sprav_tranzistor (529834), страница 25
Текст из файла (страница 25)
30 мкА КТЗ15И.................. 50 мкА Предельные экеплуатаниоииые данные 100 мА 50 мА Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при йьэ = 1О ктЗь' КТЗ15А............... 25 В КТ315Б............... 20 В КТЗ!5В, КТЗ!5Д..........., 40 В КТ315Г, КТЗ15Е............ 35 В КТЗ15Ж....,.......... 15 В КТЗ15И............... 80 В Постоянное напряаеиие база-эмиттер .
б В Постоянный ток ьо ~ ~еьтора КТЗ! 5А, КТЗ! 5Б, КТЗ!5В, КТЗ! 5Г, КТЗ! 5Д, КТЗ! 5Е КТ315Ж, КТ315И Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т= 213 — 298 К КТЗ!5А, КТЗ!5Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТЗ! 5Е,....,......., . 150 мВт КТ315Ж, КТ315И........... 100 мВт Температура перехода . . . . . . . . . . .
393 К Температура окружающей оралы....... От 213 до 373 К Примеч а н н я 1 Постоянная рассеиваемая мощность ьоляекто- ра, мВт, при Т = 298 — 373 К определяется по формуле гк „,„, = !393 — т370,07 Допускае~ся эксп ~!атапия транзисторов в режиме Рь = 250 мВт при Вкь = 12,5 В, Зк = 20 мА 2 Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора При включении транзистора в схему, находящуюся под напря- женнем, базовый вывол должен подсоединяться первым и отсоединяться последним Не Рекомендуется работа транзисторов прн рабочих токах соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем интервале температур 177 Зависимость статического козм фишгента перелачи тока от тоь,„ эмиттера ! Зависимость напряжения нас асыщения коллектор-эмиттер от з . т зс.
ка коллектора "гег 7га 00 Зависимость напра кения пасы. щения база-эмиттер от тока базы аа О го «О Во ВОЕ,мА „0,0 " 0,7 ОВ еа О,ОХ а Б ВЕа,мд О,Х 'о г О гп ао Во ВОЕ„,мд 2Т317А-1, 2Т317Б-1, 2Т317В-1, КТ317А-1, КТ317Б-1, КТ317В-1 178 Транзисторы кремниевые эпитакспатьно-планарные н-р-л универсальные высокочастотные маломощные Предназначены для работы в схемах усилителей высокои и низкой частоты в переключающих и нилу зьсных схемах герметизированной аппаратуры Г1 Бескорпусные, с гибкими вы! водамн, с защитным покрытием ° ' Транзигэары помещаются в воз!! вратную тару, позволяющую без извлечения из нее транзисторов производить измерение электрик, Ъ ческих параметров Обозначение н~ ", .э типа и маркировочная точка котс лектора приводятся на крышке возвратной тары ра,ачй Мааса транзистора не бо лес 0,01 г Электрические параметры 25 — 75 35 — !20 80 — 250 От 25 ло 3 значений прп 1= 298 К .От 35 ло 3 значений при 1=298 К .От 80 да 3 значений при Т=298 К 2ТЗ!7Б 1 КТЗ17Б-! "ТЗ!7В ! КТЗ17В-1 при Т= 213 К 2Т317А-1, КТЗ! 7А-1 2Т317Б-1, КТЗ! 7Б-! 2Т317В-1, КТ317В-1 9 — 75 .
!5 — !20 .25 — 250 Моттзь коэффициента передачи тока при бткэ— - 1 В, !к=-3 мА, 1=20 МГи не менее Время рассасывания при С кэ= 3 В, 1к = 3 ккА, 1ы = 4 звт=! мА не бочее . Емкость котлекторното перехода при бткв=! В не ботас . Емкость змиттериоко перехола при Оьэ=1 В не бочее . Обратный ток коэтектора при Сна=5 В не бочее прн Т=-298 К и Т=2!3 К при Т=З58 К . Обратный ток коляектор-эмиттер прн !та э = 5 Ззвэ= 3 кОм не более .
Обратный ток эмиттера при вяз=3,5 В не более Посзоянное напряиение эмнттер-база при ! кэ=з 5 В та=005 мА не менее . т!остоянный ток базы прн О!э=о,8 В. !!вэ= =600 Ом 130 пс 11 пФ 22 пФ 1 мкА 10 мкА 3 мкА 10 мкЛ 0,5 В От 130 ло 460 мкЛ 179 !япрязкение насыщения коллектор-эмпттер при зк = 10 мА, т = 1,7 мА 2ТЗ17А-1, КТ317А-1, при Зв =! мА 2ТЗ!7Б-1, КТЗ17Б-1, при 7я = 0,7 мА 2Т317В-1, КТ317В-1 не боо,з в !За,зряиение насыптения база-эмиттер при зк = ! О мА, 1в = 1 мА 2Т317А-!, КТЗ!7А-1, при 1в = Об мА 2ТЗ!7Б-1, КТЗ17Б-1, при 1п = 0,4 мА 2Т317В-1, КТЗ!7В-1 не более ° ° ° ° .
