sprav_tranzistor (529834), страница 16
Текст из файла (страница 16)
обратный ток змиттера не более: при Т= 293 К: МП1!4, МП115 при г/эь = 10 В ° МП116 прн 1/эь = 5 В при Т= 373 К: МП1!4, МП115 при 1/эь = 10 В МП! 16 при 1/эь = 5 В прн Т= 393 К: МП104, МП105 при !/э~ — — 10 В МП106 при !/эь = 5 В Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общей базой при /э = 1 мА, /'= 1 кГп нс более: МП104, МП114 прн !/кь = 50 В . МП105, МП115 при !/кц = 30 В . МП106, МП!!6 при У~ь = 15 В Сопротивлснпе насыщения коллектор-змиттер при !/кэ = = 20 В, /ь = 4 мА МП!05, МП1! 5 не более .
9 — 45 !5-100 7 10 9 15 70 В 40 В 20 В 1О мкА !О мкА !О мкА 400 мкА 400 мкА 400 мкА 400 мкА 400 мкА 400 мкА ! мА ! МА 1 мА 1О мкА !О мкА 200 мкА 200 мкА 200 мкА 200 мкА 300 Ом 300 Ом 300 Ом 50 Ом 109 Прелельные экснлуатаниониые даяиые Постоянное напряжение коллектор-база. при Т = 218 †' 343 К: МПП4 МПП5 МП116 прн Т= 213 —: 348 К; МП104 МП105 МП106 при Т= 373 К МП114 МП!15 МП!16 прн Т= 393 К; МП104 МП105 МП!06 Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при 77эя < с2 кОл: при Т = 218 — 343 К: МП114 МП115 МП116 при Т= 2!3-: 348 К: МП!04 МП 105 МП106 при Т= 373 К; МП114 МП115 МП! 16 при 7'= 393 К: МП! 04 МП105 МП106 Постоянное напряжение эмиттер-база; МП!04 МП105 МП!06, МП114, МП115, МП116, Постоянный ток коллектора .
Импульсный ток коллектора при тя с 10 мкс, Д л 1О Срелнее значение тока эмиттера в импульсном режиме МП104, МП105, МП106 Постоянная рассеиваемая мощность: при Т Н 343 К МП114, МП115, МП116 при Тп 348 К МП104, МП!05, МП106 прн Т= 373 К МП114, МП115, МП!16 прн Т= 393 К МП104, МП105, МП106 110 60 В 3О В 15 В 60 В 30 В 15 В 30 В 15 В 10 В 30 В 15 В 10 В 60 В 30 В 15 В 60 В 30 В 15 В 30 В 15 В 10 В 30 В 15 В 10 В 30 В 15 В !О В 1О мА 50 МА 10 мА 150 мВт !50 мВТ 60 мВт 60 мВТ Температура окружающей срелы: МП104, МП!05, От 213 до МП!06.... 393 К МП114, МП115, МП116 2,0 1,0 тп 1Б д 1,4 1,2 От 218 до 373 К 1,0 О,В О Б Ч Б Б ТОЕЗ,мА Зависимость относительного коэффипиента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттеро 2ТМ104А, 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2ТМ104Г, 2Т104А, 2Т104Б, 2Т104В, 2Т104Г Транзисторы кремниевые зпитакснально-пленарные р-и-р маломошные Предназначены для работы в усилительных и нмпучьсных микромолулях залитой и капсулированной «оиструкции Выпускаются в метадлостеклянном корпусе на керамической плате 12ТМ104А — 2ТМ!04Г) и с гибкими выводами (2Т104А — 2Т!04Г) Обозначение типа приводится в корпусе транзистора Масса транзистора на керамической плате не более 0,8 г, с шибкими выводами не более 0,5 г Змитто 2,75 коааокто Кааооктоо База Змкттоо 2ТМ1044,2ТМ104Б 2ТМ1040,2ТМ10ОГ 2710ОЛ,БТ10ОБ,271040,2М04Г Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с обшим эмиттером при Тгкв= 5 В, Тз — — 1 мА не менее Статический коэффипнент передачи тока в схеме с обшим эмиттером при Тука = 1 В, Тз = 10 мА 2ТМ104А, 2Т104А 2ТМ104Б, 2Т! 04Б 2ТМ104В, 2Т104В 2ТМ104Г, 2Т! 04Г 5 МГц 7 — 40 15-80 ! 9 — 160 10 — 60 ПП Напряжение насыщения коллеьтор-эмиттср при зк =- 1О мА не более при !в = 2 мА 2ТМ104А, 2Т104А прн зь = 1 чА 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2ТМ104Г, 2Т!04Б, 2Т104В, 2Т104Г Напряжение насыщения эмиттер-база при 1к =.
