sprav_tranzistor (529834), страница 20
Текст из файла (страница 20)
Масса транзистора нс более 0,5 г при Пкк = 30 В 2Т203Б, КТ203Б при ггкв = 15 В 2Т203В, КТ20ЭВ ,ри БКК = 5 В гтгОЗГ, гтгОЗД . Бмкость коллскторного перехода при !!кн = 5 В, Г = = 10 МГп не более 11япряжение насыщения коллектор-эмнттер не более 2Т203Б, КТ203Б при 1к = 20 мА, гк = 4 мА . 2ТЭОЗГ прн 1К = 10 мА, 1В = 1 мА 2Т203Д при ук = 10 мА, Ув = 1 мА КТ203Д прн гк = 20 мА, гк = 1 мА . гзбратный ток коллектора при Укк = Укк„,», не более при Т= 298 К п!зн Т= Т„,„, гзбратный ток эмиттера при Уэк = Уэк „, не более 300 Ом 300 Ом 300 Ом 10 пФ В 0,5 В 035 В 0,5 В 1 мкА 15 мкА 1 мкА Предельные эксплуатаииоииые данные Постоянное напряжение коллектор-база при Т = 213 — 348 К 2Т203А, 2Т203Г, КТ203А .
2Т203Б, КТ203Б 2Т203В, 2Т203Д, КТ20ЗВ при Т= 398 К 2Т203А, 2Т203Г, КТ203А 2Т203Б, КТ2ОЗБ 2Т203В, 2Т203Д, КТ203В . Постоянное напряжение коллсктор.эмиттер прн Ркэ И кг кОм при Т = 213 — 348 К 2Т203А, 2Т203Г, КТ203А . 2Т203Б, КТ203Б 2Т203В, 2Т203Д, КТ20ЗВ . при Т= 398 К 2Т203А, 2Т2ОЗГ, КТ203А . 2Т203Б, КТ203Б 2Т2ОЗВ, 2Т20ЗД, КТ203В . Постоянное напряжение эмиттер-база, 2Т203А, 2Т203Г, КТ203А 2Т203Б, КТ203Б 2Т203В, 2Т203Д, КТ20ЗВ . Постоянный ток коллектора ПьгпУльсный ток коллектоРа пРи тя И 10 мкс, й Л Э 10 Постоянный ток эмиттера Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 213 — 348 К прн Т= 398 К Температура перехода 3 емпсратура окружающей среды .
60 В 30 В 15 В 30 В 15 В Го В 60 В 30 В 15 В 30 В 15 В 10 В 30 В 15 В !О В 10 мА 50 мА 10 мА 150 МВТ 60 мВт 423 К От 213 до 398 К Ю КТ207Ак КТ207Б, КТ207В Транзисторы кремниевые эпитакснально-планарные р-и-р м л маломощные Предназначены для работы в качестве усилительного 3 эле. 6,7 Коллолиор Эио яаэ Колл тор '3лектричесние параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при 1lка = 5 В, !э= ! мА не менее . Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала прп Вкк= 5 В, /э= ! мА,7'= ! кГц.
КТ207А не менее КТ207Б КТ207В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при ук = = !О мА. 7в = ! мА не более КТ207А. КТ207Б . КТ207В Емкость коллекторного перехода при 1lнв = 5 В, у = !О кГц не более Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме малого сигнала при 1зкв = 5 В, 1э = ! мА пе более . Обратный ток коллектора не более: при 1/кь = 60 В КТ207А при 17кь = 30 В КТ207Б .
при Пкк = !5 В КТ207В . Обратный ток эмиттера не более. при 17эв = 30 В КТ207А при !рэк = !5 В КТ207Б . при 17ЭК = 1О В КТ207В ° 5 МГц 9 30- 150 30 — 200 1 В 0,5 В !О ггФ 300 Ом 0,05 мкА 0,05 мкА 0,05 мьА ! мкА ! мкА ! мкА !40 Чдл~дода Раж Клич мента микромолулей и блоков в герметизнрованной аппаратуре Бескорпусные, без кристаллолержазеля, с защитным покрьпием и контактными площадками для присоединения в электрическую схему Обозначение типа приводится на групповой таре. Масса транзистора не более 0,00! г Предельные энснлуатяцноииме дащьге П стоянное напряженпе коллектор-база: КТ207А КТ207Б КТ207В Постоянное напряжение коллектор-эмиттер; КТ207А КТ207Б КТ207В Постоянное напряжение змиттер-база: КТ207А КТ207Б КТ207В Постоянный ток коллектора уумпульсный ток коллектора при т„ ц 100 мкс, Д в э5 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора .
