sprav_tranzistor (529834), страница 17
Текст из файла (страница 17)
ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Ж, 1 Т109И ГТ109Д ГП09Е ффнциент перелачи тока в режиме малого сигнала прп гг!гь — - 5 В, Уэ = 1 мА: при Г=298 К ГТ109А, ГТ109Ж, ГТ109Б ГТ109В ГТ109Г ГТ109Д ГТ109Е ГТ109И при Т = 328 К не менее ГТ109А, ГТ!09Д, ГТ!09Ж, ГТ109И . ГТ109Б ГТ109В ГТ109Г ГТ109Е при Г = 228 К: ГТ109А, ГТ109Ж . ГТ109Б ГТ109В ГТ109Г ГТ109Д ГТ109Е ГТ109И Обратный ток коллектора не более: пРн икь=5 В Гт!09А, Гт!09Б, Гт1О9В, Гт1О9Г, ГТ109И, ц ггкь= 1,5 В. ГТ109Д ГТ109Е, ГТ109Ж .
Обратный ток эмиттера не более: поц ггэь = 5 В ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В ГТ109Г П!09Ж, ГТ109И при (/эь =- 1 5 В ГТ109Д п Сг„= 1,2 В Гт109Е . Емко кость коллекторного перехода при Г= 465 кГц не более при бгк~ = 5 В ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Ж ГТ109И .
К пр !укь=12 В ГТ109Д ГТ109Е Коэфф ффнциеит шума при !Гкь = ! 5 В ~э ! = 1 кГц не более Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база . Импульсное напряжение коллектор-база при т» к н 1О мкс Постоянное напряжение коллектор-эмиттер прн йэв к с 200 кОм . Постоянный ток коллектора . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 248 — 293 К при Т= 328 К Температура перехода Температура окружающей среды 10 В !8 В 6 В 20 мА 30 мйт 13,8 мВ» 353 К От 228 до 328 К ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д База Кедаеята7г Знаттер Электрические параметры Граничная частота коэффициента перслачи тока в схеме с обшей базой при !/кк = 5 В, /э = 5 мА не более .
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при гукк = 1 В, уэ = 25 мА, у = 270 Гц ГТ1!5А, ГТ!15Б . ГТ115В, ГТ115Г . ГТ115Д Обратный ток коллектора ве более' прп 47кн = 20 В ГТ115А, ГТ115В, ГТ115Д . прн Окк = 30 В ГТ115Б, ГТ!15Г Обратный ток эмиттера при !Уэк = 20 В не более . 1 МГц 20 — 80 60-150 125 — 250 40 мхд 40 мкА 40 мхд 118 Транзисторы германиевые сплавные р-изр маломощные Предназначены для работы в качестве усилительного элемента в радиолюбительских конструкциях Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гиблими выводами Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 0,6 г 1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1ТМ115В, 1ТМЦ5Г, 1Т115А, 1Т115Б, 1Т115В, 1Т115Г Транзисторы гермаииевые маломощные сплавные р-и-р Предназначены лля работы в усилительных и нмпучьсных мик,модулях зтажерочной конструкции Выпускаются в металлостеклянном корпусе на керамической щате б)ТМ!15А — 1ТМ115Г) н с гиблими выводами (1Т1!5А— 133!5Г) Обозначение типа приводится на корпусе транзистора Масса транзистора на керамической плате не более 0,8 г, с гибкими выводами не более 0,5 г база 2 ТБ База ХехлгчтЗР НН115А 1ТМ1156 1ТМ1156 1ТМ115Г Змиттер Кеяягятзр 1Т115А, 1Т1156, 1Т1156, 1Т115Г Электрические параметры 1 МГц 20-60 50 — 150 200 мВ !50 мВ Предельные эксплуатационные данные нное напряжение коллектор-база По 3я! !5А, ГТ115В, ГТ!15Д ГТ115Б, ГТ1! 5Г .
ячное напряжение амит гер-база . Постояч Псстояни яниая рассеиваемая мощность котлектора . Посто оянный ток коллектора Темп пература перехола Тецпер , перазура окружающей среды Г Раипчиая частота коэффициента передачи тока в схеме общей базой при бзик = 5 В, Тэ = 5 мА ие менее . йезфл е-ттппиент передачи тока в режиме малого сигнала "Ри бзик = 1 В, /э = 25 А 1ТМ1!5А 1ТМ1!5В !Т1!5А, !Т!15В 1ТМ115Б, 1ТМ1!5Г, !Т!15Б, !Т115Г Нап Ранение насыщения колчектор-эмиттер при Тк = = 100 мА, Тк = 20 мА не более !ТМ1!5А, !ТМ!15В, !Т1!5А, 1Т!15В .
