sprav_tranzistor (529834), страница 23
Текст из файла (страница 23)
Выходная пошая проводимость в 3зеаачкге кичого сиптача при хочостом ходе при С!ив=6 В, уз=! мА ! = ! кГП не бо прн Т= 293 К прн Т= 2г3 К Обратный ток кодчектора при 6/кв = 6 В не ботве прп Т= 293 К при Т= 343 К Обратный ток эчиттера при У'эк =- 6 В не более Еьчкость коччекторного перехода прп бгкь — — 6 В, э'= ! МГа не боме !50 О, 2 кгкСзг 5 кгкСч 6 кнА 50 чкА !О чкА 20 пф Предечьные эксплуатационные данные Напряаение коччектор-эчигтер коччекторбгза . Обратное напряжение эчитгер база Ток кочзектора . Ток эчиттера . Постоянная р.гсссиваечая мощность прп Т= 233 — 343 К Температура окружающей среды 6 В 6 В 5 чА 5 мА 30 чВ» От 2!3 до 343 К КТ501А, КТ501 Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501 М Транзисторы кремниевые зн~гчахсггачьно-планарные р я-р чсии тельные низко ыстотпые чачочощные Прелназначены дчя причецення в усичителях щпкой гасготы с норчированньгч коэффициентом щукга, сперм!ионных и дцфферси ггиальных усичитечях, преобраэоваге ~ях, икшульсньгх схемах Выпускаются в четаллостекляниоч корпусе с гибкимн выводами Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не бочее 0,6 г длгргер клг с!э 362 Эдектрняескне параметры Коэз т ффипиент шума при !Укт = 3 В /ь — — 0,2 мА, Яг = 3 ьОч,я= 1 кГп не бозее шовое значение „!а„ря,кение насьппення ьоззелтор-эчпттер не более прн ух=03 А, !г,=006 А прп Гав=05 А, /к=01 А „1апрявенне пдсышення база-эчпттер при !к = 0,3 А, 3 = 006 А не бе тес Г ятпчеслий коэффициент передачи тола в схеме с обшнм эчиттероч прп !ьэ=1 В, !к=30 тзА КТ501А КТ50!Г, КТ501Ж, КТ501Л КТ501Б КТ501Д КТ501И, КТ501М .
Ктх01В, КТ501Е, КТ501К прп Кьэ = 1 В, Тк „= 0,5 А не менее Граничная частота коэффипиента передачи тока в схеме с оошнч эчиттероч прв бгкэ = 5 В !к = 10 мА не ченее Ечкость ьозтекторного перехода при Икя = 10 В, Г= 500 ьГп не более Ечлость эчиттерного перехода прп Каэ = 0,5 В, Г= 500 кГп ие более Обратный тол коз зеьтора при тткэя = Икэя яяьс 1!ьэ = 1О ьОч пе ботев .
Обратный тол зчиттера при Ияэ = Пяэ „„,. не ботве . 4 пБ 2" лБ 04 В 07 В 1,5 В 20- 60 40-!20 80-240 6 5 МГп 50 пФ 100 пФ 1 млА 1 мьА Предельные экспдтатаинониые данные Постоянн ы напряжения лоззеьтор-база н козлекторэчиттер при Яяэ и 10 лОч Т= 298 — 398 К КТх01а КТ501Б, КТ501В КТ501Г КТ50!Д, КТ501Е . КТ501Ж КТ50!И, КТ501К КТ501Л КТ501М Постоянное напряаение база-эмиттер при Т = 213 — 398 К (ари Т = 298 — 398 К КТ50!Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М1 КТ501А КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е КТ50!Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М . П остоянный так ьоядеьтора при Т = 213 — 398 К .
