sprav_tranzistor (529834), страница 34
Текст из файла (страница 34)
75 мВт при Т= 298 — 346 К (при Т= 333 К ГТ305А, ГТЗ05Б, ГТ305В)........... (358 — 7),'0,8 мВт Прв меч ание Постоянное напряжение эмиттер-база транзисто- ров (ТМ305В, 1Т305В, ГТ305В равно 0,5 В Допустамое значение статического потеппиала 1000 В е~ гввк о,в 1тм505, т= у«вк 1тгп5, гт505 а« е и 4 г «5В, г «ВВ г «вп,г «пав,ом 10 та' 1П' 10' Са,пФ га Ск,лФ 1е" 1г 1а 0 5 10 15 гапка,а о 05 1 15 го в Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база )пят,) 15 ~б ,) 1г 10 и 10 15 го г5 Зимтц « г 4 В В 10тз,мА Зависимость модуля козффнпнента передачи тока от частоты. Зависимость модуля коэффнпиента передачи тока от тока эмигтера 248 Зависимость относительного пробивного напра.кеиия коллектор-эмит. тер от сопротивления база-эмиттер 1Т308А, 1Т308Б, 1ТЗО8В, ГТ308А, ГТ308Б, ГТЗО8В ивера Электрические параметры Граничное напряжение при Уэ = 10 мА не менее .
Напряхсение насыщения коллектор-эмиттер при тк = = 50 мА, !в —— 3 мА не более: 1ТЗ08А, ГТ308А 1ТЗ08Б, 1Т308В, ГТЗО8Б, ГТ308В Напряжение насыщения база-эмиттер при ук = 50 мА, уа = ! мА не более Статическив коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ггкк = 1 В, Тэ = 1О мА; при Т= 298 К: 1Т308А, ГТ308А !Т308Б, ГТ308Б !Т308В, ГТ308В при Г=- 343 К: 1Т308А, ГТ308А 15 В 1,5 В 1,2 В 0,45 В 25 — 75 50-120 80-150 . Оз 25 ло 3 значений прн Т= 298 К .
От 50 ло 3 значений при Т= 298 К . От 80 до 3 значений при Т= 298 К 1Т308Б„ГТ308Б 1Т308В, ГТЗО8В при Т= 213 К не менее: !Т308А, ГТЗО8А . 1Т308Б, ГТ308Б а!о 1Т308В, ГТ308В пауль коэффициента передачи тока гака = 5 В, Тэ = 5 мА не менее: !Т308А, ГТЗО8А !Т308Б, 1Т308В, ГТ308Б, ГТЗ08В 15 30 45 щ У=20 Мгп, 4,5 6 1ранзисторы германиевые диффузнанно-снлавные р-л-р уннвер- ные высокочастотные маломощные. салан йр дназначены дчя работы в автогенераторах, усилителях мощности импульсных схемах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. яачение типа приволится на корпусе. масса транзистора не более 2,2 г. 3,2 зечка Постоянная времени цепи обратной связи при у = 5 МГц, Я!ив=5 В То=5 мА: 1ТЗ08А, 1Т308Б, ГТ308А, ГТЗОЯБ 1ТЗОЯВ, ГТ308В . Коэффициент перелачи тока в режиме малого сигнала при !ткк — — 5 В, Уэ = 1 мА, Г= 50 †: 1000 Гц не менее: 1Т308Б, ГТЗОЯБ , 1ТЗОЯВ, ГТЗОЯВ . Коэффициент щулза при !Iкк = 5 В, !э = 5 мА, 3"= = 1,6 МГц 1Т308В, ГТЗ08В не более . Время рассасывания при Ек = 10 В, !к = 50 мА не более 1ТЗОЯА, ГТЗ08А при !г, = 4 мА . 1ТЗОЯБ, ГТЗОЯБ при !ь — — 2 мА 1ТЗО8В, ГТЗОЯВ при тя = 1,25 мА Емкость коллекторного перехода при !ткк = 5 В, / = 5 МГц не более Емкость эмиттерного перехода при !тэк = 1 В, у= 5 МГц не более .