° . ° °.......... 0,85 В бтатический коэффиппент передачи в схеме с общим эмиттером прзз Окэ = ! В, !э = 1 мА при Т= 298 К 2Т317А-1, КТ317А-! . 2ТЗ17Б-1, КТЗ!7Б-! . 2Т317В-1, КТЗ!7В-1 при Т= 358 К 2тт!7л ! ктз!7А-! Предельные эисплуатанновные данные Постоянные напряжения кочлектор-база, коллектор-эчит- теР нРи Якз — — 3 кОм.........., 5 В Постоянное напряжение эчиттер-база....... 3,5 В Постоянный ток «оллектора .
. . . . . . . . . 15 мэ! Ичпу ~ьсньггг ток «оз ~автора прн т„н!О члс, Д> 10. т1,< 100 пс....... ' ' . 45 лгд Постоянная рассеиваечая мощность коллектора при Т= 213 — 3!3 К... ° ° ° ° ° ° 15 чВт прв Т= 358 К...... ° ° ° ° ° 3,75 мВт Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при т„< !О члс, О > !О т!, н 100 пс Т = 298 К ° ° 100 мйт Тепловое сопротивление перехол-среда .
. . . ° ° . 4 К/лзйг Температура перехода . . . . . . . . . . . . . 373 К Телгггературв окру кающей среды...... От 213 до 358 К П ри лз еч а ни е Не рекомендуется работа транзистора при рабе. чих токах, соизмеримых с неуправляемыми токами во всем диапазоне температур окружающей среды При пайке выводов должны быть приняты меры, исключающие возможность нагрева кристалла и смолы до температуры более 373 К гглгэ гоо 100 50 0 Ог ОФ ОЕ ОВ 1нвэ В О 4 В 1г 1ВЕэ,мд Входные характеристики Зависимость сгагического коэф- фиииента иерелачи тока от тока зчиттера ~Иктэ! В 010 О,ОВ е ООВ У 004 Оог 0 г13 г53 гоз гзз 375 7,0 Завнснчосзь наг«ряжения н,юы.
щения коллектор-эчиттер ог течпер «туры а го 40 Во ВОТ,мтц Завнсичосгь «ходуля коэффициента переда щ так« аг частоты 180 "гтэ 7ПП эгп вп п,п П5 'гуз гуз гпз ззз 37378 Зависимость напряжения насыщения база-змиттер от темпе- ратуры 2ТЗЗЗА-З, 2ТЗЗЗБ-З, 2ТЗЗЗВ-З, 2ТЗЗЗВ1-3, 2ТЗЗЗГ-З, 2ТЗЗЗД-З, 2ТЗЗЗЕ-З, КТЗЗЗА-З, КТЗЗЗБ-З, КТЗЗЗВ-З, КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З, КТЗЗЗЕ-3 Транзисторы кремниевые пленарные и-р-и универсальные высокочастотные маломощные Предназначены для применения в импульсных, переклю щтельных и усилительных схемах герметизированной аппаратуры Бескорпусные, с тверлымп выводами, с защитным покры~ием. Обозначение типа приводится на атикетке групповой тары Масса транзистора не более 0,0! г коккектозг о,х оттер з «октакта ФП,7В ккектоо оаэа Вдел гричсские параметры Напряжение отпирания при Уз = 0,05 мА не менее 2ТЗИА-З, 2ТЗЗЗБ-З, ЗТЗЗЗВ-З, 2ТЗЗЗВБЗ, КТЗЗЗА-З, кттЗЗБ-З, ктз33-3 ! при Т= 298 К при Т= 358 К 2ТЗЗЗГ-З, 2ТЗЗЗД-З, 2ТЗЗЗЕ-З, КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З, КТЗЗЗЕ-3 0,57 В 0,3 В 381 п,п 5пв ~~ пу и гэз гпз гпг бзз згз 7,к Зависимость статического козффиписьна перелачи тола от тем- пературы при Г= 298 К прн Г= 358 К 0,55 В ОДЗ В Напряжение насыщения коллектор-эмпттер при /к =10 мА, !