sprav_tranzistor (529834), страница 26
Текст из файла (страница 26)
прп 7' = 358 К . Температург перехода Общее тепловое сопротивтенне . Температура окружающей среды 3 К!кгВт От 2гЗ ло 358 К П р и м е ч а н и я 1 Допускается большее значение мощное ости рассеивания транзистора при условии, что температура перехода „ не превышает 373 К 2 В процессе монтажа допускается нагрев транзистора дс темперагуры не более 573 К в течение 30 мин, не бочее 423 в течение 1,5 ч з Бр""~ зэг 10 О,г5 о,г 1,0 0,15 0,2 О г 4 5 В 1075,мД Зависимое гь относительного статического коэффициента пе.
редачп тока от тока эмиттера Входные характеристики 10 Ор7 г15 гдг г75 505555 гбгт,к г15 гсгг75505555 гбгт,к Зависимость относитечьного назряжения насышения ко рлекторэмиттер от температуры Зависимость напряжения насышения база-эчнттер от темпе- ратуры 01 р 0,05 о Орг7 0,5 ОБ 0,7 О,В ОрООЭБро 1,5 Ц л й 10 : а,; " 0,5 о,в 2Т336А, 2Т336Б, 2ТЗЗбВ, 2Т336Г, 2Т336Д, 2Т336Е, КТ336А, КТ336Б, КТ336В, КТ336Г, КТ336Д, КТ336Е ииттер Электрические параметры Напряженно насыщения коллектор-эмиттер при Зк = = 1О мА, Зь = ! мА ие более Напряжение насыщения база-эмиттер при ук = !О мА, lв = ! мА не более .
Статический коэффнниент передачи тока в схеме с общим эмиттером при !экэ = ! В, Зк = !О мА. при Т=- 298 К. 2Т336Л. 2ТЗЗбГ, КТЗ36А, КТЗЗОГ 2ТЗЗОБ. 2ТЗЗОД, КТ336Б. КТ336Д 2Т336В, 2Т336Е, КТ336В, КТ336Е не менее . при Г = 358 К. 2Т336А, 2Т336Г, КТЗЗОА, КТ336Г .
2ТЗ36Б. 2ТЗЗ6Д, КТЗ36Б. КТЗ36Д . 2ТЗЗОВ, 2Т336Е, КТ336В, КТЗЗбЕ не менее . при Г.=- 2!3 К (при Г= э!8 К КТЗЗОА, КТЗЗОБ, КТ336В, КТЗЗ6Г, КТ336Д, КТ336Е) 2Т336А, 2ТЗЗОГ, КТЗ36А, КТЗЗОГ . 2Т336Б. 2Т336Д, КТ336Б, КТ336Д . 2ТЗЗ6В. 2ТЗЗбЕ, КТ336В, КТ336Е не менее. Роотуль коэффипнента переда ш тока при Нкэ = 2 В, > — — 5 мА. !'= !ОО МГп не менее 2ТЗЗбА, 2ТЗЗОБ, 2Т336В. КТ336А, КТ336Б, КТЗЗОВ 2ТЗЗ6Г. 2ТЗЗОД, 2ТЗ36Е. КТ336Г КТЗЗОД, КТ336Е О,З В 0,9 В 20-60 40- !20 80 20- !20 40 — 240 80 8 — 60 !6-120 32 2.5 4,5 185 Транзисторы кремниевые эпптакснально-планарные и-р-н переключатеэьные высокочастотные маломощные.
Предназначены лля работы в переключательных и импульсных схемах герметизированной аппаратуры Бескорпусные. с твердыми вы- База яоллоитор аоламн, без кристаллолержателя 0,35 Обозначение типа приводится на групповой таре Транзисторы помещаются в специальную герметпчную тару, в которую помещается влагопоглотитель, обеспечивающий относительную влажность внутри тары не более 65%. а зятек~ укладываются в групповую тару 0,7 Масса транзистора ие более 0,0005 г. Ноллелтоо 3 земя рассасывания при ?к = 10 мА, ?а, = = ?вз = 1 мА не бочее 2Т336А, 2ТЗЗОБ, КТЗЗОА, КТЗЗОБ . 2ТЗЗОВ, КТ336В 2ТЗЗОГ, 2ТЗЗОД 2ТЗЗОЕ, КТЗЗОГ КТЗ36Д, КТ336Е .