Обратный ток коллектора не более. при Т = 298 К и Т = 213 К при !Укк = !5 В прн гткв = 5 В при Г = 343 К Яаана = 10 В Обратный ток эмиттера не более: при !Iэк = 2 В при !тэк = 3 В 400 пс 500 пс 15 25 8 дБ 1 мкс 1 мкс 1 мкс 8 пф 22 пф 5 мкА 2 мкА 90 мкА 50 мкА 1ООО мкА Прелельиые эксззлуатаииовиые лжтные Постоянное напряжение коллектор-база при отключенном змигтерс, Г= 213 — 318 К .
Постоянное напряжение коллектор. база при обратном смещении на эмиттере, Т=213 —:318 К . Постоянное напряжение коллектор-эмиттср при пкэ С ц 1 кОм, Т = 213 — 318 К . Постоянное напряжение коллектор-эмитгер при обратном смещении на эмиттере, Т = 213 — 318 К Постоинное напряжение эмиттер-база при Т=213 — ' + 318 К Постоянный ток коллектора при Т = 213 †. 343 К . Импульсный ток коллектора при т„с 5 мкс, Т= 213 —: —:318 К Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т= 213 —: 318 К . Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при тч с 5 мкс, Г= 213 — 318 К Температура перехола Температура окружающей среды .
20 В 30 В 12 В 20 В 3 В 50 мА 120 мА 150 мВт 360 мВт 358 К !Зт 213 ло 343 К Пр и меч аи и я; 1. При Т= 318 —: 343 К предельно эксплуатаные данные уменьшаются через каждые 5 К: постоянное и „„онные слое напряжения коллектор-база на 1 В, постоянное наямпульс нне коллектор-эмиттер на 0,4 В, постоянное напряжение эмитпряжени база на 0,2 В, импульсный ток коллектора на 4 мА, имгер.
ш иая рассеиваемая мощность на 1О мВт. Постоянная рассеиваепульс ная , ошность коллектора, мВт, при Т = 3! 8 + 343 В рассчитывае естся по формуле 1 к макс = (358 — ТЧО 25 При эксплуатании транзистора следует учитывать возможность его о самовозбуждения. ре " производить пайку выводов на расстоянии не 5 мм от корпуса путем погружении в расплавленный припой с мпературой 533 К на 10 с.
Изгиб выводов разрешается на расстоянии не менее 3 мм от пуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм. Текле 500 г„,яс 5оа чао ЧРО гоо 200 !ОО !ао а 2 Ч О ВТэ. ! О 2 Ч О ОО„,В Зона возможных положений зависимости постоянной времени пепи обратной связи от напряжения колдектор-база. Зова возможных положений зависимости постоянной времени шпи обратной связи от тока эмиттера. Зази ависнмость статического козффипиента передачи тока и козфжк Фипиента передачи тока в реме малого сигнала от тока эмиттера. 200 !Оа ~ 120 1 ВО ЧО 20 00 Оа !202„мд 251 у= ВОВК 1ТХОВА 3 1ТХОВВ Г ТХОВА — Г ТХОВ В Зависимость относительного напряжения коллектор-эмиттер от сопр . тивления база-эмиттер. 10 Зависимость обратного тока коллектора от температуры.
0,001 21Х 25Х 29Х ХХХ ХТХ Т К ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-и-р усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены лля примснения в схемах усиления высокочастотных сигналов. Выпускаются в металлостекляниом корпусе с гибкими выяоламн. Обозначение типа проводится на корпусе.
