sprav_tranzistor (529834), страница 35
Текст из файла (страница 35)
3 дБ 4 дБ 20-70 бО-180 300 пс 500 цс 38 Ом 3 мкСм Предельные зкевлуатащюивые данные Постоянное напряжение ко злектор-змиттер прн Нвэ = !О кОм прн Ньз = 200 кОм Постоянное напряжение коллектор-база . Постоянный то«коллектора Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при !О В 6 В !2 В 10 мА Т = 233 — 308 К...............
20 мВт Тепловое сопротивление переход. среда....... 2 К/мВт Температура перехода............. 348 К Температура окружающей среды......... От 233 до 328 К Приме чан не Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т= 308 — 328 К определяется пе фо Рк „= (348 — Т)/2. 255 1ТЗ20А, 1Т320Бт 1Т320В, ГТ320А, ГТ320В П320В яглгер лЕхязер Элекзричесиие параметры Граничная частота при ггкз = 5 В, уз = 1О мА не менее: ГТ320А . ГТ320Б . 1Т320А, 1Т320Б, ГТ320А 1Т320В Постоянная времени цепи обратной связи прн 11кв = 5 В, уз = 5 мА, ~'= 5 МГп не более !Т320А, ГТ320А, 1Т320Б, ГТ320Б, 1Т320В ГТ320В .
Время рассасывания при гкм,=10 мА, = 1 мА не более: ! Т320А, 1ТЗ20Б, 1ТЗ20В ГТ320А . ГТ320Б . ГТ320В . типовое значение 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при ГГкв = ! В, Уз = !О мА: при Т= 293 К ГТ320А ГТ320Б ГТЗ20В 80 МГц 120 МГц 160 МГц 200 МГц 500 пс 600 пс 200 нс 400 нс 500 нс 600 ис !50" нс 20 — 80 50-120 80-250 Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-лтр персьщ ключа.
тельные высокочастотные маломощные Предназначены для применення в схемах переключения и 1 и !он. пения сгггналов высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводам лами. Обозначение типа приводится на боковой поверхпосзи корпуса Масса транзистора не более 2,2 г. при Т= 298 К: 1Т320А 1Т320Б !ТЗ20В при Т = 213 К 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В .
при Т = 343 К ие менее; 1ТЗЗОА 1Т320Б 1Т320В 1 раннчное напряжение при 7э = !О мА не более: !Т320А 1Т320Б !Т320В типовое значение ": 1Т320А 1Т320Б !Т320В Напряжение насыщения коллектор-эмнттер прн 1к —— 200 мА, Тв = 20 мА не более: !ТЗ20А, 1ТЗ20Б, 1Т320В ГТЭ20А, ГТ320Б, ГТ320В . типовое значение 1Т320А, !Т320Б, 1Т320В Напряжение насыщения база-эмиттер при !к = = 10 мА, /в = 1 мА не более: 1Т320А, !Т320Б, !Т320В . ГТ320А, ГТ320Б, ГГ320В .
