sprav_tranzistor (529834), страница 18
Текст из файла (страница 18)
Выпускаются в мсталлостекляниом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности ксрпуса. Масса транзистора не более 0,5 г. Рмипглгер за 2 ппгклер1 легар База Электрические параметры "ааение напряжения на открытом ключе: при га = 0,5 мА не более: при Т= 298 К. 2Т1!8А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б 2Т118В, КТ118В при у=213 К: 2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б . 2Т118В, КТ118В при 7= 398 К 0,2 мВ 0,15 мВ 0,4 мВ 0,3 мВ 0,6 мВ 125 при 1в = 1,5 мА не более при Т= 298 К: 2Т!18А, 2Т118Б, КТ!18А, КТ118Б 2Т118В, КТ118В прн Т= 398 К прн Т= 213 К Сопротивление открытого ключа не более при 1з=2 мА,!ь=2 мА при у=298 К 2Т118А, 2Т118Б, КТ! 18А, КТ118Б 2Т118В, КТ118В при Т=398 К 2Т!18А, 2Т1!8Б, КТ118А, КТ118Б .
2Т118В, КТ118В при гз = 20 мА, lв = 40 мА прн Т= 298 К 2Т! !8А, 2Т!18Б, КТ!18А, КТ1!8Б 2Т118В, КТ118В при Т= 398 К 2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б 2Т1!8В, КТ118В при у=2!3 К 2Т!18А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б . 2Т1 РВ, КТ118В Ток закрьыого ключа прн Узз = 30 В 2Т!18А, КТ118А и при Узз = 15 В 2Т118Б, 2Т!18В, КТ118Б, КТ1!8В не более при Т= 298 К при Т= 398 К прн Т= 2!3 К Напряжение на управчяющнх переходах при Т = 298 К и 1в = 20 мА ие более .
Асимметрия сопротивления открызого ключа при Т = = 298 К, зв = 40 мА, гз = 20 мА не более . Обратный ток коллектор-база 1, коллектор-база 2 при 7 = 298 К и 1/к = 15 В не более Время выключения транзисторной структуры прн Я» = = 1 кОм, зв = 20 мА, Ея„„= 5 В не более 02 мй 015 мв 1,2 мВ 018 мв 100 О„ 120 Ом бО Ом 70 Ом 20 Ом 40 Ом 40 Ом 80 Оч 50 Ом 80 Ом 01 мкА 5 мкА О,! мкА 1 В 20 '4 0,1 мкА 500 нс Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение управления между коллектором и базой транзисторной структуры при Якв ж 1О кОм Постоянное напряжение на закрытом ключе между эмиттерами при П яа — — 0 2Т118А, КТ118А 2Т118Б, 2Т!!8В, КТ!18Б, КТ118В Постоянное напряжение эмиттер-база транзисторной структуры 2Т! 18А, КТ! 18А 15 В 30 В 15 В 3! В !6 В 50 мА 25 мА 25 мА Примечание Пайка выводов допускается на расстоянии менее 3 мм от корпуса транзистора при температуре пайки бозее 523 К в течение времени не более 9 с Пайка произ,дигся паяльником мощностью не более 60 Вт и напряжением 12 В Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее мм от корпуса транзистора Допускается одноразовый изгиб вывола на расстоянии 3 мм с радиусом изгиба не менее 0,5 мм гя,рм г„Ои 1000 10000 100 1000 10 О Е 0 12 Г~~+Тця гиЯ 0 10 20 Тая~Тая, НЯ Зависимость сопротивления от- Зависимость сопротивления открытого кзюча от тока базы крытого ключа от тока базы 200 150 ез 100 Я1 Заая кия аясимость падения напряжена открытом ключе от тока базы О 05 1 15 2 ттг+-ке, мЯ 2Т1!8Б, 2Т!!8В, КТ118Б, КТ118В .
оянный ток коллектора ,с,санный ток каждого эмнттера . оянный ток кажлой базы оянная рассеиваемая мощность при Т = 2!3 — 383 К . при Т= 398 К . Теитовое сопротивление переход-окружаю ая да, Температура окружающей среды !00 мВт 62,5 мВт 0,4 К/мйт От 2!3 до 398 К 2Т118А-1, 2Т118Б-1 Транзисторы кр мниевые кснально плп двух,нттерные кчвчательные маломощные Предназначены лля раб а огн в качестве модуляторов я гер. метизированной аппарату Бескорпусные с гибкимн м„ атуре выаодачи Выпускаются я сопроэо, эолитсльной таре Обозначение гиа гиаа приволится на этикетке Масса транзистора ие бщ, 0,03 г база 2 Эпагпгпер Лсллсптср Электркчесюге параметры 0,3 мВ 1 мВ 0,6 чВ 30 Ом 60 Ом 70 Ом !00 Ом 35 Ом 25 Ом 20 Ом 0,1 млА 5 мкА 1 В 20" 0,1 мьА 500 пс Прелельные эксплуатаппониые данные Постоянное напряжение управления межлу коллеьтороч и базой транзисторной структуры при 7!кь =!О кОч 15 В Падение напряжения на открытом ключе при = 0,5 мА, /к = 1,5 мА не более при Т= 298 К при Т= 358 К при Т= 2!3 К Сопротивление открытого ключа не более при та=30 мА, 0!=15 мА при Т= 298 К при Т= 358 К, при Т= 2!3 К, при Та=2 мА, уэ=2 мА при Т= 298 К при Т= 358 К при Т= 213 К при гк 8 40 мА, !э = 20 мА Ток закрытого ключа при !Iээ = 30 В 2Т1!8А-1 и при !7ээ =!5 В 2Т1!8Б-! не более при Т = 298 К и Т = 213 К при Т= 358 К Напряжение на управляющих перехолах при Iк = 20 мА не более Асимметрия сопротивления открытого ключа при Тк = = 30 мА, уэ = 15 мА не более Обратный ток коллектор-база при !7кнэ = 15 В не более .
