sprav_tranzistor (529834), страница 11
Текст из файла (страница 11)
при 1/кь = 10 В '11А, Т1Б п1зи 1/кь = 20 В Т2А, Т2Б, Т2В . Т2К при 1/кь = 30 В ТЗА, ТЗБ . при Т= 143 К при 1/кь = 1О В Т1А, Т1Б при 1/кь = 20 В Т2А, Т2Б, Т2В Т2К ри 1/кь = ЗО В ТЗА, тЗБ Обратный ток эмиттера не бочее прп Т= 298 К при 1/эь =- 5 В Т1А, Т1Б при 1/эь = 15 В Т2А, Т2Б, Т2В . Т2К. ТЗА, ТЗБ. при Т= 343 К при 1/эь = 5 В Т1А, Т1Б пРи Г/эь = 15 В Т2А, Т2Б, Т2В . Т2К.
ТЗА, ТЗБ . Емкость кочяекторного перехода прп 1/кь = 5 В, = 465 кГп не более Емкость эмиттерного перехода при Оэь = 5 В, =465 кГп не бачее 50 мВ при /к = кол- бо- 4,0 Ом 1,0 мкс 6,0 млА 7,0 млА 5.0 мкА 8,0 мкА 50 мкА 55 мкА 40 мкА 60 млА 6,0 мкА 7,0 мкА 5,0 мкА 8,0 мкА 50 мкА 55 мкА 40 мкА 60 мкА 18 пФ 18 пФ Предельные зксплуатапнонные данные Импульсное напряжение козлелтор-эмиттер Т1А, Т1Б Т2А, Т2Б, ТЗВ ТЗА, ТЗБ Постоянное напряжение коллектор-база Т1А, Т!Б Т2А, Т2Б, Т2В, Т2К, ТЗА, ТЗБ . Импульсное напряжение коллектор-база Т1А, Т1Б Т2А, Т2Б, Т2В, Т2К . ТЗА,ТЗБ.
70 7,0 В !5 В 20 В 70 В 14 В !О В 20 В 30 В П р и меч а пня ! При 298 К максимально допустимая рассеиваемая мощность, мВт, рассчитывается по формуле Р ям = (373 — Т)~йгя 2 Изгиб выводов дочжен производиться на расстоянии не менее 2 мм от стеклонзочятора ралиусом не менее 0,5 мм Число перегибов дочжно быть не более двух Пайка выводов транзисторов лолжна произволиться на расстоянии не менее 3 мм от с~еклоизолязоров припоем с температурой плавления (523-~- !О) К, С„па Я5 С„л~ 85 15 15 10 10 а г 4 5 В 100ха,в 0 г 4 5 В 100„,0 Зависимость емкости коллек~орного перехода от напряжения колдектор-база г„,пс 5000 4500 Зависимость емкости эмнттерного перехола от напряжения эмиттер-база 5000 1500 Зависимость постоянной времени пепи обратной связи от напряжения коллектор-база 0 г 4 5 В 100„„0 ТМ2А, ТМ2Б, ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2А, М2Б, М2В, М2Г, М2Д Транзисторы германиевые сплавные р-п-р универсальные низкочастотные маломощные Прелиазиачены ддя применения в усилительных, импульсных в переключающих каскадах низкой частоты в составе гибридных ищегральных микросхем залитой и капсулнрованной конструкннй.
7! Постоянное и импульсное напрюкение эмиттер-база Т!А, Т)Б Т2А. Т2Б, Т2В, Т2К. ТЗА, ТЗБ . Постоянный ток коллектора . Импульсный ток коллектора . Постоянная рассеиваемая мощность при Т с 298 К . Тепловое сопротивление переход-среда . Температура р-и перехода Температура окружающей срелы 5гб В !5 В 50 мА !50 мА !00 мВт 0,8 К)мВт 373 К От 213 ло 343 К Выпускаются в металлостеклянном корпусе на керамической плате (ТМ2А, ТМ2Б, ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д) и с гибкими выводами (М2А, М2Б, М2В, М2Г, М2Д) Обозначение типа приводится на корпусе Масса ~ранзистора на керамической плате не более 0,8 г, с гибкими выводами не более 0,5 г 9,9 гм2а,гм2б, тм2б,тм24 ГВ 2 б И225 база Кала Эмим Мга, М25, Мгб, МЭГ, МЭД Электркческне параметры 1)редельная частота козйгфициента перелачи тока при Ока= 5 В, (з= 1 мА не менее ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б .