Масса транзистора ве более 0,5 г 14 т,ч Леллеялм Вмаянпе 252 °, 0,1 ~ 0,01 ОВ ЯО,Б й 04 ф 0,2 2 4 БВ 2 4БВ 2 4ВВ 2 екаьхом 0,01 01 1 1О Электрические параметры 120 МГц 8О МГц 4О МГц 500 пс 1000 пс 20 — 70 60-180 20 — 140 60-380 1б — 70 30-180 38 Ом 5 мкСм 6 дБ 10 пФ 5 мкА 120 мкА Предельные эксплуатационные данные 71 ссгоянное напрякеиие коллектор-эмиттер при кнэ К к!О кОм . ~остоянньгй ток коллектора . сстоянная рассеиваемая мощность; при Т= 293 К Те прн Т= 328 К ем"ература перехода 10 В 10 мА 50 мВт 15 мВт 343 К 253 яичная частота коэффициента передача тока в схеме Гранили с о бщим эмнттером при !гкэ= 5 В, уз= 5 мА не менее: ГТЗ09А, ГТ309Б . ГТ309В, ГТ309Г .
ПЗООД, ГТ309Е . - ° ~ль коэффициента передачи тока при !7кэ — 5 В, Модул 1 = 5 мА, Г= 20 МГц не менее: 1 ГЗ09А, ГТ309Б, ГТЗ09В, ГТ309Г . ГТ309Д, ГТ309Е . 11остоянная времени цепи обратной связи прн Ггкэ = 5 В, 5 мА, 1= 5 МГц не более; ГТ309А, ГТ309Б . ГТЗ093, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е . Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим змнттером при !Гкэ = 5 В, !э = 5 мА: при Т= 293 К: ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д . ГТ309Б, ГТ309Г, ГТУ09Е .
при Т= 328 К: ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д . ГТЗО9Б, ГТ309Г, ГТ309Е . прн Т= 253 К: ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е Вхолное сопротивление в схеме с общей базой при !/кь = 5 В, Тэ = 1 мА не более . Выходная проводимость в схеме с общей базой прк !7кь = 5 В, 1э = 5 мА не более Коэффициент шума при !7кэ = 5 В, Уэ = ! мА, = 1,6 МГц ГТ309Б, ГТЗО9Г не более . Емкость коллекторного перехода при С'ка = 5 В, 7 = 5 МГц не более . Обратный ток коллектора при !гка = 5 В не более: при Т= 293 К при Т= 328 К Общее тепловое сопротивление .
Температура окружающей среды . ~ 3С/мВт От 233 32В 3г ~гтэ Ек,мд 70 00 0,0 0,4 40 о,г го 0 0,1 Ог ОХ 040„,0 0 г 4 0 О Е„мд Зависимость статического ьозф. фициента передачи тока от тока эмиттера Входные характеристики Ы 10 СолФ 1г г О г 3 4 5ЕЭ,иД 0 г 4 0 Во В,В Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера Зависимость емкости коллекторного перекода от напряжения коллектор-база ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е Транзисторы германиевые лиффузиоино-сплавные р-чзв усилитель" ные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные ма ломощные Прелназначены лля работы в уснлителвх высокой частоты Выпускаются в металлостеклянпом корпусе с гибкими выводамя Обозначение типа приволится иа этикетке Масса транзистора ие более О,! г гр г,у лллг еллел- тлр О,У Электрические вяраметры йсзффипиент шума при /= 1,б МГц, (/кк = 5 В, / = 1 мА не более ГТЗ(ОА, ГТ310Б .
ГТЗ1ОВ, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е . коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала врн (/кв = 5 В, Уэ = ! ыА, У= 50 — 1000 Гц. ГТЗ(ОА, ГГЗ!ОВ, ГТ310Д . ГТЗ10Б, ГТ310Г, ГТ310Е ысдуль коэффициента передачи тока прн (/ив= 5 В, /з = 5 мА, т = 20 МГц не менее ГТ310А, ГТ310Б . ГТЗ!ОВ, ГТЗ10Г . ГТ310Д, ГТЗ!ОЕ, Постоянная времени цепи обратной связи при Укк = = 5 В, Уз = 5 мА, /' 5 МГц не более ГТ310А, ГТ310Б, ГТЗ!ОВ, ГТЗ(ОГ . ГТ310Д, ГТЗ/ОЕ . Входное сопротивление в схеме с общей базой при (гкв = 5 В, /з =! мА ие более, Выходная проводимость в схеме с общей базой при Укв = 5 В„ /з = 1 мА, /'= 50 — 1000 Гц не более .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
