sprav_tranzistor (529834), страница 32
Текст из файла (страница 32)
Постоянное напряжение эмиттер-база при Т< 373 К при Т= 423 К Постоянный ток коллектора, Импульсный ток коллектора Постоянная рассеиваемая мощность при Тс 298 К при Т 373 К Температура перехода Тепловое сопротивление переход-срела . Температура окружающей среды 300 В 150 В при 250 В 125 В 5 В 2,5 В 100 мА 200 мА 0,4 Вт 0,17 Вт 423 К 300 К!Вт . От 233 до 423 К 233 П р и м е ч а н и е Пайку выводов допускается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора не более 5 с еьшература пайки не лолжна превышать 533 К При пайке должен бьггь обеспечен надежный теплоотвод между местом пайки и корпусом транзистора Для транзисторов в пластмассовом корпусе изгиб выводов до.
пускается под углом яе более 90' в плоскости, перпендикулярной плоскости основания корпуса, и на расстоянии не менее 3 мм от корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм При установке транзистора на печатную плату с шагом коордц. натной сетки 2,5 мм лопускается олноразовая формовка выводов с их разводкой для совмещения с монтажнымн отверстиями (кон. тактами) При изгибе и формовке выводов необходимо применять спе.
циальиые шаблоны, а также обеспечивать неподвижность выводов между местом изгиба и корпусом транзистора Кручение выводов вокруг оси не допускается дг13 100 дгтз 100 ВО ВО Ва га го 0 ДО ВО 1га 1ВОгааияу,а 0 90 ВО 1га 11гмд Зона возможных положений зависимости статического коэффициента нерелачи тока от тока эмиттера Зона возможных положений зависимости статического коэффицяента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер !В11з! 10 !"гтз! 10 0 10 га га Ра 502 мл 0 га аа ВО ВО 1ОО~,МГН Зона возможных положений зависимости молуля коэффициента передачи тока от тока эмвт- тера Зависимость модула коэффициента передачи тока от часто- ты Сз,лФ О„,лФ 7,5 10 г,5 о го оо во вазово,а,в о 1 г 3 9 5038,в Зависимость емкости змиттерного перехода от напряжения эмиттер-база.
Зависимость емкости коллекториого перехола от напряжения коллектор-база. 2Т608А, 2Т608Б, КТ608А, КТ608Б Электрические параметрм Статический козффицнент передачи тока в схеме змиттером при 11ка = 5 В, Рз = 200 мА: 2Т608А: при Т= 298 К при Т= 213 К при Т= 398 К с общим .25 — 80 .1Π— 80 . 25-200 235 Транзисторы кремниевые эпитакснально-планарные л-р-л переключательные. Предназначены для быстродействующих импульсных и высокочастотных схем. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 2 г.
50 — 160 20 — 160 50 — ЗОО 20 — 80 7 — 80 20 — 200 .40 — 160 .15 — 160 .40 — 350 мА, 1 В . 0,4* В !в 2 В !" В . 100 нс . 45* нс . 120 нс ук = 2 4,5* бо- . 15 пФ . 8е пФ . 50 пФ !О мкЛ 80 мкА .1О мкА Предельные зксплуатаииоиные данные 2Т608Б: при Т= 298 К при Т= 213 К при Т= 398 К КТ608А: при Т= 298 К при Т= 228 К при Т= 358 К КТ608Б: при Т= 298 К при Т= 228 К при Т= 358 К Напряжение насыгдення коллектор-эмнттер при ук — — 400 ув = 80 мА не более . типовое значение . Напряжение насыгнения база-эмнттер прн ук = 400 мА, = 80 мА не более типовое значение . Время рассасывания прн ук = 150 мА, 7ы = уь = !5 мЛ 2Т608А, 2Т608Б не более типовое значение КТ608А, КТ608Б не более Модуль коэффициента передачи тока при !ткэ = 10 В, = ЗО мА, 7'= 100 МГп не менее типовое значение . Емкость коллекторного перехода при !7кве = 1О В не лес типовое значение . Емкость элзнттерного перехода при !Уэье = 0 не более .
Обратный ток коллектора, не более при Т = 298 К, !/кк = 60 В при Т=- 398 К, гукк =- 45 В 2Т608А, 2Т608Б . Обратный ток эмнттера при !/зье — — 4 В не более 60 В 45 В 30 В 60 В 30 В при 80 В 65 В 40 В Постоянное напряжение коллектор-змнттер при 77эв Н 1 кОм: 2Т608А, 2Т608Б: прн Т„= 213 —: 373 К прн Т„= 398 К .
при Т„= 423 К КТ608А, КТ608Б; при Те —— 228-: 343 К при Т„= 393 К Импульсное напряжение коллектор-эмнттер Язв ( 1 кОм, т„< 10 мкс, Д йе 2; 2Т608Л, 2Т608Б при Т„ = 213 + 373 К . при Т„= 398 К при Т„= 423 К 80 В 40 В 60 В 45 В 30 В 60 В ЗО В 80 В 65 В 40 В 80 В 40 В 4 В 10 мкс, 8 В 400 мА !2> 2 800 мА 10 мкс, 0,5 Вт 0,12 Вт 0,5 Вт 0,12 Вт 200 К!Вт 423 К 393 К 213 — 398 К 228 — 358 К КТ608А, КТ608Б: пРн Тп = 228-: 343 К при Т„= 393 К Постоянное напряжение коллектор-база: 2Т608А, 2Т608Б: прн Т, = 213 -: 373 К .