!ТМ!15Б, 1ТМ!15Г, !Т115Б, 1Т115Г, 20 В 30 В 20 В 50 мВт 30 мА 343 К От 253 ло 318 К 15 В 50 пь 20 пф "5 ~с -э чкс чО В 15 В 50 чкА кО чкА Обреж иыи ток ззшт~ера прп ггэь = 50 В ис более... 50 чкА 50 В 70 В 40 В 55 В 50 В 70 В чО В !ОО чА 20 чА Постоянный ток базы Течпература перекопа 120 Напряжение насышсния зчпттер-оаза при !к = 100 «А, уь = 20 чА не более . Ечкость кол чекториого перекопа при Ск„= 5 В, 7 = = 465 кГц ие бозее Ечкость эчиттерпого перекопа прн Оэь — 5 В, Т= =- 465 кГп не бо зее Постоянная врсченн пепи обратной связи прп Пкь .= = 5 В, уэ = 1 «А. 7 = 465 кГд не более .
Время рассасывания при !Iкь = 15 В, 1к = 20 «А цс более . Граничное напряжение прн Iэ = 10 «А 1ТМ115А. 1ТМ1!5Б, 1Т115А, 1Т115Б 1ТМ115В 1ТМ115Г, 1Т115В, !Т1151 Обратный ток ко гчектора не бо зее при Окв = 50 В, Т= 213 — 293 К 1ТМ!15А 1ТМ!15Б 1Т1!5А, 1Т115Б при тука = 70 В У = 213 — э91 К 1ТМ1!5В 1ТМ115Г, !Т115В, 1Т115Г Преле ~ьные эксплуатационные данные Постоянное напряжение кочлектор-база 1ТМ115А, 1ТЧ115Б, 1Т115А, 1Т115Б 1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1Т1!5В, 1Т1151 Постоянное напряжение козчекгор-эчиггср при эзэь < и 500 Ом 1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1Т115А, 1Т115Б . 1ТМ115В, 1ТМ!15Г, !Т115В 1Т!15Г . Ичпу ~ксиве иапряжегггге козлектор-зчиттер 1ТМ115А.
1ТМ115Б. 1Т115А, 1Т115В . 1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1Т115В, 1Т115Г . Посчоянное напря кение эчитзер-база Постоянный ток коллектора Постоянная рассеиваечая чошность коз чектора при Т: — 213 — 328 К нри Т= 346 К Течперат>ра окру.,канпдей срелы 50 «Вт О зВг 358 К Оз 213 зо 346 К гггтз лггз гоо уело уго во гуг гог гог ггг т,к г!3 г53 гог ггг т, к Зона возмо кных почажений зависимости коэффициента передачи тока в режиме малого сигнаал от температуры Зона возможных положений зависимости коэффицпентл передачзз тока в ре киме малого снгиада ат температуры 1Т116А, 1Т116Б, 1Т116В, 1Т116Г Транзисторы германиевые сптавиые р-л-р перел цокающие мачомощные Предназначены лля рабаты в формирователях и усилителях ампульсов, мультивибраторах и других перекчючающих схемах Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 2 г ео О ф4,2 Иоллентер база ,9маннпер Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при гГКЭ вЂ” — 10 В, 1к = 100 мА, т„= 10 мкс, й'> 50 при Т= 293 К !Т116А, !Т!16Б, !Т116Г .
!Т116В при Т = 213 К и Г = 343 К 1Т116А, 1Т116Б, !Т116Г О 1Т116В рема нарастания при 6гкв = 12,6 В, !гаэ = 0,3 В, "н = 1,5 — 4 мкс, У'= 30 кГц 15-65 20-65 12-80 16- 80 121 при Яьэ = 51 Ом 1Т1!6А, 1Т!16Б 0,28-0,63 мкс прп Якэ = О, !О, 27 Ом 1Т!16В, !Т116Г 028-063 мкс Время спада при 6ткь =!2,6 В, !7кэ = 0,3 В, т„= = 1,5 + 4 мкс, 7= 30 кГц: при 77кэ = 5! Ом 1Т1!6А, !Т1!6Б при 7твэ = О, !О, 27 Ом !Т116В, !Т116Г Граничная частота коэффициента перелачи тока в схеме с общей базой при !ткк = 5 В, ук =! мА не менее . Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 1к = = 150 мА, 1ь = 30 мА не более Обратный ток коллектор-эмиттер прп тако = 15 В, 67ьэ = 0,5 В не более: при Т= 293 К прн Т= 343 К 0,6-2 мкс 0 6-2 мкс 1 МГц 0,25 В 30 мьА 200 мкА Предельные экснлуатацноиные ланиые Постоянное напряжение коллектор-эмиттер прн Яьэ и я 550 Ом Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при 77ьэ К с 550 Ом, т„< 5 мкс Импульсное напряжение эмиттер-база при тч ц 5 мкс.
