sprav_tranzistor (529834), страница 29
Текст из файла (страница 29)
КТЗ79Б КТ379В Напряжение насыщения ьоллектор-эмиттер при /к = = зО мА, /в = ! мА не более К'1379А, КТ379Б, КТ379В КТЗэ9Г Напряя ение насыщения база-эмиттер при /и = !О мА, /и = ! мА не более КТ379А, КТЗ79Б, КТЗ79В . КТЗ79Г Статический коэффициент перелачи тока в схеме с общим эмиттером при !/ка = 5 В, / = ! мА при Г= 298 К КТ379А КТ379Б КТЗ79В КТ379Г при Т= 358 К КТ379А КТ379Б КТ379В КТ379Г прн Т= 228 К КТ379А 25 В 20 В !О В О,! В 0,2 В 0,9 В !,! В !ОО- 250 200-500 400 в !000 50- !25 !00- 750 200- !500 400 — 3000 50-375 25-250 50- 500 !00 — !ООО !2- !25 КТЗ79Б ктзуйв КТЗ79Г „1 уль коэфйгициента передачи тока при Р= !00 МГп, Молу !7кв - 2 В, 7Э = 5 мА не менее КТ379А, КТ379Г .
КТ379Б, КТ379В, Бмкость коллекторного перехода при 7/кв = 5 В, т= !О МГц не более Обратныгз ток ьолзеьтора при Пкк = Пкэ ч г пе более при Т = 228 К и Т = 298 К прн Т= 358 К Ооратный ток коллектор-эмиттер при Яьэ = !О кОм, 17кэ = Пкэчатг не бочке КТ379А, КТ379Б, КТ379В ктт79Г Обратный ток эмиттера при Пвэ = 5 В не ботев . 2,5 3 8 пФ 0,05 мкА ! мкА 30 мкА !00 мкА ЗО мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение катчектор-эмпттер при 3!ьэ = =!О кОм ктт79А КТ379Б КТ379В КТ379Г Постоянное напряжение база-эмиттер .
Постоянный ток коллелтора Импульсный ток кол зеьтора при т„с 100 мьс Д > 5 . Постоянная рассеиваемая мощность кочлектора пра Т= 298 К прц Т= 358 К Импз зьсная рассеггваетгая мощность ло г зелзора при т„<!00 мкс Дэ5 Температура перехода Тепловое сопротивление переход-среда . Температура окружающей среды . 30 В 25 В !О В 60 В 5 В 30 мА !00 мА 25 мВг !О мвт 75 мВг 373 К 3 К/мйт От 228 ло 358 К П р и м е ч а н и я ! Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВг при Т = 298 — 358 К определяется по Формуле Рк = (173 — 7373 2 При пайке выводов допускается нагрев транзистора до гемператЗры 573 К в течение ! мин, до температуры 423 К в течение 1,5 ч Прн включении транзистора в цепь, находящуюся пол иапрлжелием, базовый контакт необходимо присоединять первым и втсоелинять последним Не рекомендЗется эксплуатация транзисторов О Б а 1в,мА О,пг ч г в 10 й О Б » 0,015 а,о1 0,005 г 10-» О,г П» ОБ а,ааьэ,о г15 г55 газ 555575тг характеристики Зависимость обратно7о тока ко1тектора от течпературы Входные агтэ 500 Ягзз ООП 900 500 500 550 гпп гоп 100 50 0 а» В 1г 707к,А г»БО г»Б г»у„,мА 7 70 700 Зависимость стати»есле~ о коэффициента передачи тока от тока ко к1»ктора , 1г 11 и еаа в 0,7 ОБ 1ог 1оз 70» 10эа ОМ Зависимость относитечьно~ о максимально допустимого напряжения коллектор.эмиттер от сопротивления база-эмиттер 70 БО 50 ~ вша 50 га 10-' 70 " 10 ' 10 ' 10 тт с Зависичость максимально лопустимой импульсной мощно.
сти от длительности импу эьса 210 с отключенной базой по постоянному току Необхоличо прннича, ча гь меры зашиты от статического заряда Не релоченлуется рабе~а при токах, соизмеримых с неупрэ„ ляемычи обратиычи токами во всем диапазоне температур 2Т385А-2, 2Т385АМ-2, КТ385А, КТ385АМ Траизпс горы кремниевые эпнтаксиально-планарные и-р-л перектюча чате гьные маломощные Предназначены лля применения в системах памяти ЭВМ герметпз пзированной аппаратуры. бескорпусные. с гнокимп выводамп, защитным покрытием на „замическом (2Т385Адй КТ385А — вариант () и металлическом (2- 2Т(85АМ-2.