члость коллектора при (?ка = 5 В не бочее . аьость эчггттера прн Сьэ=О не батсе, апряжение отпирания при Укэ = 1 В, ?э = = 0 05 мА не более 5ратный тоь коз гектора прп (ьь=)0 В не ботев при Т= 298 К и Т = ч)3 К (Т = 218 К КТО) при Г= 358 К вратным ~ок эмиттера прн (?аэ = 4 В не более .
30 нс 50 нс 15 нс 5 пф 4 пнэ 0,55 В 0,5 мкА 10 мкА 1 мкА Предельные эксплуатационные данные остоянные напряжения ьочлеьтор-эмиттер при Иьз < 3 лОм н хот телтор база прн Т= 213 — 358 К (при Г= 218 — 358 К КТ336)...,... 10 В остоянное напряжение база-эмиттер при Т = = 213 — 358 К (при Т = 218 — 358 К КТЗ)6) .
остоянный ток каллелтора при Т= 213 — 358 К (при Т = 218 — 358 К КТЗ36) мпульсный тоь ьолчектора при т„к(0 мс, ()в!О твл 100 млс, Т=213 — 358 К (Г= 218 — 358 К КТЗЗ6)............... 50 мА остоянная рассеиваемая мошность при Г = 213 — 328 К (прп Т = 218 — 358 К КТ336) при Т=- 358 К змпература перехода . :плевое сопротивчение переход-среда .
:мпература окружаюшей среды 4 В 50 мВт 20 мВг 378 К 1 К?мВт От 213 (2!8 К КТ336) до 358 К 6 П р и и е ч а н в е Дза устранения в зияния статического злектричева иа транзистор реьоменд)ется работать тозьло с заземленным ммажным измерзыезьным, испытатезьным оборудованием и приособзеннями а талас првменять тозььо анп(статичесл)ю одежд) ~я операторов Не реьоменлуется эксплуатация транзисторов при рабочих токах, измеримых с обратными неуггравляемымгг токами во всем диапазоне мператур Монтаж транзисторов следует производить в инертной среде в ченне не бочее 1 с при давчении на транзистор не более ! г, при этом температура ьристалза не должна превышать 523 К и В 12 763„иА Зависимость относительного статического коэффнпнента передачи тока от температуры.
Зависимость относительного статического коэффиниента перелачи тока от тока колдектора. 1,15 0,9 4 и ~00 07 фв 333 373ТК 01 70 Каэ,кам Завпспмостп напряжений насыщения коллектор-эмиттер в база-эмвттер от температуры. Зависимость относительного на- пряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. Зависимость относительного отпираюшего напряжения базаэьоптер от температуры. КТ339А Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные л-р-л усилительные высокочастотные маломощные. Прелназначены лля работы в схемах усиления высокой частоты.
Выпускаются в металлосгеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора ие более 0,4 г. г 1,05 СЪ 1 а 0,95 В 025 0 11 * 1,05 ~й 095 09 213 253 29У 14 ьз 1,2 й :ав 0,4 213 253 293 333 373Т,К 12 2 7336, КТ336 ьз .ь- 10 ,„0,9 Уэ =0,05мд :ав й Я0,7 213 253 293 333 373 ТК Виатмер яаляеяязар ~Веа пус а База а ~ ь а 1,. '.— Электрические параметры :оэффициент усиления по мощности прн Пкэ = 1,6 В, 1г = 7,2 мА, 1'= 35 МГц не менее . 'татическнй коэффициент передачи тока в схеме с общим эмпттером при Вlкв = 10 В, 1з = 7 мА не менее . 4одуль коэффициента передачи тока на 7 = 100 МГц при !7кв = 10 В, 1э = 5 мА не менее . 1остояиная времени цепи образной связи на Г= 5 МГц при !Укь = 10 В, 1э = 7 мА не более .