3!хшу зьсный тол колзектора при Т = 213 — 398 К . Постоянный ток базы при Т = 213 — 398 К Пост остоянная рассеиваечая чошность коллектора при Т= э13 — 308 К . Тем Течпердт>ра перехо а д синера~ура окру каюп!ей среды . 15 В 10 В 45 В 60 В 10 В 20 В 0,3 А 05 А 0,1 А 0,35 Вт 423 К т 213 ло 398 К П р и м е ч а н и е При включении транзистора в непь, находящуюся под напряжением, базовый контакт присоединяется ис ы л ! н откчючается последним Расстояние от места изгиба до корпуса транзистора не м „ менее 3 мм с ралиусам закрут!ения П5-2 мм Пайка выводов дои допускаетсяя на р !сстоянии ие менее 5 мм от корпуса транзистор егора 05 0,5 70 0 215 255 205 355 37УТК 22,5 20 Зависимости максимально до. пустимых напряжений кощектор-эмнттер и коллектор база от температуры Зависимость максим щьно допус! имого напряжения б,! ыэмиттер от темпер,!туры 10 215 235 253 275 295 Т,К КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е Транзисторы кремниевые эпитаксиально-пленарные р-л-р универсальныс низкочастотные маломощные Предназначены для работы в усидитетях низкой частоты, операционных н дифференциальных усилитечях, преобразователях, имлучьсных схемах Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выведали! Обозначение типа приводится на этикетке Масса транзистора нс более 0,3 г Отд ! ОУ а 0,2 о 0,1 ,", 17,5 15 12,5 зо 50 й 50 я ~м 40 к " 30 Ягп 10 213 235 253 273 2037,К Зависимость максима тьно допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры Эзектрпческне параметры ГраиИЧНОЕ НаПРЯЛЕНИЕ ПРИ 1Э = 10 МА, та и ЗО МЛС, Д > 100 ие менее КТ502А, КТ502Б .
КТ502В, КТ502Г КТ502Д КТ502Е напряжение насыщения каззектор-эмиттер прн /и = 1О мА, /а = 1 мА не более . типовое значение ° Папряиение насыщения база-эмнттер при тк =- 10 мА, л~А не бозее типовое значение . Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при !ткэ = 5 В, !э = 10 л~А КТС02А, КТ502В, КТ502Д, КТ502Е . КТ502Б, КТ502Г Граничная частота коэффициента передачи тоха в схеме с общим эмиттером при блэ = 5 В. 2э = 3 мА, 2 = 1 МГц ие менее . Емкость ьочзелторного перехода при бэкв = 5 В Г= 465 кГц не более . Обратный тол козчелтора при хт - = хз „„„, не бо- 25 В 40 В 60 В 80 В 0,6 В 0,15* В 1.2 В 0,8ч В 40 110 80 э40 5 МГп 20 пф ! мкА Прелельиые эксплуатационные данные Постоянное напряжение кол чектор-база при Т = = 233 — 358 К КТ502А, КТЧ02Б .
КТ5028, КТ502Г . КТ502Д КТ502Е Постоянное напряжение база-эмиттер при Г = = 233 — 358 К П остоянный ток коллектора при Т= 233 — 358 В Имц! тьсный ток коллектора при т„к ГО мс, ЕЗ > 100, Г= 233 — 358 К. Постоянный ток базы при Т= 233 — 358 В . Посзоянная рассеиваемая мощность коллектора при Г= 233 — 298 К . 40 В 60 В 80 В щ В 5 В 0,1 5 А 0,35 А 0,1 А 0,35 Вт О,'7 '.
0,3 Яа,г 0,7 О 252 273 212 232 ЛУ7,77 Зависимость малснмально допустимой постоянной рассеиваемой моппзости коллектора от температуры. 1,7 0,5 0,4 Д Ог Яо,г .ОБ и О,В у ' 07 О,Б 1 2 Ч БВ70 20 4ОЕ„,мА Зависимость напряжения насышення база-эмнттер от тока кол- лектора 0 7 г Ч 081020 ЧОЕюмА Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмнттер от тока коллектора. узг 73 1го 100 Во О 001 ООЧ 01 020ЧОБ1 2 Ч Б 10 20 ЧОБ0100200 БОО Еэ,мл Зависимость статического коэффициента передачи тока оз тока эьзит- тера, 766 Телзпература перехода Температура окружающей среды ОБ 398 К .
От 233 до 338 7 Примечание. Парку У вы. волов разрешается произво слить на расстоянии не мене. мм от корпуса. Прн пайке като паяльника лолжио быть захе азем. дено Изгиб выволов попускаете ' ется на расстоянии не менее э ц мтз от корпуса транзистора с ра диусом закругления 7.5 — 2 „,„ при этом лолжны приниматься меры, исключаюшие передачу усилий на корпус. Изгиб в п.зоскости выводов ие дои> екает ся Разде ~ чслзвервзы0 ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ и-р-и ДТЗ01Г, гт301Д, гт301Е, ЛТЗ01ж, КТ301Г, КТЗ01Д, КТ301Е, КТЗ01Ж Электрические параметры Максцматьная частота генерации при 6кв = 10 В, Рз = 3 мА ие менее..........,........
