sprav_tranzistor (529834), страница 28
Текст из файла (страница 28)
6 пФ Прелельные зкспауаташшнпые данные г!остоянное напряжение коллектор-база...... 15 В Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Яэв = =3 кОм Постоянное напряжение змиттер-база Постоянный ток коллектора . Постояннав рассеиваемая мощность коллектора . Температура перехода Телгпература окружагошей срелы !5 В 3,5 В 20 мА !5 мВт 373 К Ог 223 до 358 К Транзисторы кремниевые плаиарпые и-р-и высокочастотные усни едьные с нормированным коэффициентом шума на частоте 20 МГц литель Бескорпусные с тверлыми выволами.Обозначение типа приводится на этикетке.
Масса транзистора не более 0,005 г. КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1, КТ369В, КТЗ69В-1, КТ369Г, КТ369Г-1 Транзисторы кремниевые эпнтаксиазьно-планарные и-р-и переклиь ельные высокочастотные маломощные Бескорпусные, с гибкими выводами, с защитным покрьпием означение типа приволится на этикетке Масса транзистора не более 0,02 г Вариант! Нпллентпр Зниттпр Ба бариант 2 Нпллентпр база Зниттпр Электрические параметры шичная частота при Ьгкв = !О В, !э = 30 мА не иенее . этический коэффипиент передачи тока в слеме с общнм миттером прн Ькэ = 2 В.
Рэ = !50 мА КТ369А, КТ369А-1 КТ369Б, КТ369Б-1 при Ь'из=3 В, Уз=10 мА КТ369В, КТ369В-1 КТ369Г, КТЗ69Г.1 200 МГц 20-100 40-200 20 — ! 00 40-200 ражение насыщенна коллектоР-эмиттеР пРи 1!, = Напр 200 мА, Зв = 10 мА не более КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТЗ69Б-1 . КТЗ69В, КТ369В-1, КТ369Г, КТЗ69Г-1 Папряжеиие насыщения база-эмиттер при 7к = 250 мА, 1 = 50 мА не более 116рщный ток коллектора не более при Г/кк = 45 В КТ369А, КТ369А-!, КТЗ69Б, КТЗ69Б-1 прн Пкк = 65 В КТ369В, КТ369В-1 КТ369Г, КТ369 Г-1 !Збратный ток эмиттера при 1тэв = 4 В не более . Бмхоать коялекторного перехода при 1/кв = 1О В не более КТЗ69А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1 . Кд'369В, КТ369В-1, КТ369Г, КТ369Г.1 .
Емкость эмиттерного перехода при 1lэв = 0 не более КТ369А, КТ369А-!, КТ369Б, КТ369Б-1 . КТЗ69В, КТ369В-1, КТ369Г, КТ369Г-1 . 0,8 В 0,5 В 1,6 В 7 мкА 10 мкА 10 мкА 15 пФ 10 пФ 50 пФ 40 пФ Предельнме эксплуатаиноиные данные Постоянное напряжение коллектор-база КТЗ69А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1 КТ369В, КТ369В-1, КТ369Г, КТЗ69Г-1 Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Яэв = =1 кОм КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТЗ69Б-1 КТЗ69В, КТ369В-1, КТЗ69Г, КТ369Г-1 . Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора .
