sprav_tranzistor (529834), страница 33
Текст из файла (страница 33)
1,5 Постоянная времени цепи обратной связи при /'= 5 МГц, !Гкв = 5 В. гк = 5 мА не более.......... !20 пс Емкость коллекторного перехода при !тике = 10 В не более..................... !5 пФ Емкость змигтериого перехода прн !!эве = О не более... 50 пФ Обратный ток коллектора при (/кы = 30 В не более....
15 мкА Обратный ток эмиттера при Пэва - -4 В не более..... 15 мкА П Ри меч ан не. Пайка выводов допускается на расстоянии не 5 мм от корпуса транзистора паяльником, нагретым до менее темпеРа пе- туры 533 К, в течение не более 1О с. Изгиб выводов допуск п кается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора радиусом закругления 1,5-3 мм.
Запрещается кручение вывода вокр>т осн. КТ618А Келаеклгае Баю Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при 1гкн = 40 В, 1э = ! мА не менее . Модуль коэффициента передачи тока при Ука = 40 В, уз = 20 мА, Г= 20 МГц не менее . Емкость коллекторного перехода при 1!яке = 40 В не более . Емкость эмиттеРного пеРехода пРи 1Гэяс = 0 не более . Обратный ток коллектор-эмиттер при Пкэ = 250 В, эьээн = = ! кОм не более Обратный ток эмиттера при Уэко = 5 В не более . 30 7 пФ 50 пФ 50 мкА !00 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллекюр-эмнмер при Лэь= ! КОм.
Постоянное напря:кение коляектор-база . Постоянное напряжение эмиттер-баэз . Постоянный ток коллектора . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при Т= 323+ 298 К при Т= 358 К Тепловое сопротивление переход-окружающая сре- да 250 В 300 В 5 В О,! А 0,5 Вт 0„325 Вт 200 К/Вт 241 'Транзистор кремниевый планарный л-Р-я переключательиый высоковольтный. Р а а ен для Работы в перстню „ Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами, Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса, Масса транзистора не более 2 г.
Температура перехода . . . . . . . . . . . 423 К Температура окружающей срелы....... От 233 ло 358 К Примечание Пайка выволов допускается на расстоянии н менее 5 мм от корпуса транзистора паяльником, нагретым температуры 533 К, в течение не более 10 с Изгиб выводов допуска ется на рассгоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с диусом закругления 1,5 — 3 мм Запрещается кручение вывода вокру оси КТ630А, КТ630Б, КТбЗОВ, КТ630Г, КТ630Е Неллентор бдэд униттер Электрические параметры Статический коэффициент перелачи тока в схеме с эмиттером при 6Гкэ =!О В, /к = !50 мА при Т=298 К КТО 30А КТ630Б . КТ630В, КТОЗОГ КТОЗОД КТбЗОЕ .
при Т= 398 К КТ630А КТ630Б . при Т= 213 К КТ630А КТ630Б . Граничное напряжение при 1э = 100 мА, т» < 300 мкс, О > 200 пе менее КТ630А . КТ630Б . КТ630В . КТОЗОГ . КТ630Д, КТОЗОЕ Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при эх = = !50 мА, 1г, = 15 мА не более общим .
40 — 120 . 80 — 240 . 40 — 120 . 80 — 240 .160-480 40 — 240 80 — 480 15 — 120 ЗΠ— 240 90 В 80 В 100 В 60 В 50 В 0,3 В 242 Транзисторы кремниевые планарные и-р«~ усилительные высоко. частотные Прелназначены для усилительных и импульсных схем Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса Масса транзистора ие более 2 г яжение насьшгения база-эмиттер при 7к = 150 мА, ~~7=!5 мА не б пнчная частота коэффициента передачи тока в Б схем ме с общим эмиттером при !7к = 10 В, 60 мА не менее . с,ь кодлекторного перехода при Ц~вс = !О В ис более ость змиттерного перехода при !7экс = 0,5 В бечее Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме малого сигнала* при !7кк = 10 В, уз=5 мА, Г=270 Гц. Входное сопротивление в схеме с общим змиттером в режиме малого сигнала при Окэ = 10 В, 7 = 5 мА, /= 270 Гп .