60 МГп Молуль коэффициента передачи тока при !/кз = 10 В, !3= 3 мА, Г= 20 МГц не менее......... 1,5 Постоянная времени цепи обратной связи при Ока = 10 В, !з.= 2 мА. Т= 2 МГп не более 2ТЗО>Г, 2ТЗО>Д, КТЗО!Г, КТЗО>Д........ 4,5 нс 2Т301Е, 2Т301Ж, КТ301Г, КТЗО>Ж......... 2,0 нс ВРемЯ Рассасываниа пРи !ь = 10 мА, та — — 1 мА нс более 2ТЗО!Г, 2ТЗО>Д, КТ301Г, КТЗО>Д........ 5 мкс 2ТЗО!Е, 2ТЗО!Ж, КТЗО>Е, КТ301Ж.......
8 мкс КозФфицпент перелачи тока в схеме с общим эмиттероч при Окь — !О В тз = 3 мА 2Т301Г, КТ301Г 2ТЗО!Д, КТ301Д 2Т301Е, КТЗО>Е 2ТЗО!Ж, КТЗО>Ж . Г Раничное напряаение при тз = 10 мА, т„= 5 мкс не менее 2ТЗО>Г, 2ТЗО>Д....,,.......,, 30 В 10 — 32 20 — 00 40 — 120 80 — 300 !67 Транзисторы кремниевые п танарные п-Р-я > ниверсальные вы,очастотные маломоггчные Предназначены для применения в усилительных и ченераторных течах разиозлектронной аппаратуры Вып>скаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выворами Обозначение типа приволится на корпусе.
Масса транзистора не более 0.5 г. 7 20 В 25 В !О п<р 80 пйз 5 млА 10 мкА 50 мкА 50 м,А 1О мкА 0 мам 2ТЗ01Е, 2Т301Ж Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Ук = 1 мА не бочее Напряжение насыщения база-эмнттер при чь = 10 мА, Зь = 1 мА не более Емкость коллскторного перекопа прн Ька = 1О В У = 2 МГц не более . Емкость эмиттернага перехола при Пза = 0,5 В У= 2 МГц не более . Обратный ток колчектора при Т= 298 К Вк„= !/ка„,„, не более 2Т301Г, 2Т301Л, 2Т301Е, 2Т301Ж КТ301Г, КТ301Д, КТЗО!Е, КТЗО!Ж при Г= 398 К сГка = 10 В не бочее 2Г301Г, 2Т301Л, ЗТ301Е, 2Т301Ж Обратный ток эмиттера при !lэа = 3 В нс бочее 2Т301Г, 2ТЗ01Л, 2Т301Е, 2ТЗО!Ж КТ301Г, КТЗ01Д, КТЗО! Е, КТЗ01Ж .
Выходная проводимость при СГкв = 10 В, Уэ = 3 мА, У= 1 кГц не более...................3 2 В !О мА 150 мВт 423 К 393 К О,б К/мВт Прелельные эксплчатациоиные лаиные Постоянное напряжение коллектор-оаза и коллектор-змиттер 2Т301Г, 2Т301Л КГ301Г, КТЧ01Д, КТ301Е. КТ301Ж............... чо В 2Т301Е, 2Т301Ж............
20 В Напря,кение эмиттер база . 3 В Напряжение колчектор-'змиттер цри котором Оп!.з сохраняется в пре челах устлновчснныч норм при 1! = 1 мА не менее Постоянный ток колчектора и эмитчера Импульсный так коллектора при т„< 1 мкс, Д>2................. 20 мА Постоянная рассеиваемая мощность при Тс 333 К при Т= 398 К 2ТЗ01Г, 2Т301Д, 2Т301Е. 2ТЗ01Ж............... 42 мВт при Г =- 358 К КТ301Г, КТЧ01Д, КТ301Е, КТ301Ж............... 58 мВт Температура перехода 2Т301Г, 2Т301Д, 2Т301Е, 2Т301Ж . ктзо!Г, кт301Л, ктЗо!е, ктзо!ж Общее тепчовое сопротивление . Температура окружающей среды 2ТЗО!Г, 2Т301Д, 2Т301Е, 2ТЧО!Ж.....
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