Импульсный ток коллектора при тч а 10 мкс, Дв 5, Постоянная рассеиваемая мощность коллектора . Импульсная рассеинаемая мощность котлектора при БС!Омкс, Ьэ>5. Температура перехола Температура окружающей среды 45 В 65 В 45 В 65 В 4 В 250 мА 400 мА 50 мВт 1,6 Вт 423 К От 213 до 358 К КТ373А, КТ373Б, КТ373В, КТ373Г 201 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные л-р л универсальные высоночастотные маломощные Предназначены лля работы в схемах переключения и усиления высокой частоты Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе Мааса транзистора ие более 0,2 г Каи глвр Электрические параметры раничное напря,кение при 1э = 5 мА ие менее КТЗ73А, КТЗ73Г КТЗ7ЗБ КТЗ73В апряжение насыщения коллектор-эмиттер при гк = = ГО мА, гв = 1 мА не более апряжение насыщения база-эмиттер при гк = 10 мА, 7в = 1 мА не более татический коэффипиент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Г/кв = 5 В, 7в = 1 мА при Т= 298 К КТ373А КТ373Б КТ37ЗВ КТ373Г при Т= 358 К КТ373А КТ373Б КТ373В КТ373Г нри Т= 233 К КТЗ7ЗА КТ37ЗБ КТ373В КТ373Г одуль коэффициента передачи тока при 7'= 100 МГп, 17кв = 5 В, гэ = 1 мА не менее зстоянная времени пепи обратной связи при 7'= 5 МГп, 17кв = 5 В, Ук = 1 мА ве более КТ37ЗА, КТ373Г .
КТ373Б КТЗ73В зкасть коллекторного перехола при 17ка = 5 В, Г = 10 МГц не более зратвый ток коллектора при 17кв = 17кэ чям при Т = 298 К. при Т= 358 К 25 В 20 В 10 В 0,1 В 0,9 В 100 в 250 200 †6 500- 1000 50-125 100 — 750 200 — 1800 500 — 3000 50-375 25-250 50-600 125 — 1000 12-125 200 пс 300 пс 700 пс 8 пф 0,05 люкА 10 мкА 30 мкА 100 мкА Зо мкА Т= 233 —: 328 К...............
150 мВт Температура перекопа....,........ 423 К Температура окружающей среды......... От 223 до 358 К П р и м е ч а н и я: 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 328 —: 358 К определяется по формуле Рк ччм = (423 — У)10,61 2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора. Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора, радиус изгиба нс менее 2 мм. лггэ О О 4 000 000 «оа 200 0 10 20 ХО О ОХН, нА Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. Обратный ток коллектор-эмиттер при гГкэ = гукэ иые не более: КТЗ73А, КТ373Б, КТЗ7ЗВ .
КТЗ73Г рб атный ток эмиттера при бгкэ = 5 В не более . О ра Предельные эксплуатационные данные Постоянное иапрвжение коллектор-эмиттер при Лнэ = = 1О кОм: КТЗ73А КТЗ7ЗБ КТ3738 КТ373Г Постоянное напряжение база-эмиттер Постоянный ток коллектора, Импульсный ток коллектора при тч Н 50 мкс, Д > 500 Постоянный ток коллектора в режиме насыщения, Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при г и в "105 О 4 2 1000 213 25Х 2ОХ ХХХ 373 7„,Н Зависимость обратного тока коллектора от температуры пе- рехода.
ЗО В 25 В 1О В бО В 5 В 50 мА 200 мА 1Оо МА Лгтз Бао ьгтэ 1ПОО воп «00 Боо 500 «оо гоо 100 гоо "гтз вап 0,9 гпа аа5 О « В тг 10 икк,В Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-база. О 215 гвв гвв 555 5757,К Зависимость статического коэффициента перелачи тока от температуры. со 0,0 гч 0,7 О,Б 0,5 215 255 295 525 5757,К ,гвисимость папрлжеипя насыгения база-эмиттер оз темггературы. г «Бв г «Бв 21,„„ 1О тае Зависимость статического коэф. фициента передачи тока от тока коллектора.
~. 00 ~ 0,7 чг О,Б 0,5 О 10 20 50 «01«,мд Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора. п,г "015 Я Я 0,1 а 10 гП 50 «Пг„мД Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмизтер от тока коллектора. Еи 1,05 и ' КТУ75Д вЂ” Ктт ф 1 й оэ95 3 09 „"О,ВБ о,в г55 г95 ХБВ 575 Т,К о 10Е 10и 10Ч 10З 10К паЗ,ОМ О!05 01 „."ПП75 Я а,О5 п,пг5 о г15 Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-змиттер от сопротивления база-эмиттер. Зависимость напряжения насыщения коллектор.эмиттер от температуры.