ТМ2В, ТМ2Г М2В, М2Г ТМ2Д, М2Д Постоянная времени цепи обратной связи при (Зкв = =5 В, (з=! мА,у'=5 МГп не более ТМ2А, ТМ2Б, ТМ2В, М2А, М2Б, М2В . ТМ2Г, ТМ2Д, М2Г, М2Д . Стагический козффипнент передачи тока в схеме с обпзим эмиттером при Вкв = 1 В, (з = 1О мА при Г=- 293 К ТМ2А, М2А. ТМ2Б, М2Б . ТМ2В. М2В . ТМ2Г, М2Г. ТМ2Д, М2Д. 3,0 МГц 90 Мгц 15,0 МГц 3000 пс 4000 пс 20 — 00 50-150 30-90 70-210 80-250 при Т= 213 К ТМ2А, М2А. ТМ2Б, М2Б .
ТМ2В, М2В . ТМ2Г, М2Г. ТМ2Д, М2Д. при Т= 346 К ТМ2А, М2А. ТМ2Б, М2Б . ТМ2В, М2В . ТМ2Г, М2Г . ТМ2Д, М2Д. Граничное напряжение при 7эи = 3,5 мА не менее ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б . ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2В, М2Г, М2Д . Напря.кение насышения коллектор-эмиттер при !к —— =10 мА, 7я=! мА не более.
Напряжение насыщения база-эмиттер при 7к = 10 мА, 7ь = 1 мА не более Время рассасывания при 7к = 10 мА, !',7 = 50 — 1000 ТМ2А. М2А при 7/кк = 15 В, 7я = 1 мА, ТМ2Б, М2Б прн !7кя = 15 В, 7к = 0,5 мА, ТМ2В, М2В прп 77кк — — 10 В, 7я = 0,5 мА, ТМ2Г, ТМ2Д, М2Г, М2Д при !/кь = 1О В, 7к = 0,25 мА не более . Обратный ток коллектор-эмиттер при !Iэя = 0,5 В не более при !7кк = 15 В ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б при Т= 293 К и Г= 213 К при Т= 346 К при !/кь = ГО В ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д М2В М2Г М2Д при Т= 293 К в Т= 213 К при Т= 346 К Обратный ток эмиттера при !7эя = ! О В не более при Т = 293 К и Т= 213 К при Г = 346 К .
Емкость коляекторного перехола при (/кь = 5 В, Г= = 5 МГп ие более, Емкость эмиттерного перехола 77эя = 0,5 В, / = 10 МГп ие более . 12 — 60 30 — 150 15-90 25-210 40-250 20-120 50 — 250 30-200 70-400 80-450 15 В !О В 0,15 В 0,5 В 2,0 мкс 20 мкА 70 мкА 15 мкА 70 мкА 20 мкА 50 мкА 25 пФ 40 пФ 15 В 10 В 15 В 10 В 10 В 73 Прелельвые эксилуатавиовные данные Постоянное напряжение коллектор.эмиттер при напряжении база-эмиттер 0,5 В ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б . ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2В, М2Г, М2Д . Постоянное напряжение коллектор-база ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2В, М2Г, М2Д Постоянное напряжение эмит тер-база ° Постояннын ток коллектора при Т= 213 —: 308 К . Импульсный ток яоллектора при т„= 10 мкс и средней рассеиваемой мощности, не превышающей предельную Постоянная рассеиваемая мощность при Т = 213— +298 К.