мкость колчекторного персхола при Ока=5 В не более, 24 дБ 25 нс 1 ПФ Прелельные эксплуатационные данные 1остоянное напряжение коялектор-база !остояниое напряжение коллектор-эмнттер 1остоянное напряжение эмиттер-база 1остоанный ток коллектора 1остоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т= 213 — 323 К . емпсратура перехода емпература окружающей среды 40 В 25 В 4 В 25 мА 260 мВт 448 К От 213 ло 433 К 599 959 *т 999 е 159 199 59 275 515 555 595 4557,7! звисимость максимально доустимой мощности рассеиваия коллектора от температуры Примечание При включении з ранзистора а цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт лолжен присоединяться первым и отсоединяться послеаним Расстояние от места изгиба до корпуса транзистора ие менее 3 мм, радиус закругления не менее 1,5 — 2 мм Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора КТ340А, КТ340Б, КТ340В, КТ340Г, КТ340Д Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при !Зкэ = 5 В, Зэ = 10 мА, /= 100 МГц не лленее Время рассасывания прн !к = 5 мА не более.
КТЗ40А КТ340Б, КТ340В, КТ340Г . КТ340Д Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при !7 =1В,З~ =1О.А: КТЗ40А КТЗ40Б не менее КТ34ОД не менее при 17кэ= 2 В, !к = 200 мА КТ340 В не менее . при !Зкэ = 2 В, 1к = 500 мА КТ340Г не менее Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более; при !и = !0 мА, !ь — — 1 мА. КТ340А КТ340Б КТЗ40Д прн Зк ц —— 200 МА, /в = 20 мА КТ340В при Зк „= 500 мА, Зв =- 50 мА КТ340Г Постоянная времени пепи обратной связи на высокой частоле не более КТ340А КТ34ОБ КТ340В, КТ340Г КТ340Д ЗОО Мгп 10 пс 15 пс 75 пс 100 — 150 100 40 35 16 0,2 В 0,25 В 0,3 В 0,4 В 0,6 В 45 пс 40 пс 85 пс !50 пс 189 Транзисторы кремниевые планарные л-р-и универсальные высокочастотные маломощные, Г1редназначены лля применения в переключательньлх, импульсных н усилительных высокочастотных скемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами, Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не бояее 0,5 г.
якость козлекторного перехода при Сна=5 бо гее КТ340А КТ340Б, КТ340В, КТЗ40Г КТ340Д хкость эмиттерного перехода при г/эв = 5 В более ЭРатный ток коллектоРа при стив = ьгнк ччтс более . В не 3 пф 3,7 пф 6 пф не 7 пф 1 млА Предельные эксшзуатапионные эстоянное напра кение лочлектор-база и эмиттер КТ340А КТ340В, КТ340Г, КТЗ40Д . КТ340Б эстоянное напряжение эчнттер-база . эстоянный тоь коллектора КТ340А, КТ340Б, КТ340В, КТ340Д . КТ340Г чпульсный ток коллектора КТ340В КТ340Г затеянная рассеиваемая мощность .
:мпература окружаюшей среды данные казлектар- !5 В 20 В 5 В 50 чА 75 чА 200 мА 500 чА 150 мВт От 263 ло 358 К КТ342А, КТ342Б, КТ342В умпшглер Электрические параметры атичесьнй коэффициент передачи общим зчиттероч при Вк = 5 В, при Т=2!3 К КТ342А тока в схеме с уэ=г 25-250 Транзисторы лречииевые эпитаьсиа зьио.пзанариые и-р л типа иверсатьиыс высокочастотные х азочошиые Прелназначены дли уси тония и генерирования сипзалов в широком апазоне частот Выпускаются в металзостекляпном корпусе с гпбкичн выводами >озпачеиие гила приводится на корпусе гхгасса транзистора не ботве О,Ч г КТЗ42Б 50 — 500 100 — 1000 !00-250 200- 500 От 400 — !000 100 200 400 2,5 3 1 мкА 1 лгкА ! мкА 0,05 мкА 0,05 мкА 0,05 чкА 10 мкА 10 мкА !О м«А 30 мкА 30 мкА 30 чкА ЗО чкА О,! В 0,9 В 25 В 20 В 10 В 8 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-зчиттер Яьэ = 1О кОм, lкэ = 30 мкА при Т= 213 — 373 К КТ342А при ЗО В 191 КТ342В при у=298 К КТ342А КТ342Б КТ 342 В при Т= 398 К КТ342А не менее КТ342Б не менее КТЗ42В не менее модУль коэФФициента пеРедачи тока пРи ггк = 10 В, рэ — 5 мА, / = 100 МГц пе менее КТ342А КТ342Б, КТ342В Обратный ток коллектора не более при Г= 213 К при ЕГкь = 25 В КТ342А .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