КТ375А, КТ375Б Беккект Бак чг .и виттер Электрические параметры Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при = !О мА, 1к = ! мА не более Напряжение насыщения база-зчиттер при 1к = !О мА, 1в = ! мА не более Статический «оэффициент передачи тока в схеме с обнгим эмиттером при пткз = 2 В, 1э = 20 чА: при Т= 293 К: КТЗ75А КТ375Б 0,4 В ! В !О-!00 50 — 280 205 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-пленарные л-р-л универсальные высокочастотные маломощные.
Предназначены лля работы в переключательных и усилительных схемах высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится в этикетке. Масса транзистора не более 0,25 г. при Т= 358 К КТ375А КТ375Б при Г= 228 К КТЗ75А КТЗ75Б Иолуль коэффициента передачи тока цри У= 100 МГц, Гиэ = 10 В, )к = 5 мА не менее Тостоянная времени цепи обратной связи при у'= 2 МГц, !7ка = 10 В, ээ = 5 мА не более !мкость коллехторного перехода при ггка = 1О В, У= 2 МГц не более !мкость эмиттерного перехода при !эхо = 1 В, )'= 2 МГц не более . )братный ток коллектора при гтка = Пкя „,„, не более при Т= 298 К при Т= 358 К )братный тоь эмнттера при Пяэ = 5 В не более . !0-200 50-560 8 — 100 25-280 300 пс 5 пФ 20 пф 1 мкА 10 мкА 1 мкА Предельные эксплуатационные данные !остоянные напряжения ко т чек тор-база кол ~актер-эмиттер при Яяэ < 100 Ом КТЗ75А КТЗ75Б остоянный ток ьозчектора .
ипузьсиыгтг ток ьоззектора при тч и 1 мкс . осгоянная рассеиваемая мощность колзектора мпэльсная рассеиваемая мощность коззеьтора при тяи! мкс. 60 В ЗО В 100 мА 200 мА 200 мВз 400 мВт 398 К От 228 до 358 К змпература перехода мпература окружающей среды Рк „,„, = (398 — Т)/0,5 2 Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от рпуса транзистора Допускается трехкратный изгиб выводов на расстоянии не менее им от корпуса с радиусом закругления не менее 1 мм Следует учитывать возможное гь самовазбуждения транзисторов, : высокочастотньж элементов с больщим коэффициентом усиления Примечания 1 Максимально допустимая постоянная расиваемая мощность коллектора мВт, при Т = 298 — 358 К опреляется по формуле 700 ва за га 0 07 а,В П,В У,а 7,70яа,п Входные характеристики, 095 ав 0,75 075 0,7 Да~„,мД 'г75 г55 гВЗ ЗЗЗ Юатг Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора.
0,55 П ~а га ЗП 007„,мд Зависимость напряягения насыщения коддектор-эмиттер от тока коллектора, 297 и Ва и ~ 90 и аав п,в 0,7 и 70 гп 50 681э 5га а га Ва Вп Впг„мД Зависимость статического коэффициента перелачн тока от тока эмиттера : а,в5 Я а,в Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от температуры. 0,05 а,з : а,г5 п,г 0,7 г75 г55 гвз 555 575 т,в Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры. КТ379А, КТ379Б, КТ379В, КТ379Г Транзисторы кремниевые эпззтаксиально-ззланьрные я-р-и уннве сальные высокочастотные маломощные Прелнзззначены дчя работы в схемах усиления высокой частоты и переключения гермепгзированной аппаратуры Бескорпусные с твердыми выволами Транзисторы помепщются в герметичную заводскую Зпаьовьу Обозначение типа приводится в паспорте Масса транзистора не бочее 0,0! г Коооекозоо ааз Коооекозо/з Электрические параметры Граничное напряжение при 1з — — 5 мА не менее КТ379А, КТ779Г .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