типовое значение для 1ТЗ20А, !Т320Б, !ТЗ20В Обратный ток коллектора не более; !Т32ОА, !Т320Б, 1Т320В при Т = 298 К, !гкв=20 В . ГТ320А, ГГ320Б, ГГЗ20В при Т = 293 К, ггкк = 20 В ГТ320А„ГТЗ20Б, ГТЗ20В при Т = 293 К, !гик=5 В 1Т320А, 1Т320Б, !ТЗ20В при Т = 343 К, 1/кв = 15 В Обратный ток эмиттера !гэв --2 В не более; 1Т320А, 1Т320Б, !Т320В при Т = 298 К . ГТ320А, ГГ320Б, ГТ320В при Т = 293 К . Емкость коллекторного перехода при !7кв = 5 В нс более Емкость эмиттерного перехода при пэк = 1 В не более Попупроиопиикооыо приборы 40 — 100 70 — 1бО 100-250 От 0,6 до 1,2 значения при Т= 298 К 40 — 1,75 значения при Т= 298 К 70-1,75 значения пРи Т=298 К 100-2 значения пРи Т= 298 К !4 В !2 В !О В 15,5 В 13,5 В !1 В 1 В 2 В 0,43* В 0,45 В 0,5 В 0,3» В 5 мкА 10 мкА 2 мкА 150 мкА 50 мкА 50 мкА 25 пФ 257 Предельные эксплуатапиоииые данные Постоянное напряжение коллектор-база: при Тс 318 К при Т= 343 К Постоянное напряжение коллектор-эмиттер прн запертом эмиттере: при Тс 318 К при Т= 343 К Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при Дэа= = 0 !ТЗ20А, 1Т32ОБ, 1ТЗ20В: прн Т= 213 —: 318 К при Т= 343 К Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Яэа = =1 кОм: при Тс 318 К: 1Т320А ГТ320А, !Т320Б ГТ320Б !Т320В П320В при Т= 343 К: 1Т320А !Т320Б 1Т320В Постоянное напряжение эмиттер-база: при Тс 318 К при Т= 343 К Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Яэа = О, т„с! мкс, !2>10: при Тс 318 К при Т= 343 К Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при запертом эмиттере, т» с ! мкс, Д > 10 1Т320А, !Т320Б, 1Т320В: ри Т=ЗП ьИ8 К .
при Т= 343 К Постоянный ток коллектора при Т и 318 К: 1Т320А, !Т320Б, 1Т320В . ГТ320А, ГГ320Б, ГГ320В при Т = 343 К 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В Импульсный ток коллектора при т» < 5 мкс, Д и 1О: при Тп 3!8 К при Т= 343 К Постоянная рассеиваемая мощность; при Т = 2! 8 —: 318 К для ГТ320А, ГГ320Б, ГТЗ20В при Т = 213 + 323 К для 1Т320А, 1Т320Б, !Т320В прн Т= 343 К 20 В 15 В 20 В !5 В !5 В !О В 14 В !2 В 11 В 10 В 9 В 12 В 10 В 8 В 3 В 2,5 В 25 В 20 В 25 В 20 В 200 МД !50 мА !ОО мд 300 мА 250 мА 200 мВт 200 мВт !00 мВт „ульсная рассеиваемая мощность «мгновенное эначе- НИЕ) П«ЪИ тя С 5 МКС, «2 р 1О: при Гс 318 К при Т= 343 К «).
щее тепловое сопротивление лля 1ТЗ20А, 1Т320Б, 1ТЗ20В Температура перекопа Температура окружающей срелы 1Т320А, «Т320Б, 1ТЗ20В От 213 до 343 К От 218 ло 343 К ГТЗ20А, ГТ320Б, ГТЗ20В «,г 1,0 05 045 ог 0 50 100 15а гаа 25ОГя,мД Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 1,г 1,0 1,2 1,0 0,2 е Оф ~~ 04 О,г 0 50 100 150 200250Гя,мЯ Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора.
аз ОЧ ' 0,35 О,е а,г5 а,г 213 233 252 275 гуг 313 тк Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры. еэ 02 *0,6 0,4 0,2 О 213 233 253 гуг гаг 213 г«« Зависимость напряжения насыщения оаэа-эмиттер от температуры. вз Оа 0,8 ~ 0,4 1 Вт 0,7 Вт 200 К/Вт 363 К гаа гбо 950 йаа гао ,.
!50 " таа 350 '„- 300 " гоа гао о 150 г!3 ггг г53 гт3 го3 3!гт,г г!г ггг г53гтг гаг г!от,г Зависимость времени рассасыва- ния от температуры. 3 ависимость времени рассасыва- ния от температуры. 1Т321А, 1ТЗ21Б, 1Т321В, 1ТЗ21Г, 1Т321Д, 1Т321Е, ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е ентер Электрические параметры Граничная частота при (/ка =!О В, тз =!5 мА не менее 61остоянная времени цепи обратной связи прн !тип =10 В, та =!5 мА, т= 5 МГц не более: 1Т321А, ! Т321Б, 1Т32!В, 1Т32!Г, !Т321Д, 1Т321Е . ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В.