КТ385АМ вЂ” варианз 2) кристалдодержателях поставляются в сопроводительной таре, позволяющей без извлечени ия из нее транзистороа проводить измерения их электрических параметров Обозначение типа привощпся на сопроводительной таре. Масса транзистора на керамическом кристаллодержателе пе ботве 0,0(5 г, на металлическом не более 0,004 г. 2(ариатп 7 77 РЮ7 ер еппекпгпр Варианаг Е т Каппе лагер 211 Элелтрнчесьие параметры Граничное напряжение при эк = !О мА, так тй мкс и 6Э > 50 2Т385А-2, 2Т385АМ-2 . типовое значение Напряпение насыщения колчектор-змзгмер при ук = = 150 МА, Зв = 15 МА, т„к 30 МКС И 6У Э 50 2Т185А.э 2Т385АМ.2, типовое значение КТ385А, КТ385АМ нс более . Напряаение насыщения база-эмиттер при ук = 150 мА, эк = 15 мА, та С 30 мкс и Д > 50 2ТЗ85А-2, 2Т385ЛМ-2 типовое значение Время рассасывания нри тк = 150 мА, эы = ть = !5 мА, т„<30 мкс, Д> 50 2Т385А-2, 2ТЗ85АМ-2 .
типовое значение КТ385А, КТ385АМ не более Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при сткэ = 1 В, ук = 150 мА 2Т385Л.2. 2Т385АМ-2 . типовое значение КТЗ85А, КТ385АМ молтчь ьозффипиента передачи тока прн сгьэ = 10 В, ук = 50 мА, Г= 100 МГп . типовое значение . Обратный ток кодлекзара не более 2Т385А-2, 2Т385АМ-2 прн !Ука = 60 В и Г = 213 — 298 К при !/кк = 55 В и Т = 398 К КТ385Л, КТ385АМ при Скк = 60 В и Г= =-298 К. Обратный ток эмнттера не более 2Т385А-2, 2Т385М-2 при Ькв — — 5 В при 7'= 2!3 — 298 К при Т= 398 К КТ385А КТЗ85АМ при Скв = 4 В и Т= = 298 К Обратный ток коллектор-эматтер при йьэ = 0 ие более 2ТЗ85А-2.
2Т385АМ-2 при 6ткь = 60 В и Г = 213 — 298 К при 6гкк = 55 В и Г = 398 К Емкость коллекторного перехола при Ока = 10 В, Т= 10 МГп 2ТЗ85А-2, 2Т385АМ-2 типовое значение Емкость эмиттерного перехола при (lэв = 0 В, Г= = 10 МГц 2Т385А-2, 2Т385АМ-2 типовое значение 212 40-60' В 48* В 0,32*-0,65 В 0,39* В 0.8 В 1,0* — 1,2 В 1,1' В 15* -60 нс 30' нс 60 нс 30-150 60* 20-200 2 0 — 5.6" 3,5* 1О мкА 50 мкА 1О млА 10 мьА 50 мкА 10 мкА 10 мкА 100 мкА 2.5*-4 пФ 3.3" пФ 13* — 25 пФ 15* пф Предезьиые зьспзуатационные танные тоянное напряжение ьоз ~автор эчпттер КТЗ85А, КТЗ85АМ пРп ( зь = 5 ьОч от Т = 228 К до Т„= 358 К ° П сгоянное напра,кение ко ~ ~еьзор-база Пос 2ТЗ85Л-2 2Т385АМ-2 от Т = 213 К до ?„ = 371 К при Т„= 398 К КТЗ85А КТ335АМ от Т= 228 до Т„= 153 к . и, таящее -ря н«эчиттер-база 2ТЗ85А-2 2ТЗ85АМ-2 ат Т= 213 К ло Т„= 198 К .
КТ385А КТЗ85АМ т Т= 228 К до Те = 358 К . Псстоннный ток ьоззеьгоРа 2Т385А-2 2Т385АМ.2 от Т = 2! 3 К до Т„= 398 К . КТЗ85А КТЗ85АМ от Т = 228 К до Т„. = 358 К . ((ьзпульсный тол ьо ~зеьтора прн т„< 5 члс (? > 10 2ТЗ85А-2 2ТТ85АМ-2 от Т= 2! 3 К до Т„= 393 К, КТЗ85А КТ385АМ от Т = 223 К до Т„= 358 К . Постоянная рассепваечая чощность котзеьтора 2ТЗ85А-2 2Т385АМ-э от Т= 2!3 К до Т„= 173 К при Т„=- 398 К КТ385А КТЗ35АМ от ? = 228 К до Т„ = 343 К прп Т„=- 358 К Тептовое сопротивзеиие перекоп-полложка, Температтра пере~ода 2ТЗ85А-2, 2Т385АМ-2 . КТ385А, КТ385АМ . Температура олружающей среды 2ТЗ85А-2, 2ТЗ85АМ-2, т КТЗ85А, КТ385АМ .