Время выключения прн 71„= 250 Ом, бэ = 20 мА, Е„„, = = 5 В не более Постоя оянное напряжение на закрытом ключе между эмиттерами прн ~/упр = 0; 2Т118А-1 2Т118Б-1 П стоянное напряжение эмиттер-база транзисторной Посто структуры ' 2Т118А-1 2Т118Б-1 П стоянныи ток каждого эмиттера, Постоянный ток каждой базы Постоянный ток коллектора Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Вмпульсная рассеиваемая мощность коллектора при т с500 мкс, Дж2 и Т=298 К. ти Температура окружающей срелы 30 В 15 В 31 В 16 В 25 мА 25 мА 50 МА 30 мВт 50 мВт От 213 до 358 К КТ119Ау КТ119Б Транзисторы кремниевые пднопереходные с базой и-типа переключательньуе Прелиазначены для работы ' составе гибрианых пленочных "якросхем, модулей, узлов н блоков радиоэлектронной герметкзированной аппаратуры Бескорпусные с гибкими выполами Масса транзистора не более 801 г р,т .! йй ф 8,89 база! база2 йиипулкер 5 Поиупроподнпкопыс приборы П Р и м е ч а н и е Монтаж транзисторов осуществляется приклейкой к теплоотводящей поверхности Допускается лайка или сварка выводов на расстоянии не менее 2 мм от транзистора Темперауура припоя не должна превышать 533 К Допускается пайка выволов на расстоянии 0,5 мм от транзистора при температуре припоя не более 423 К Время пайки не оолее 2 с Не допускается прикладывать к выводам вращающих усилий Допускаетсв изпуб выводов на расстоянии не менее 2 мм от транзисуора с радиусом закругления 1,5 — 2 мм При изгибе необходимо обеспечить неполвижность участка вывода между местом изгиба и транзистором При монтаже допускается обрезать выводы на расстоянии не менее 2 мм от транзистора При обрезке усялие не должно передаваться на место приварки вывода к кристаллу Электрические параметры Ток включения при гтязк, = 10 В Межбазовое сопротивление при Уьзы = 1 мА .
Максимальная частота генерации не менее . Напряжение насыщенна при ~lьэв, = !О В,/э = 10мА. Коэффициент передачи КТ119А КТ119Б Обратный ток эмиттерного перехола при !/эвз = 20 более . 1-6 млА . 4-12 «О„ 200 крц 2,5 В 0 5-0,65 0,6-0,75 В не 0,001 иА Пределыгые эксплуатационные данные Амплитуда тока эмнттера при среднем токе не более 1О мА, тх к 1О мкс.......... ° ° ° 50 мА ПостоЯнный ток змиттеРа а откРытом состоЯнии...
10 мА Напряжение межбазовое любой формы и периодичности . Обратное напряжение эмиттер-база . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т= 308 К.............. 25 мВт при Т= 353 К.............. 7 мВт Общее тепловое сопротивление . . . . . . . . . . 3 К/мВт Примечание Монтаж транзистора в модуль должен осуществлятъся в условиях микроклимата при Т= 228 — 353 К Пайку выводов допускается производить на расстоянии не менее ! мм от края защитного покрытия при температуре не более 373 К 20 В 20 В ппп 5ПП ,Ф и н оз Х 7 арпа гпп гпп !пп П !П гП ЗП 4ПТ,„, ,мл ггг ггг г!г У, Зона возможных положений ий зависимости предельной час частоты генерации от температур ы Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения от максимального тока эмитгера й1 4 0 о ггб г23 358 т,К ггВ 223 ЛВ т,д Зона возможных положений зависимости тока включения от температуры.
3 яа возможных положений ва„сил~ости тока выключения от температуры КТ120А, КТ120Б, КТ120В Транзисторы кремниевые зпитаксиазьно-планарные р-л-Р малочощные нггзкочастотные. Предназначены лля рабагы в усилительных и импульсных микроиодулях и блоках герметнзированной аппаратуры. бескорпусные, без кристаллелержателя, с защитным покрытием лаком, с гибкими выэолами. Транзистор КТ120Б ! предназначен для диолного ь.
! включения, поэтому допускается Ф выпуск без змиттерного вывода. Обозначение типа приволится на сопроводительной таре. Масса транзистора не более Еаза лйллехтер зиилзжер 0,02 г Электрические параметры Граничная частота коэффипиента передачи тока в схеме с общей базой при Ц<в = 5 В, (з = ! мА КТ!20А, КТ120В ие менее ~онрфипиент передачи тока в режиме малого сигнала при бг~~ = 5 В, У~ = ! мА' при Т= 298 К КТ!20А КТ120В .
при Т= 338 К КТ!20А, КТ!20В прн à — 263 К КТ!20А КТ!20В Нап "Ржкение насыщения коллектор-змиттер при ув = = 0,6 мА не более: при Ук = !О мА КТ!20А пРи Ук = 17 мА КТ!20В . ! МГп 20 - 200 20-480 10 — 200 0,5 В 2 В Емкость коллектоРного пеРехода пРи Гэкн = 5 В, Г= = 3 МГц КТ120А, КТ!20В не более...... 5 нф Обратный ток коллектора не более: прн !гка = 60 В КТ120А...... °... 0,5 мкд при Укв = 30 В КТ120Б..... ° °... 0,5 м«А Обратный ток эмиттера при Уаэ = 10 В КТ120А, КТ!20В . ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° 1 л~кА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение холлектор-база: КТ120А, КТ120В .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