ГТ321Г, ГТ32!Д, ГТ321Е . 6$ МГц 400 пс 666 пс Транзисторы германиевые конверсионные р-и-р переключательные высокочастотные маломо~пные. Предназначены длв применения в схемах переключения Выпускаются в металдостеклянном корпусе с гибкими выводами, Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Вывод змиттера на буртике корпуса маркируется цветной меткой. Масса транзистора не более 2,2 г.
Время рассасывания при 7к„„= 700 мА не более: !ТЗ21А, ГТЗ21А, 1Т321Г, ГТЗ21Г при э,=70 МА 1ТЗ21Б, ГТ321Б, 1ТЗ21Д, ГТЗ21Д при 1ь нас 1Т321В, ГТ321В, ! Т321Е, ГТЗ2! Е при !ь «д = 17,5 г !А . Статический коэффипиент перелачи тока я сяеме с общим эмигтером при ггкэ = 3 В, гк = 500 мА: прн Т= 293 К ГТЗ21А, ГТЗ21Г . ГТ321Б, ГТ321Д . ГТЗ21В, ГТ32!Е . при Т = 298 К: 1Т321А, 1Т321Г . 1Т321Б, 1Т32!Д . 1ТЗ21В, 1ТЗ2!Е . при Т = 2!3 К 1ТЗ21А, !ТЗ2!Б, 1Т321В, 1ТЗ21Г, 1Т321Д, 1Т321Е при !7кэ = 8 В.
7к = 1,5 А не менее: 1Т321А, 1Т321Г, 1Т321Б, 1ТЗ21В, !Т321Д, 1Т321Е . Граничное напряжение при Т = 298 + 343 К, 7э = 700 мА не менее: 1Т321А, !Т321Б, !Т321В 1Т321Г, 1Т32!Д, 1Т321Е Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при !и = 700 мА не более: 1Т321А, ГТ321А, 1Т321Г, ГТ32!Г при За=140 мА . 1Т321Б, ГТ321Б, 1Т321Д, ГТ321Д пра 7ь= 70 мА 1Т32!В, ГТЗ21В, 1Т321Е, ГТ321Е при та=35 мА Напряжение насыщения база-эмиттер при 7к = = 700 мА не более: 1Т321А, ГТ32! А, 1Т321Г, ГТ32! Г при Рь=!40 мА .
1Т321Б, ГТЗ2! Б, 1Т321Д, ГТ321Д при 7ь=70 мА 1Т321В, ГТ32!В, 1ТЗ21Е, ГТЗ21Е при ба=35 мА Обратный ток коллектора не более: при Т=293 К; ГГ321А, ГТ321Б, ГТ321В пРи 27кь = =60 В 1 мкс 1 мкс 1 мкс 20 — 60 40 — 120 80 — 200 20-60 40-120 80-200 От05ло2 значений прн Г= 298 К 15 20 45 В 35 В 2,5 В 2,5 В 2,5 В 1,3 В 1,3 В 1,3 В 500 мкА 262 ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е при Ока = =45 В при Т=298 К 1Т321А, !Т321Б, 1ТЗ21В прн !Iкь = =60 В 1Т321Г, 1Т32!Д, 1Т321Е при !/кк = =45 В 1Т321А, 1ТЗ21Б, ГГ321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т32! Е при !/ка = 30 В при Т= 343 К, !/ка = 30 В 1Т321А, 1Т32!Б, 1ТЗ21В, 1Т32!Г, !Т321Д, !Т321Е Обратный ток коллектор-эмиттер при Якэ = 100 Ом не более 1Т321А, ГТ321А, 1Т321Б, ГТ321Б, !Т321В, ГТ32!В, при !/кэ = 50 В 1Т321Г, ГТ321Г, 1Т321Д, ГТ321Д, !Т321Е, ГТ321Е при !/кэ = 40 В Емкость коллекторного перехода при г/кк = !О В не более Емкость змиттериого перехода при !/эк = 0,5 В не более !Т321А, 1Т321Б, 1Т32!В, !Т321Г, 1ТЗ21Д, 1Т321Е ГТ321А, ГТЗ21Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е .