40 В 60 В 55 В 60 В 5 В 4 В ОЗ А 03 А 05 А 05 Л ОЗ Вт 006 Вт оз вт о вт 110 К/Вт 408 К 393 К От 213 ло 398 К От 228 до 358 К П р и м е ч а н и я 1 Для 2Т385А-2, 2Т385АМ-2 при Т = 373— — 398 К максима гьно допустимая постоянная рассеиваемая чощность коллектора, Вт, рассчитывается по формуле 403 — Т„ Рк ° е н !!Там !'?!Гехт 2!3 2 Монтаж транзисторов в чикросхемы осуществляется следующпч образоч Место монтажа в микросхеме счачивается спиртоканифозьиыч флюсом (10-30', канифози, 90-70'„спирта! Затем укладывается фольга припоя ПОС-6! (ГОСТ 21931-76! толщиной 30 мклг, размером 1,9 х 1 9 лзкм Микросхема нагревается до темпеРатуры (373 й 5! К в течение !О с В момент пайки транзистор прижимается к месту монтажа пинцетом усилие прилагается к боковым попе(вкностям кристаллодержателя Допускаются другие метолы монтажа транзисторов в микро.
схемы, обеспечивающие натежиый тепловой контакт подложки трап. зистора с корпусом микросхемы и пелостность конструкции тра . зистора При монтаже транзисторов в микросхемы лолжны быть приняты меры, исключанлпие перегиб и соприкосновение выволов и кристах.
ла транзистора с острыми краями элементов микросхемы. Рекомен. дуется выводы транзисторов и место термокомпрессии илп пайки покрывать лаками. При этом не лолускается использование ма. териалов, вступающих в химическое п электрохичггческое взаимодсй отвис с защитным покрытием и лругими элементами конструкции транзистора, "119 700 йгтэ 100 90 90 гп гп 0 100 гпп Зпп ьппбппу„ма и г д и и упрел,п Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. п,д 07 1гб 14 п,п е 0,5 У п,й чз„1 е *" 1,г 77 10 0,9 П 700 гПП ЗПП г700 9007я,мд О,Ю О,г О 700 гпп Хпп 4005001к,ыд Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.
Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора. 224 п,о п,о 2,0 г,п г,о г,о 1,О 1,0 О 50 100 150 200 2501рмл О г7 В 12 Ю 200яэ В Зависимость моль чя лозффиппснта передачи тока от напряжения коллектор-змиттер Зависимость мол) тя коэффппи„та перетгачн тола от тока кочлсктора 15 О,п '101 Ю' 10' Юг Юз П„,.П ю П 50 1ао ЮО 2002507г,иД Зависимость относительного напряжения коллектор-эмнттер от сопротввлеиия база-эмизтер Зависимость времени рассасы- вания от тока коллектора п„по 10 Пз,п ч.
го и 1 г г с 5и„,в 215 20 ;г5 - го и с и гг югпо„,в Зависимость емкости коллекторного перехода от напряже- ния коллектор-база 1,0 ~о,в 0,7 Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения эмнттер-база КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е Электрические параметры Постоянная времени пепи обратной связи при 17кэ = = 5 В, !э —— 10 мА, /= 30 МГп не бочее . Модуль коэффипиента передачи тока при 17кк = 5 В, 1э = 10 мА, / = 100 МГп не менее КТЗ102А, КТЗ102Б, КТЗ102В, КТЗ102Д .
КТЗ 102Г, КТ3102Е Статический коэффнпиент передачи тока в схеме с обшпм эмигтером при т/кв = 5 В, уэ = 2 мА прн Т= 298 К КТ3102А . КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д, КТ3102Г, КТЗ102Е прп Т= 233 К КТ3102А . КТ3102Б, КТ3102В, КТЗ!02Д КТ3102Г, КТЗ102Е при Т= 358 К КТ3102А не менее КТЗ102Б, КТ3102В, КТ3102Д пе менее КТ3102Г, КТЗ102Е ие менее 1,5 3,0 !00- 250 200- 500 400 в 1000 25 — 250 50 — 500 100 — 1000 100 200 400 216 Транзисторы лремипевые элизакснально-пзанарные и-р-и усизн тельные высокочастотные мачомашные с нормированным коэффи.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