!!мпульсная рассеиваема» мощность коллектора при т„С!00 мкс, Д > 5 Температура перехода Температура окружающей срелы . бО В ЗО В !5 В бО В 30 В 15 В ЗО В 15 В 10 В 10 мА 50 мА !5 мВт 50 мВт 373 К От 228 до 358 К Примечание, При эксплуатации транзисторов должен быть обеспечен надежный теплоотвол от кристалла не хуже, чем теплоотвол в свободном воздухе. При монтаже и эксплуатации транзисторов необходимо принимать меры защиты от статического электричества. Монтаж кристаллов в микросхемах должен осуществляться в условиях микроклимата или кондиционированных помещениях с относительной влажностью не более 65 чА и температурой (298 й + 1О! К. пята 10 10 5 1!7 10 7 813 273 333 т,К и 1 г г 9 57мд Зона возможных положений зави всимости обратного тока коллектора от температуры.
Зона возможных положений зависимости коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от тока змиттера. 14! агут Ьгтз гоо во уоо арго до во чо О у г 3 9 5Хум4 О 1 г Х Ф 51дмд 2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М, КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М Транзисторы кремниевые плапарно-эпитаксиальные р-лчя маломощные.
Предназначены для работы в усилительных и генераторных сяемах. Выпускаются в металлосзеклянном корпусе с тнбкимн выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0,6 г. Зона возможных положений зависимости коэффяциента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера, Зона возможных положений за. висимости коэффипнента пере. дачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера.
Электрические параметр з 1 раничная частота коэффициента передачи тока а схеме с обшим эмнттером при Нка = 5 В не менее: при !э = 5 мА 2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т203Л, 2Т208М при /э = !О мА КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М . Коэффициент шума лрн Ккэ =. 3 В. !к — — 0 2 мА г = ! кГп, й, = 1 кОм КТ203В, КТ208Е, КТ208К нс более . Етатический коэффиписнт перелачи тока а схеме с общим эмнттером при 1/кк = ! В, /э = 50 мА: 2Т208А, 2Т208Г, 2Т208Ж, 2Т208Л, КТ208А, КТ203Г, КТ208Ж, КТ208Л 2Т208Б, 2Т208Д, 2Т208И, 2Т203М, КТ208Б, КТ208Д, КТ203И.
КТ208М 2Т2088. 2Т208Е, 2Т2ОЯК, КТ208В, КТ203Е, КТ208К Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при lк = = 300 мА, Уа = бо мА не более: 2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т203Л, 2Т208М . КТ203А, КТ208Б, КТ208В, КГ208Г, 2Т208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ203Л, КТ208М . Напряжение насыщения база-эмиттер при тк = 300 мА, 1ь= 60 мА не более . Емкость коллскторного перехода не более; пр» Бкк = 20 В гтгОЯА, гтгОЯБ, гтгОЯВ, гтгОЯГ, 2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т203И, 2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М пРн !Ука = 10 В КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ203Г, КТ208Д, КТ20ЯЕ, КТ203Ж, КТ203И, КТ203К, КТ208Л, КТ208М . Емкость эмиттерного перехода не более: прн !!эа = 20 В 2Т208А, 2Т208Б, 2Т203В, 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М при 1!эх = 0,5 В КТ208А, КТ208Б, КТ208В.
КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ203Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М, Об ратный ток коллектор-эмиттер при Укэ = Нкэиакс !1эа = 1О кОм не более Об . Ратный ток эмиттсра при 1!эк= 17эаи„м не более 5 МГц 5 МГц 4 лБ 40 — 120 20 — 240 0,3 В 0,4 В 1,5 В 55 пФ 50 пФ 20 пФ !00 пФ 1 мкА 1 мкА Предельные эксплуатаиионные данные Постоянное напряжение коллектор-база 2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, КТ208А, КТ208Б, КТ208В 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е 2Т208Ж, 2Т2ОЯИ, 2Т208К, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К 2Т208Л, 2Т208М, КТ208Л, КТ208М .
Постоянное напряжение коз |ектор.эмиттер при Лвэ с с 30 кОм 2Т208А, 2Т2ОЯБ, 2Т208В, КТ208А, КТ208Б КТ208В 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, КТ208Г„КТ208Д, КТ208Е 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К 2Т20ЯЛ, 2Т208М, КТ208Л„КТ208М Постоянное напряжение эмиттер-база 2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г, 2Т209Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т20ЯК, 2Т208Л, 2Т208М, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е Постоянный ток коллектора . Импульсный ток коллектора при т„п0,5 мс, Ц >2 . Постоянный ток базы Постоянная рассеиваемая мои!ность коллектора при Т= 2!3 -333 К при Т 398 К .
Температура перехода Температура окружающей среды 20 В 30 В 45 В 60 В 20 В 30 В 45 В 60 В 20 В !О В !50 мА 300 мА 60 мА 200 мВт 5 мВт 423 К От 2!3 до 398 К КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Дэ КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М Транзисторы кремниевые эпитакснально-планарные р-и-р мало мощные Предназначены для работы в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выволами в двух вариантах Обозначение типа приводится иа корпусе Масса транзистора пе более 0,3 г 344 8д,ри.ант 1 1 иттер лентор брриилдэ2 Янаттер база Коллектор Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером прн Ккв = 5 В, 1к = 10 мА не менее. Коэффициент шума при Укэ = 3 В, 1к = 0,2 мА, 1'= = 1 кГц, Я, = 3 кОм КТ209В, КТ209Е, КТ209К не более .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
