 90 60 В01к.мА О 20 40 60 601к мА 500 )сгтэ! 100 Х 21х 25х 29х ххх х7хт,к 0 21Х 252 29Х ХХХ Х7ХТзК Зависимость времени рассасыва- ния от температуры.
гг5 200 Зависимость времени рассасыва- ния от тока коллектора 100 10 гс ХО 00 501к, мА КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные и-р-я Зсилп~ельные высокочастотные маломозззные. з 75 Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока кочлектора Зависимость модуля коэффипяента перелачи тока от температуры. оз " Озо Я О,В Зависимость напряжения насыщения бата-эмиттер от тока коллектора " ХОО И.
гсс 175 з 150 125 Пре>зназначеиы лля работы в с~снах усилителей высокой промежуточной н низкой частоты Выпуска|отея в пластмассовом корпусе с гибкими вь>во. дами Обозначение типа при. водится на этплетке Масса транзистора ие бадее 0,18 г 7>2 азл Эиь>о>оер Коллена>ор 15 В 30 В 25 В 0,4 В 1 В 0,5 Б 1,1 В 1,5 В 0,9 В 20 — 90 50 — 350 ЗΠ— 250 30 300 нс 500 нс 1000 нс 2,5 1,5 7 пФ 10 пФ 76 Электрические параметры Граничное напряжение при 1э =- 5 мА не менее КТЗ!5А, КТЗ15Б, КТЗ!5Ж КТ315В, КТЗ15Д, КТЗ15И КТ315Г, КТ315Е Напряжение насыщения коззектор-эмяттер прп 2~ = 20 мА, 2ь = 2 мА не более КТЗ15А, КТЗ15Б, КТЗ15В, КТЗ15Г . КТ315Д, КТ315Е .
КТЗ15Ж Напряжение насыщения база-эмиттер при /ь = 20 мА, 1ь = 2 мА не более КТЗ!5А, КТЗ15Б, КТ315В, КТ315Г КТ315Д, КТЗ15Е КТ315Ж .татцческий коэффициент передачи тока в схеме с общим эмнттерам при 1>кэ = 10 В, lк = 1 мА КТЗ!5А, КТЗ!5В, КТ315Д . КТЗ15Б, КТЗ!5Г, КТЗ!5Е КТ315Ж КТ315И не менее Зостоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при 1Укь = 1О В, 7э = 5 мА не более КТ315А КТ315Б, КТ315В, КТ315Г КТ115Д, КТ315Е, КТ315Ж Иолу зь коэффициента пеаедачн > ало при Г>ьэ = 10 В, /к = 1 мА, 2 = 100 МГц не менее КТЗ!5А, КТ315Б, КТЗ!5В, КТ315Г, КТЗ!5Д, КТ315Е, КТ315И КТ315Ж ;млость лоллекторнога перехода при 22кь = 10 В не более КТЗ!5А, КТ315Б, КТЗ15В, КТ315Г, КТ315Д, КТЗ!5Е, КТ315И КТ315Ж Зхалиое сопротивление при с>кэ = 10 В, lк = 1 мА нс менее В ~ьолиая проволимость при 1!к э = 10 В, Зк = 1 мА ис оочее...,...............
0,3 мкСм !!Опрятный ток коллектора при !/кв = !О В не более . ° ° ° ° ° ° °........ 1 мкА рбратныйЗ ток коллектор-эмиттер при йвэ = ГО кОм, !Уиэ = = ьткэи.тс не более КТЗ15А, КТЗ!5Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТЗ!5Е.. 1 мкА КТЗ15Ж.................. 10 мкА КТЗ15И..................!00 мкА !Збратный гол эмитзера при ба э = 5 В ис бо ~ее КТЗ15А, КТ315Б, КТЗ!5В, КТЗ15Г, КТЗ15Д, КТ315Е, КТ315Ж..............,...