10 мА не более при Уь = 2 мА 2ТМ!04А, 2Т104А при ть = 1 мА 2ТМ104Б, 2ТМ!04В, 2ТМ104Г, 2Т!04Б, 2Т104В 2Т!04Г Емкость коллекторного перехола при !ткь = 5 В, у = = 3 МГп ие более Емкость эмищерного перехода при Уэь=0,5 ВД= 10 МГп не более Обратный так коллектора при 7 = 213 — 298 К не более при гзкв = 30 В 2ТМ! 04А, 2ТМ! 04Г, 2Т!04А, 2Т104Г при 1зкв = 15 В 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2Т!04Б, 2Т!04В Обратный ток змитгера при 1lэв = 10 В, Т= 213— — 298 К не более О,т В 0,5 В 1 В 1 В 50 пф 10 пф 1 мкА 1 чкА ! мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база и коллекторэмиттер при Кэв Е 10 кОм или Вьэ = 0,5 В при Тк348 К 2ТМ104А, 2ТМ104Г, 2Т!04А, 2Т104Г . 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2Т!04Б, 2Т104В . при Г= 398 К 2ТМ104А, 2ТМ104Г, 2Т104А, 2Т104Г .
2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2Т104Б, 2Т104В . Постоянное напряжение эмиттер-база при Те 348 К при Т= 398 К Постоянный ток коллектора при Тк 348 К при Т= 398 К Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т и ЗЗЗ К при Т= 398 К Общее тепловое сопротивление . Температура перехода Температура окружающей среды 30 В 15 В 20 В 10 В !О В 5 В 50 чА 30 мА 150 мВт 41,6 мВт 06 К!мйт 423 К От 2!3 до 398 К Рк„,„, = (423 — 7)/0,6 1!2 П р и меч а н не Максимально допустимая постоянная расее"в еявае мая мощность коллектора, мВт, при Т = 333 — 398 К опрелетя ляется по формуяе вггз зо вггз гоо бо бо во то гоз ззз гтг т,к вгтз 00 20 Кгтз тва 100 00 бо 2О 215 275 255 т, К а 5 10 15 2020~ил КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-л-р универсальные низкочастотные маломогнные лами йыпускаготся в металлостеклянном корпусе с гибкими вывоОбозначение типа приволится на корпусе О Го 20 тг ия Зависимость коэффипиента не,сдачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера Зоил возможных положений за.
вяснмости коэффициента пере лачи тола в режиме малого сны нала от температуры Зона возможных положений завнсичосги коэффициента перекати тока в режиме малого сигнала ог температуры Зона возчо.кных по юаений зависимости коэффициента перелачи тока в режиме малого сигнала от температуры 20 за гго гтз зго т, к Д 10 12 Зона возможных положений зависимости входного сопротивления от тока эмиттера Масса транзистора не более 5 г Яаллекжор Эмиеняея бава 02,6 Электрические параметры 5 МГн 3 нс 9 — 36 20-80 40-160 15-60 30 В 15 В 0,5 В 0,5 В 1 В 1 В 1 мкА 1 мкА 1 мкА 120* Ом 50 пФ 10 пФ Ем б Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при 6гкэ — — 5 В, йэ = 1 мА не менее .
