sprav_tranzistor (529834), страница 21
Текст из файла (страница 21)
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при 1/кэ = ! В, 1н = 30 мА при Т= 298 К КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л КТ209Б. КТ209Д, КТ209И, КТ209М КТ209В, КТ209Е . КТ209К при Т= 373 К КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М . КТ209В, КТ209Е .
КТ209К прн Т=- 228 К КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М КТ209В, КТ209Е . КТ209К Иапрямение насыщения коллехтор-эмиттер при 1к = = 300 мА, 1к = 30 мА нс более Вапряжение насыщения база-эмнттер при 1к = 300 мА, 1н = 30 мА не более 5 МГц 5 дБ 20 — 60 40 — ! 20 80-240 80 - 160 20- 120 40-240 80-480 80- 320 10 — 60 20-! 20 40-240 40 — 160 0,4 В 1,5 В 145 Емкость коллекторного перехода при 7/кв =!О В, Г= = 500 кГц не более.....
° ° ° ° ° ° ° 50 пцз Емкость эмнттерного перехола при Пзв = 0,5 В, = 1 МГц не более....... ° 100 пф Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером* при 77кэ — — 5 В, ук = = 5 мА . . . . . . . . . . . . . . . . 130- 2500 13м Обратный ток эмнттера при Уэк = !зэкам, не более 1 мкА Прелельиые эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база прн Т = 298 — 373 К: КТ209А, КТ209Б, КТ209В КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е КТ209Ж, КТ209И, КТ209К . КТ209Л, КТ209М .
при Г= 228 К КТ209А, КТ209Б, КТ209В КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е КТ209Ж, КТ209И, КТ209К . КТ209Л, КТ209М Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Явэ < с !О кОм при Т= 298 — 373 К КТ209А, КТ209Б, КТ209В КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е КТ209Ж, КТ209И, КТ209К . КТ209Л, КТ209М . при Т= 228 К: КТ209А, КТ209Б, КТ209В КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е КТ209Ж, КТ209И, КТ209К . КТ209Л, КТ209М . Постоянное напряжение эмиттер-база: прц Т= 298 — 373 К' КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М . при Т = 228 К: КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М .
Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора . Постоянный ток базы . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора . Тепловое сопротивление переход-срела . Температура перехола Температура окрузкагощей среды 146 15 В 30 В 45 В 60 В ГО В 25 В 40 В 55 В 15 В 30 В 45 В 60 В 10 В 25 В 40 В 55 В 10 В 20 В 10 В 15 В 300 мА 500 мА 100 мА 200 мВт 0.15 К1мйт 398 К 43т 228 до 373 К КТ210А, КТ210Б, КТ210В 0!25 0,04 Эмилппер Ксллектер база 45 ПО Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при !1кв — — 5 В, 1э = 1 мА ие менее . Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при ГГкк = 5 В, 1э = 1 мА КТ210А, КТ2!ОБ .
КТ210В Напряжение насыщения коллектор-эмнттер при 1к = =10 мА, 1к = 1 мА пе более Напряжение насыщения база-эмиттер при 1к = 10 мА, 1ь = 1 мА не более ОбРатный ток коллектоР-эмиттеР пРи Укэ = Гткэ „„„„ 11эк = 10 кОм не более . ОбРатный ток эмпттеРа пРи Гтэв = 10 В не боаее . Емкость кочлекторного перехода при Укв = 5 В, /'= = 3 МГц не более Емкость эмиттерного перехода при 2тэк = 0,5 В, = 5 МГц не более 10 МГц 00-240 40-120 0,5 В 1 В 1О мкА 5 мкА 25 пФ 1О пФ Прелельные эксплуатационные данные !1остоянное напряжение коллектор-база КТ210А КТ2!ОБ КТ210В 15 В 30 В 60 В Транзисторы кремниевые эпитакснально-планарныс р-л-р низко- част стотные усилительные маломощные Бескорпусные с твердьцеи выводами Обозначение типа приво одится па таре Масса транзистора не более 0,005 г Постоянное напряжение коллектор-змиттер прн Яэв И с 10 кОм: КТ2!ОА КТ210Б КТ210В Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при у=308 К.
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при Т= 308 К Тепловое сопротивление переход. среда Температура перехола Температура окружагощей среды 15 В 30 В 60 В 10 В 20 „А 40 мА 25 мВт 40 мВт 3 К!мВт 398 К От 213 до 358 К КТ211А-1, КТ211Б-1, КТ211В-1 ау Транзисторы кремниевые эпитакснально-планарные р.л.р с нормированным коэффнцнен. том шума. + Предназначены для приме.
пения во входных каскадах, ма. лошумящих усилителях, в герметизированной аппаратуре, чг Бескорпусные, без кристалч. 0 о лолержателя, с защнтным поп Е ° ег к крытием яаком, с гибкими выж Е водами. Обозначение типа прин ~к Е!0.09 волнтся на возвратной таре. Масса транзистора не более 0,01 г. Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при 1гкь = 5 В, !к = 1 мА не менее................... 10 МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмнттером при сГка = 1 В !э= 40 мА: прн Т=298 К: КТ211А-1 ...,...,,...., .