при Т„ = 398 К при Т, = 423 К КТ608А, КТ608Б. при Т„= 228 -: 343 К . при Т,=393 К Импульсное напряжение коллектор-база при тя и 10 мкс, !7>2: 2Т608А, 2Т608Б: при Т„ = 213 †: 373 К при Тп = 398 К при Т„ = 423 К КТ608А, КТ608Б при Т„= 228 —: 343 К при Уя = 393 К Постоянное напряжение змиттер-база . Импульсное напряжепяе змиттер-база при т„ < Д 2. Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора при тя ч !О мкс, Импульсный обратный ток змиттера при т< с й в 2.
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2Т608А, 2Т608Б: при Т = 213 †: 323 К при Т= 398 К КТ608А, КТ608Б: при Т= 228 —: 298 К при Т= 358 К . Тепловое сопротивление переход-среда . Температура перехода: 2Т608А, 2Т608Б . КТ608А, КТ608Б Температура окружающей среды; 2Т608А, 2Т608Б . КТ608А, КТ608Б . П риме чапае. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзисторов при температуре пайки не более 533 К в течение 1О с. допускается изгиб выводов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом изгиба ! 5-2 мм.
Значение допустимого электростатического потенциала не более 1000 В. 237 о,в о,о у„г о гОО ЗОО г„,ил о,г 700 Зависимость напряжения пасы. щения база-змиттер от гока кол. лектора. к>очь Зависимость напряжения насыщения коллектор-зьгиттер от то. ка коллектора. тг Зависимость емкости коллектор- Ч ного перехода от напряжения г г Эо П Огэ„В коллектор-база. КТ616А, КТ616Б Транзисторы кремниевые зпитакснально-плаиарные л-р-и переключательиые. Предназначены для работы в переключающих схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более О,б г. /гоооемтоо оаэ эмиттер 'Ч, е у о,е ВО,а о,г Электрические параметры тнческий коэффнписнт передачи тока в схеме с общим змиттером при 6гкз = 1 В, уэ = 0,5 А не менее КТ616А . КТ616Б . напряжение насыщения коллектор-змиттер прн гк = 0,5 А, ув = 0,05 А не бо Иапряжение насыщения база-змиттер при гк = 0,5 А, тв — 0,05 А не более . Время рассасывания прн Ук = 0,15 А, гк = 0,015 А не более; КТ616А .
КТ616Б . Бмкость коллекторного перехода при 1!кнэ —— 1О В не более Бмкость эмиттерного перехода прн 1зэнэ = 0 не более . !Збратиый ток коллектора при аква — — 10 В не более . !3братный ток коллектор-змиттер при 6Гкэ = 20 В, 2!зв = = 1О кОм не более !Збратный ток эмиттера при 1/эяо = 4 В не более . 40 25 0,6 В 2 В 50 нс 15 нс 15 ПФ 50 пФ 15 мкА !5 мкА 15 мкА Предельные экснлуатанщаные даннме Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при !!эь = 10 кОм Постоянное напряжение коллектор-база . Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора .
Импульсный ток коллектора при тк = 80 нс, !2> !О Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при Т= 233 —: 290 К при Т= 350 К Тепловое сопротивление переход-окружающая среда Температура перехола Температура окружающей среды . 20 В 20 В 4 В 400 мА 600 мА 0,3 Вт 0,25 Вт 260 К/Вт 423 К От 233 до 35В К 239 Примечание Пайка выводов допускается на расстоянии не нег~ее 5 мм от корпуса транзистора паяльником, нагретым до температуры не более 533 К, в течение не более 10 с.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса т1жнзистора с радиусом закругления 1,5 — 3 мм. Запрещается кру'!ение вывода вокруг оси. КТ617А Транзистор кремниевый зпнтакснально-плаиарный л-р-л перекл ключа- тельный высокочастотный. Предназначен для работы в переключающих схемах. Выпускается в металлостекляниом корпусе с гибкими выводам ллмц Обозначение типа приводится на боковой поверхности корд Масса транзистора не более 0,84 г, рпуса лаааекагар Ела Предельные эксплуатационные даииме Постоянное напряжение коллектор-эмиттер прн Дэв = 10 кОм Постоянное напряжение коллектор-база Постоянное напряжение эмнттер-база .
Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора прп та = 80 нс, гг> !О . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора. прн Г = 233 —: 298 К при Г= 358 К Тепловое сопротивление переход-окружающая сре. да . Температура перехода Температура окружающей среды 20 В ЗО В 4 В 400 мА 600 мА 0„5 Вт О,З Вт 215 К/Вт 423 К От 233 до 358 К Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при 1!кв = 2 В, тэ = 0,4 А ие менее.... 30 Напряжение насыщения колдектор-эмиттер при гк = 150 мА, гв = 15 мА не более.............. 0,7 В Модуль коэффициента передачи тока при бгкв =!О В, гэ = 30 мА, у"= 100 МГц ие менее........
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