Тепловое сопротивление переход-среда . Температура окружающей среды 50 мА 100 мА 75 мВт 0,8 К/мВт От 213 ло 346 К Примечания 1 При Т>308 К ток коллектора, мА, рассчитывается по формуле 1 „,„,= 7(7358 — т 2 При Т> 298 К максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, рассчитывается по формуле )~л ~х г (358 7) ~~г ьхи 0,5 (з273 70 0,4 о,г 50 о,г 0,1 гп гвг гох 513 Зги ггг 343 т, к о 0,1 ог о,го,е пвп„,в Входная харакгеристиьа Зона возможных положений зависимости статического козффипиента передачи тока от тем- пературы ТМ4А, ТМ4Б, ТМ4В, ТМ4Г, ТМ4Д, ТМ4Е, М4А, М4Б, М4В, М4Г, М4Д, М4Е Транзисторы гсрманиевые диффузионно-сплавные р-в-р универсальные низкочастотные маломощные Прсдназначены для применения в усилительных, импульсных и переключающих схемах низкой частоты в составе гибридных интегральных микросхем залитой и капсулираванной конструкпий Выпускаются в металлостеклянном корпусе иа керамической плате (ТМ4А, ТМ4Б, ТМ4В, ТМ4Г, ТМ4Д, ТМ4Е) и с гибкими выводами (М4А, М4Б, М4В, М4Г, М4Д, М4Е) Обозначение типа приводится на корпусе Вывол эмпттера на корпусе транзисторов М4А, М4Б, М4В, М4Г, М4Д, М4Е маркируется красной точкой Масса транзистора на керамической плате пе более 0,8 г.
с гибкими выводами 0,5 г тмаа, тм46, тм48, тмеГ, тмад, тм48 !8 2 8 ФЕ,ТБ 20 — 75 50- 120 90-200 1500 пс 500 пс тачка база аматтер М4А,М46, М48,М4Г,М4Д,М4Е Электрические параметры Граничное напряжение прн Т/кк = 12 В, Тз = 10 мА, т„ = 100 мкс и Ь! > !О не менее . . . . . . . . 12 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с обшим эмиттером прп Еткк = 1 В. Тэ = 10 мА при Т= 298 К ТМ4А, ТМ4Г, М4А, М4Г .
ТМ4Б, ТМ4Д, М4Б, М4Д ТМ4В, ТМ4Е, М4В, М4Е . при Г= 346 К ТМ4А, ТМ4Г, М4А, М4Г......... 10 — ЗЗО ТМ4Б, ТМ4Д, М4Б, М4Д........, 35 — ббО ТМ4В, ТМ4Е, М4В, М4Е......... 50 — 850 при Г=2!3 К ТМ4А, ТМ4Г, М4А, М4Г......... !0-100 ТМ4Б, ТМ4Д, М4Б, М4Д......... 20 — 1бО ТМ4В, ТМ4Е, М4В. М4Е......... 40 — 240 Постоянная времени цепи обратной связи при Еткк =- = 5 В, Тк = 5 мА, Г= 5 МГн не более ТМ4А, ТМ4Б, ТМ4В, М4А, М4Б, М4В . ТМ4Г, ТМ4Д, ТМ4Е, М4Г, М4Д, М4Е . Модуль коэффициента передачи тока при Тткк = 5 В, 1э = 5 А, 1= 20 МГц не менее ТМ4А, ТМ4Б, ТМ4В, М4А, М4Б, М4В . ТМ4Г, ТМ4Д, ТМ4Е, М4Г, М4Д, М4Е .
Напряжение насыгленпя коллектор-эмиттер при 1н = 10 мА, 1ь = 1 мА не более Напряжение насыщения база-эмиттер прн 1к =!О мА, 1в = 1 мА ие более Время рассасывания прн Тк = 1О мА, 11кэ = 25 В, 1к = = 1,0 мА ТМ4А, ТМ4Г, М4А, М4Г, при 1в = = 0,4 мА ТМ4Б, ТМ4Д, М4Б, М4Д, при 1и = = 0,22 мА ТМ4В, ТМ4Е, М4В, М4Е нс более . Обратный ток коллелтор-эломтер ири 1/кэ = 15 В, 17вэ = = 0,5 В не более при Т=298 К и Т=213 К при Т= 346 К .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