Импульсныи ток кодлектора при тч ц 5 мкс, Д э 6; при Т = 213 —: 293 К . при Т= 333 К . при Т= 343 К Постоянный ток коллектора при Т = 293 К Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при Т = 213 †: 308 К . при Т= 343 К Температура перехода Температура окружающей среды 15 В 30 В !8 В 300 мА 250 мА 150 мА 50 мА !50 мВт 75 мВт 358 К От 213 до 343 К 110 0,г ~ 0ГБ 80 70 00 0,10 г15 г73 533 т,к Зона возможных положений зависимости напряжения насышеиия коллектор-эмнттер от температуры, 50 г!3 г73 ххг т д Зона возможных положений зависимости входного сопро" тивления от температуры.
122 2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г, КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г Транзисторы кремниевые пзанариые олнопереходные с и-базой Прелназвачены лля работы в маломоглных генераторах Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе 8!асса транзистора ис ботса 0,45 г йбда фг,б 7-гмалгаге7г 2-бага 7 У-бага 2 Электрическве параметры Коэффициент передачи напряжения при !Гв!кз = 10 В прн Т= 298 К 2Т117А, 2Т1!7В, КТ117А, КТ117В 2Т117Б, 2Т!!7Г КТ117Б, КТ!!7Г .
при Т= 343 К 2Т117А, 2Т117В, КТ!17А, КТ117В 2Т117Б 2Т117Г КТ!17Б, КТ!17Г при Т= 213 К 2Т1!7А, 2Т!17В, КТ117А, КТ1!7В 2Т117Б, 2Т117Г КТ117Б, КТ!17Г . Т ок включениЯ эмиттеРа пРи бзк,вз =!О В не более Т ок выключения эмиттера при 6!к,кз = 20 В не менее Остаточное напряжение эмиттер-база нс более при Т = 213 — 298 К при Т= 343 К уэ = 1О мА 2Т!17А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г при Т = 343 К !э = 50 мА КТ1!7А, КТ117Б, КТ!17В, КТ117Г .
0,5-0,7 0,65 — 0„85 0,65 — 0,90 0,45-0,7 0,6-0,85 0,6 — 0,8 0,6 в 0,9 0,5-0,8 0,65-0,9 0,65 — 0,95 20 мкА ! мА 5 В 4 В 4 В Межбазовое сопротивление: при Т = 298 К: 2Т117А, 2Т117Б 2Т!!7В, 2Т117Г КТ!17А, КТ117Б . КТ1!7В, КТ1!7Г . при Т = 343 К: 2Т117В, 2Т!17Г КТ117В, КТ!17Г . при Т = 2!3 К: 2Т1!7В, 2Т!!7Г КТ!!7В, КТ117Г . Температурный коэффициент межбазового ния Наибольшая частота генерации Обратный ток эмиттера при !та!кз = 30 при Г= 298 К при Т= 398 К Ток модуляции не менее .
4-7,5 кО 0-9 ко, 4-9 кО 8 !2ьО б-!5 кОч !" кОч 85 кОм . 4-!2 кОм сопротивле- . 0,1-0,9;,78 200 кГц В не более: 1 мкА 10 мкА !О мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное межбазовое напряжение . Постоянное напряжение база 2-эмнттер . Постоянный ток эмигтера Импульсный ток эмнттера прн т» с !0 мкс, Д > 200 . Постоянная рассеиваемая мощность эмиттера: при Т= 213 + 308 К. при Т= 398 К . Температура перекопа Температура окружающей среды 30 В 30 В 50 мА 1 А 300 мВг !5 чВт 403 К От 213 ло 398 К «3 мг го 70 813 253 г93 333 г 124 273 253 293 333 373 913 Т,х' Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения база-эмиттер от температуры. Зона возможных положений й за. и от висимости тока молуляцви температуры.
'т 70 5 8 х я 4 2д 253 293333 323 413тй г!3253 293333323 413тК Зона возможных положений зависимости тока выключения от температуры. 3 на возможных положений завнсгкмости тока включения от температуры. 1Т118А, 2Т11ЯБ, 2Т118В, КТ118А, КТ118Б, КТ118В Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные лвухэмиттервыс р-л-Р переключательные маломошгкые. Предназначены для работы в схемах модуляторов.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