и = ! мА не более: 2ТЗЗЗЛ-З, 2ТЗЗЗБ-З, 2ТЗЗЗВ-З, 2ТЗЗЗВ1-3, КТЗЗЗА-З, КТЗЗЗБ-З, КТЗЗЗВ-3: при Т= 298 К прп Т= 358 К 2ТЗЗЗГ.З, 2ТЗЗЗД-З, 2ТЗЗЗЕ-З, КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З, КТЗЗЗЕ-3: при Т= 298 К прн Т= 358 К 0,27 В 0,3 В 0,33 В 0,37 В 0,9 В 1,05 В 1,0 В 1,1 5 В Время рассасывания при Ек=2 В, !к=10 мА, 1а = 1 мА не более: 2ТЗЗЗА-З, 2ТЗЗЗБ-З, 2ТЗЗЗВ-З, КТЗЗЗА-З, КТЗЗЗБ-З, КТЗЗЗВ-3 2ТЗЗЗГ-З, 2ТЗЗЗД-З, 2ТЗЗЗЕ-З, КТЗЗЗ! -3, КТЗЗЗД-З, КТЗЗЗЕ-3 2ТЗЗЗВ1-3 15 нс 25 ис 10 нс Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при !7кэ =! В, Гэ = 10 мА: 2ТЗЗЗА-З, 2ТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗЛ-З, КТЗЗЗГ-3: при Г= 298 К при Т= 213 К при Г= 358 К 2ТЗЗЗБ-З, 2ТЗЗЗД-З, КТЗЗЗБ-З, КТЗЗЗД-3: при Т= 298 К при Г= 213 К при Т= 358 К 2ТЗЗЗВ-З, 2ТЗЗЗВ!-3, 2ТЗЗЗЕ-З, КТЗЗЗВ-З, КТЗЗЗЕ-3: при Г= 298 К при Г= 213 К при Г= 358 К 30-90 15-90 30-180 50 — 150 26 — 150 50- 350 70- 280 33 -280 70 -560 ~82 Напряжение !исыщения баэа-эмиттер при 1к = 10 мА, !в = 1 мА не более: 2ТЗЗЗА-З, 2ТЗЗЗБ-З, 2ТЗЗЗВ-З, 2ТЗЗЗВ1-3, КТЗЗЗА-З, КТЗЗЗБ-З, КТЗЗЗВ-3; при Т= 298 К при Г= 213 К 2ТЗЗЗГ-З, 2ТЗЗЗД-З, 2ТЗЗЗЕ-З, КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З, КТЗЗЗЕ-3: при Г= 298 К при Т= 213 К 450 МГп 350 МГц 3,5 пФ 4,5 пФ 4 пф 5 пФ 0,4 млА 5 мкА ! мкА 5 мкА !О В !О В 3,5 В 20 мА т„с $0 мкс, 45 мЛ !5 мВт 5 мВт 373 К !83 Г аннчная частота коэФФипиента передачи тока в схеме Гра общим эмиттером при Егкэ= 2 В, гэ= 5 мА не менее 2ТЗЗЗА-З, 2ТЗЗЗБ-З, 2ТЗЗЗВ-З, 2ТЗЗЗВ$-3, КТЗЗЗЛ-З, КТЗЗЗБ-З, КТЗЗЗВ-3 2ТЗЗЗГ-З, 2ТЗЗЗД-З, 2ТзЗЗЕ-З, КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З, К'ГЗЗЗЕ-3 Бкэкость коэлекторного перехода прн Е л„=5 В не ботев 2ТЗЗЗЛ-3.
2ТЗЗЗБ-З, 2ТЗЗЗВ-З, 2ТЗЗЗВ1-3. КТЗЗЗА-З, КТЗЗЗБ-3. КТЗЗЗВ-3 2ТЗЗЗГ-З, 2ТЗЗЗД-Е, 2ТЗЗЗЕ-З, КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З, КТЗЗЗЕ-3 Емкосгь эмиттерного перехода при Пэв= О ие ботве 2ТЗЗЗЛ-З, 2ТЗЗЗБ-3. 2ТЗЗЗВ-З, 2ТЗЗЗВ$-3, КТЗЗЗА-З, КТЗЗЗБ-3. КТЗЗЗВ-3 2ТЗЗЗГ-З, 2ТЗЗЗД.З, 2ТЗЗЗЕ-З, КТЗЗЗГ-З, ЗТЗЗЗД-З, КТЗЗЗЕ-3 Обратный ток коллектора при Егкв = !О В не более при Т= 298 К при 7= 358 К Обратный ток эмпттера при Пэв = 4 В не более при 7= 298 К прн Г= 358 К Предельные эксплуатационные данные Постоянное напра,кение коллелгор-база . Постоянное папряя ение ко ээелтор-эмнттер прн Яьэ и 43 кОм Постоянное напра,кение змн!тор-база . Посзояннмй гол ко ~1елтора . Импу ~ьсньп гол ко этсктора при !2 И ! О, т,!, К ! 00 н с Постоянная рассеиваемая мощность: при Г к 328 К .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