Постоянная времени цепи обратной связи прн хlкв = =5 В, Уз=1 мА, Г=З МГц не бояее Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала прп бткв = 5 В, 2э = 1 мА КТ104А К Г104Б КТ104В КТ104Г Граничное напряжение не менее прн /э = 5 мА КТ104А, КТ!04Г прн 2э = 10 мА КТ!04Б, КТ104В Напряжение насыщения колчектор-эмиттер при Ук = = 10 мА не более при lв = 2 мА КТ104А при !в = 1 мА КТ104Б. КТ104В, КТ104Г Напряжение насыщения база-эмнттер при 7к =!О мА не более прп lк = 2 мА КТ!04А . при эв = 1 мА КТ104Б, КТ104В, КТ104Г Обратный ток коллектора не бояее прп 6 кк = 30 В КТ!04А, КТ104Г при (/кк = 15 В КТ!04Б, КТ104В Обратный ток эмиттера при сlэк = 10 В не более . Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером при 6ткк = 5 В, 2э = 1 мА, Г= 1 кГц Емкость коллектарного перехода при С!ив = 5 В не более .
кость эмиттерного перекопа при Уэк = 0,5 В не олее . 30 В 15 В ГТ108А, ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г Транзисторы германиевые спдавныс р-л-р маломощные. Предназначены для работы в усилительных и импульсных схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами, Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0,5 г. Ба К селект Электрические параметры Граничная частота коэффипиента передачи тока в схеме с общей базой при !гкв = 5 В, 1з = 1 мА ве менее: ГТ108А.....,...........
0,5 МГп П108Б, ГТ108В, ГТ108Г.......... 1,0 МГп ~озффиггиент передачи тока в режиме малого сигнала пвн !7кв = 5 В, 1з =! мА: пРи Г= 293 К: ГТ108А ГГ! 08Б ГТ108В ГТ108Г 20-50 35-80 60-130 110-250 Предельные зксплуатаииоииые даивме !!остоянное напряжение коллектор-база; КТ104А, КТ104Г . КТ104Б, КТ104В, Во тоЯнное напРЯжение коллектоР-змиттеР пРи Язк К 4 10 кОм: КТ104А, КТ104Г . КТ104Б, КТ104В . !!ос гоянное напряжение эмиттер-база . !7остоянный ток коллектора !!осгоянная рассеиваемая мощность . Общее тепловое сопротивление Температура перекопа Температура окружающей среды 30 В 15 В 10 В 50 мА 150 мВг 400 К1Вт 393 К От 213 до 373 К при Т= 328 К ГТ108А ГТ108Б ГТ108В ГТ108Г при Т= 243 К ГТ108А ГТ108Б ГТ!08В ГТ!08Г Обратный ток коллектора при Окк = 5 В не более при Т= 293 К при Т= 328 К Обратный ток змнттсра при 6/зв = 5 В не более .
Емкость коллекторного перехода при 1ткь = 5 В, у = = 1 МГц не более Постоянная времени цепи обратной связи при Окв = = 5 В, 1з = 1 мА, у"= 465 кГц не более . 20-100 35- 160 60-260 110-500 15-50 20-80 40 - 130 70-250 10 мкА 250 мкА 15 мкА 50 пФ 5 нс Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор. база . Импульсное напряжение коллектор-база при т„к к 5мкс. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т= 293 К при Т= 328 К . Полное тепяовое сопротивяение . Постоянный ток коллектора .
Температура перехола Температура окру,кающей среды 10 В 18 В 75 мВт 33,2 мВт 0,8 К1мВт 50 мА 353 К От 228 до 328 К ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Д, ГТ109Е, ГТ109Ж, ГТ109И Транзисторы германиевые сплавные р-л-р маломощные Предназначены дзя работы во входных каскадах усилнтезей низкой частоты Выпускаются в металчостеклянном корпусе с гибкими выволамн Обозначение тнпь приводится на корпусе Масса транзистора не более О 1 г 7-энаоггоер Р-коооеао!ор 3-оаэа Лраснан тонна 116 МГц 3 МГп 5 МГц 20- 50 35-80 60 -130 11О- 250 20 — 70 50 — 100 20-80 20 35 60 110 50 15 — 50 20-80 40-130 70-250 10 — 60 30-100 15 — 80 5 мкА 2 мкА 1 лэкА 5 мкА 3 мкА 3 МКА 30 пФ 40 пФ 12 дБ 117 Электрические параметры и„чная частота коэффициента передачи тока в схеме Грани с о общим эмиттером при ггкь = 5 В, 7э = 1 мА не менее: ГТ109А, ГТ109Б.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