типовое значение Время включения ' при Тк = 200 мА, 7к = 40 мА, =!О мкс типовое значение Время выключения' при 7к = 200 мА, 7к = 40 мА, т„=!О м«с типовое значение Постоянное напряжение коллектор-змиттер при гк — — 100 мкь Яэк = 3 кОм нс менее: КТ630А, КТ630Б КТОЗОВ . КТОЗОГ . КТ630Д, КТОЗОЕ Постоянное напряжение оаза-эмиттер при 7э = 100 мкА не менее: КТОЗОА, КТОЗОБ, КТОЗОВ КТ630Г, КТОЗОД, КТ630Е . Обратный ток коллектор-эмиттер при Зсзк = 3 кОм КТ630А, КТ630В при !гкэ = 80 В; КТЬЗОГ, КТОЗОД, КТ630Е при 1ткз = 40 В не более . Обратный ток змиттера при 17зкс = 5 В не более . 1,1 В 50 МГц 15 пФ 65 пФ 5 — 8Ом 200- !200 Ом 500* Ом 0,04 — 0,25 мкс 0,1* мкс 0,08-0,5 мкс 0,25» мхе 120 В 150 В 100 В 60 В 7 В 5 В ! мкА 0,1 мкА !20 В 150 В !00 В 60 В 120 В 150 В !00 В 60 В 243 Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-змиттер при 7!за —— =3 кОм.
КТОЗОА, КТ630Б КТО ЗОВ КТ630Г КТОЗОД, КТ630Е . Постоянное напряжение коллектор-база: КТОЗОА, КТ630Б . КТОЗОВ КТ630Г КТ630Д, КТОЗОЕ ° Посзоянное нщ1ряженгге змнттер-базе КТ63ОЛ, КТОЗОБ, КТОЗОВ, КТОЗОГ, КТОЗОД Постоянный ток коллектора КТОЗОЛ, КТОЗОБ, КТ63ОВ, КТОЗОГ, КТОЗОД, КТОЗОЕ . Импульсный ток коялеьзорз КТОЗОА, КТ63ОБ, КТОЗОВ, КТ63ОГ, КТОЗОД, КТОЗОЕ . Постоянный зок базы КТ63ОА, КТОЗОБ, КТОЗОВ, КТ630Г, КТОЗОД, КТОЗОЕ . 7 В 0,2 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т= 233 — 298 К КТОЗОА, КТ63ОБ, КТ63ОВ, КТОЗОГ, КТОЗОД, КТОЗОЕ при Т = 358 К КТОЗОА, КТОЗОБ, КТ63ОВ, КТ63ОГ, КТОЗОД, КТОЗОЕ Температура перехода Температура окружающей срелы 0,8 Вт 0,2 Вт 398 К От 233 до 358 К Примечание Пайке выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора при темдеразуре не более 533 К в течение не более 3 с Изгиб выводов допускается на расстоянии ие менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом изгиба 1,5 — 2 мм о,о 0,7 дегэ 1ЧО 120 00 ЧО го 0,1 0 100 гОО 300 ЧОО ХОО 000 1я, мд 0 100 гОО УО0 Чоо 600 000 Тя, мд Зависимость статического коэффиниента передачи тока от тока коллектора.
1,г 1,1 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмнттер от тока коллектора. 0,0 0,5 0 100 гООЗООЧ00500000 1я,мд Зависимость напряжения пасы. щения база-эмиттер от тока коллектора. 1 „"0,0 ъО О Оз7 О,О 0,5 ВО,Ч Я о,у о,г 1ТМ305А, 1ТМЗО5Б, 1ТМ305В, 1Т305А, 1ТЗ05Б, 1ТЗО5В, ГТ305А, ГТЗО5Б, ГГ305В Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р усилитель- высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в схемах усиления высокой частоты. Транзисторы 1ТМ305А, 1ТМ305Б, !ТМ305В выпускавзтся в медостеклянном корпусе на керамической плате (вариант 1), масса анзнстора не более 0,0 г; транзисторы 1Т305А, 1Т305Б, 1Т305В, ГТ3н05А, ГТ305Б, ГТ305 — в металлостеклянном корпусе с гибкими волами (вариант 2).
Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0,5 г. Варионоч 1 Я,Б 1ТМ5554, 1ТМ555б, 1Т505В Ворианчл 2 Точки Знннчнчора ор ер 1Т5054, 1Т505б, 175050, Г75054, ГТ505б, ГГОРОВ 245 Электрические параметры Граничное напряжение при )э = 10 мА Напряжение насыщения лоллектор-эмиттер пря 1к = = 10 мА, lв = 1 мА (ТМ305А, 1ТМ305Б, (Т305А, 1Т305Б, ГТ305А, ГГ305Б . Напряжение насьппения база-эмиттер при )к = !О мА, )я = 1 мА 1ТМ305А, 1ТМ305Б, 1ТЗО5А, 1ТЗ05Б, ГТ305А, ГТ305Б Статический коэффициент передачи тока в скеме с общим эмиттерам прн (гкк = 1 В, lэ = 10 мА при Т=298 К 1ТМ305А, !Т305А, ГТ305А .
(ТМ305Б, 1Т305Б, ГТ305Б при Т = 346 К (Т = 333 К ГТ305А, ГТЗ05Б) 1ТМ305А, !Т305А, ГТ305А . !ТМЗ05Б, )Т305Б, ГТ305Б при Т=2!3 К 1ТМ305А, (Т305А, ГТ305А . (ТМ305Б, !Т305Б, ГТ305Б Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при (Гкя = 5 В, /э = 5 мА при Т = 298 К (ТМ305В, 1ТЗ05В, ГТ305В .
при Т= 346 К, /э =! мА (Т= 333 К ГТ305В) )ТМ305В, 1ТМ305В, (ТЗ05В, ГТЗ05В . при Г= 2!3 К !ТМ305В, (ТЗ05В, ГТЗ05В . Модуль коэффициента передачи тока при /'= 20 МГц, ()кв = 5 В, )э = 10 мА не менее ! ТМ305А, 1Т305А, ГТЗ05А 1ТМ305Б, (Т305Б, ГТ305Б, (Т305В, ГТ305В, 1 ТМ305В Постоянная времени цепи обратной связи при 7 = 5 МГц, при (гкк= 5 В 1з= 5 мА !ТМ305А, !ТМ305Б, !Т305А, 1Т305Б, ГТ305А, ГТ305Б 1ТМ305В, 1Т305В, ГТ305В Емкость коллекторного перекопа при (Гкв = 5 В, Г= 5 МГц ! ТМ305А, !ТМ305Б, ! Т305А, ! Т305Б, ГТ305А, ГТЗО5Б (ТМ305В 1Т305В, 1 Т305В Обратный ток коллектор-змиттер при (гкэ = 15 В, ()вэ = 0,5 В не более при 1=-2!3 К и Г= 298 К при Т= 346 К Обратный ток эмиттера при (Гвэ = 1,5 В (при (Гвэ = 0,5 В 1ТМ305В, ! Т305В, ГТ305В) не более . 246 12 В 0,5 В 0,7 В 25-80 60 - 180 20-270 40-550 ! 5-80 30-180 40 — ГВО 30 — 400 20-120 500 пс 300 пс 7 пФ 6 пФ 5,5 пф 6 мкА 80 мкА 30 мкА Предельные эксплуатвииеивые данные 15 В 40 мА ЬЭ1Э 200 40 150 ч 30 с „.го 10 О 295 307 513 угх ххгт,г 0 г95505 513 ггз гззт,в Зависимость обратного тока ксллектор-эмиттер от темпера- туры "эгэ 250 200 Зависимость статического коэффвпиента передачи тока от тем- пературы 150 Зааисн исимость статического коэфнпвснта передачи тока от тока эмиттера 0 гО 40 00 Вага,ий 247 .оянное напряжение коллектор-змиттер прн =0,5 В Т= 2!3 — 346 К (при Т= ЗЗЗ К ГТЗОЗА, ГТЗОЗБ, ГТЗОЗВ)........
!5 В П стоянное напряжение коллектор-база (в схеме общей базой) при Т= 213 — 346 К (при Т- ЗЗЗК ГТ305А, ГТ305Б, ГТ305В) П -тоянное напряжение эмнттер-база при Т = 213 — 346 К (при Т= 333 К ГГ305А-ГТ305В) 1,5 В Постоянный ток коллектора при Т= 213 — 308 К, при Т= 308 — 346 К <при Т = 333 К ГТ305А, ГТЗ05Б, ГТ305В) . °........ 5,2 $/358 — Т мА Вмпульсный ток коллектора при т» с 10 мкс, С Рк чаям Т = 21 3 — 346 К (при Т = 333 К П 305А, ГТ305Б, ГТ305В)........ !00 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т= 213 — 298 К °........
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