40 — 120 КТ211Б.!...,....,....... 80-240 КТ21!В-1 .. „...,......... 160-480 при Т= 398 К: КТ211А-1 КТ211Б-1 . КТ21!В-1 . при Т= 213 К: КТ211А-1,,...,...,..., . 20 — 120 40- 200 80- 400 160-800 148 40-240 80-480 КТ211Б-1 . КТ21!В-! . К зффнпиент шума прн сзкв = 5 В, уэ = 40 мА, / = 1 кГп, зтг = 1О кОм ие более Обратный ток коллектора при 1/кв = ! 5 В не оолес . бмкость коллекторного перехола при бкв = 5 В, != =!О МГп нс более бмкость эмиттерного перехода при 1тэв = 0,5 В, = 10 МГп не более 3 лБ 10 мкА 20 пф 15 пФ Предельные зксплуатаиионные данные Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора . Вмпульсный ток коллектора при т» с!О мкс, Д в л !О Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: прн Г = 213 — ' 308 К при Т= 398 К Вмпульсная рассеиваемая мощность коллектора при ! тчс10 мкс, Дл!0 Температура перехода Температура окружающей среды . 15 В 5 В 20 мА 25 мВт 5 мВт 50 мВт 423 К От 213 до 398 К П р н и е ч а н и е При монтаже транзисторов в минросхему должны быть принягы меры, исключающие нагрев кристалла более 423 К.
Прн монтаже транзисторов нс допускается изгиб выводов на расстоянии менее 0,5 мм от места выхода из защитного покрытия Пайка и сварка выводов допускается на расстоянии более 1 мм от места выхода вывода из защитного покрытия 1>г ц 500 г„.,дБ 5 9ОО уоо гоо 1оо г13 г93 гуг гогги игу,к Зона возможных положений зависимости коэффипиента шума от температуры.
г!г г93 гуггог ггг гп Г,н Зона возможных положений зависимости статического коэффипиента передачи тока от температуры. 149 йг!э !5О йг!э г5п !го гоо 150 !по го г!з гуз гзз Г,к Зона возможных положений за. висимости статического коэффн. циента перелачи тока от температуры. Зона возможных пояожений зависимости статического коэффициента передачи тока от температуры. КТ214А-1, КТ214Б-1, КТ214В-1, КТ214Г-1, КТ214Д-1, КТ214Е-1 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-я-р маломощные универсальные.
Предназначены лля непользования в ключевых и линейных гибридных схемах, микрамодулях, узлах и олоках радиоэлектронной герметичной аппаратуры. Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами, с зашитным покрьпием. Обозначение типа приводится на возвратной таре. Масса транзистора не более 0,01 Электрические параметры Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала: при гтэв = 5 В, гэ = 1О мА не менее: КТ214А-1 КТ2!4Б-! . КТ214В-1 . КТ214Г-1 . при !Гкв = 1 В, гз = 40 мкА не менее: КТ214Д-1 КТ214Е-1 . 20 30-90 ,10 120 40 — 120 80 40 „„,кение насыщения коллектор-эмиттер при ук = !О мд„!к = 1 мА КТ214Д-1, КТ2!4Е-1 пе более .
!!апра ,яженне насыщения база-эмиттер при lк = 10 мА, мА КТ214Д-1. КТ214Е-1 не более гв ~апряженне насыщения эмнттер-коллектор при Iа = ! мА, 7 = О КТ214Д-1, КТ214Е-! . lэ = 0,6 В 1,2 В От 0,7 ло 2,5 мВ 8 одное сопротивление в режиме малого сигнала !1„=5 В, уэ=2 мА, у=800 Гн при От 1,2 до 1О кОм 2,5' кОм типовое значение Емкость коллекторного перехода при Пкк — — 10 В, у'= =500 крн................ 9,5-50 пФ типовое значение............, . 12 * пФ Обратный ток коллектор-эмиттер при Лвэ = 10 кОм, ггкэ = 30 В, Т = 358 К ие более....... 1 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер: КТ2!4А-1, КТ214Б-! КТ214В-1 КТ214Г-1 КТ2 ! 4Д-! КТ214Е-1 Постоянное напряжение эмиттер-база: КТ2!4А-1 КТ214Б-1, КТ2140-1, КТ214Г-1, КТ2!4Д-! КТ2!4Е-1 Постоянный ток коллектора . Илгпульсный ток коллектора при т» и 10 мс, Э!ОО.
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при Т= 298 К . прн Т= 358 К Температура перехода не более Тепловое сопротивление переход-кристалл . Температура окружагошей среды 80 В 60 В 40 В 30 В 20 В 30 В 7 В 20 В 50 мА дл 100 мА 50 мВт 20 мВт 398 К 0,1 К/мВт От 233 до 358 К П р и м е ч а н и е. допустимая температура монга гнбРндные схемы не лолжна превышать 433 К жа транзисторов в течение 30 с. 151 Емкость эмиттерного перехода при !7эв = 0,5 В, у'= -500 ьГн..........,...., .9,6 — 100 пФ типовое значение..............
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