500 мкА 500 мхА 500 мкА 100 мкА !.2 мА 08 мА 0,8 мА 80 пФ 550 пФ 600 пф Прелельиые эксилуатмгноииые данные Постоянное напряжение коллектор. база при Т= 213— — 318 К 1Т32!А, 1Т321Б, 1Т321В . 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е при Т= 343 К для 1Т321А, !Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т32!Е Постоянное напряжение коллектор-амит тер при Т = 213— 293 К, /гкэ и 100 Ом 1ТЗ21А, 1Т321Б, 1ТЗ21В . 1Т321Г, !Т321Д, 1ТЗ21Е .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при отключенной базе ГТ321А, ГТ32!Б, ГТ32!В ГТЗ21Г, ГТ321Д, ГТ32!Е Постоянное напряжение эмиттер-база !Т321А. !Т321Б, 1ТЗ2!В . 1Т3211, 1Т321Д, !Т32! Е Импульсное напряжение коллектор-база при т» и 30 мкс 1ТЗ21А, 1Т321Б, !Т32!В 1Т321Г, 1ТЗ2!Д, 1Т32!Е Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Янэ и ж !00 Ом, т» с 30 мкс: 262 60 В 45 В 30 В 50 В 40 В 40 В 30 В 4 В 2,5 В 60 В 45 В 50 В 40 В 200 мА 30 мА 1ТЗ21А 1Т32!Б 1ТЗ21В 1ТЗ21Г 1Т321Д, 1Т321Е Г!остоянный ток кочлектора, !3 стоянный ток базы , 13 узьсный ток коллектора при тч ч 0 мкс 13 мпу „рн Г43!8 К . при при Г = 343 К 1Т32!А, 1ТЗ21Б, 1Т321В, 1ТЗ21Г, !ТЗ21Д, !Т321Е . Импульсный ток базы при т„н 30 мьс Постоянная рассеиваемая мощность при Г< 318 К при Г= 333 К при Г = 343 К 1Т321А, 1Т321Б.
1Т321В. 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е 14мпульсная рассеиваемая мощность при тя < 30 мкс при Г Н 318 прп при Г =, 343 К 1Т321А, 1Т321Б, ! ТЗ21В, 1ТЗ21Г, 1ТЗ21Д. 1Т321Е Общее тепловое сопротивление" !ТЗ21А, 1ТЗ2!Б, 1ТЗ2!В, 1ТЗ21Г, 1ТЗ2!Д, 1Т32!Е Температура перехала ГТ321А, ГТ321Б ГТ321В, ГТ321Г ГТ321Д, ГТ 321 Е 1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, !ТЗ21Д, 1Т321Е Температура окружающей среды 1Т321А, !Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т32!Д, 1Т321Е 2 А 1,64 А 1,5 А 0,5 А 160 мВт 100 мВт 60 мВт 20 Вт 15,2 Вт !2 Вт 250 К!Вт 353 К 358' К От 2!3 до 343 К йгтЭ гоо 19 1,Х у,г тго 90 1,0 0,9 0,9 'га гбэгбг гэз г93 гугт,к о о,г50,50,25 1 э,гут„д Зона возможных положений зависимости статического козффипиента передачи тока от тока коллектора Зависимость относительного статического козффицнента передачи тока в схеме с общим змиттером от температуры ГТ32!А, ГТЗ21Б, ГТ32!В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТЗ2!Е .
. . . . . . . . . . . . . . . . От 2!8 до 333 К 1,0 0,9 с,5 г,п г,5 ". г,п 1,5 00 х 0,7 ~ 0,5 0,5 1,а п,ц 0,5 'гпз зоз 515 ггг 555 595 79 'г95 гоз 515 ггг газ зцз 7,5 Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения база-эмиттер от темпера- туры Зона возможных положений зависимости напряжения пасы. щения коллектор-эмиттер от температуры. 50 О гп 90 50 Вп 100 гэа,пм 0 гп 90 50 80 100 гзх Пм Зависимость максимально допустимого постоянного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления в цепи базаэмит гер.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
