sprav_tranzistor (529834), страница 42
Текст из файла (страница 42)
= 398 К 2ТЗООА, 2ТЗООБ, 2ТЗООВ, 2Т306Г при — 2 0братны ток эмиттепа пРи Т = 98 К, 67эв = 4 В не более е сопротивление в скеме с общей базой в ре- Вхолное малого сигнала при С'кв = 5 В, 17 = 5 мА, ! кГп 2ТЗООВ. КТЗООВ, 2Т306Г, КТЗООГ, КТЗООД ие более ° тип иповое значение ь кочлекторнога перехола при Пкь 5 В не Бмкост более . типовое значение ь эинттерного перехола при бзв 0 не более типовое значение Бмкость конструктивная межлу выволами коллектора и эмиттера дилуктивность выволов змиттера и базы" при 1 = !О мм Прелельиые эксплуатационные лаиные Постоянное напряжение кочлектар-база .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер прп 7!за с <3 кОм Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора . Постоянный ток коллел тора в режиме насыщения . Постоянная рассеиваемая мощность 2Т306А, 2ТЗ06Б, 2ТЗООВ, 2Т306Г при Г = 2!3 — 363 К, р л 6650 Па при Т = 2!3 — 363 К, р = 665 Па при Г= 398 К .
КТ306А, КТЗООБ, КТЗООВ, КТЗООГ, КТЗООД: при Т = 2!3 — 363 К при Т= 398 К, 0,5 мкА !О мкА ! мкА ЗО Ом 8* Озз 5 пФ 3* пФ 4,5 пФ 3* пФ 0,55 пФ !! нГн !5 В !О В 4 В 30 мА 50 мА !50 мВт !00 мВт 75 мВт !50 мВт 60 мВт 1,1 1О 0,9 09 О,7 Озб 05 О,б 3!! 1,1 1,О ~ ~99 О7 О 10 Зависимость статического Релачи то«а гО И 4О 5979,мй относительного коэффициента пе- ат тока змиттера. О,у ' О 5 1О 19 гО 957„нй Зависимость относительной граничной частоты от тока зчиз- тера. Общее тепловое сопротивление . Температура перехода Температура окружающей орели . 474 К1В- 423 К От 213 ло 398 1г 0,0 213 гчз 271 зпу юзз 3037,к О б 1О 10 гП 2УТ„мД Зависимость относительного напряжения насыщения коллекторэмиттер от тока коллектора.
Зависимость относительного иа. пряжения насыщения коллектор. эмиттер от температуры. 14 1,Х , "1,г 11 > я 1,0 ~О,О 00 2Т307А-1, 2Т307Б-1, 2Т307В-1, 2Т307Г-1, КТ307А-1, КТ307Б-1, КТ307В-1, КТ307Г-1 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные л-р-л универ" сальные высокочастотные и СВЧ маломощные. Предназначены для переключения и усичения сигналов высокой частоты. Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкимн выводами и защитным покрытием на основе эпоксидной смолы. Выпускыотся в сопроводительной таре.
Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,002 г. ЗИ 2,4 г,п е 1е *. О,о ~ О,Ч 0 5 10 1У 20 2УХК,к4 Зависимость относительного напряжения насыщения база-змиттер от тока коллектора. 1,4 1,3 и г,г 1,1 ' 1,0 о,о 1эЧ У й 1,2 " 1,0 00 0,0 213 2ЧЗ 272 ЗОУУЗХЗОЗТ,К Зависимость относительного напряжения насыщения база-эмпт- тер от темпера гуры. ев База лэер Коллектор ЗОО МГц 250 МГц 30 нс 50 нс 20 40 80 1О 20 40 20 40 80 10 В 5 В 0,4 В 313 Электрические параметры Граничная частота прн Укя = 2 В, 1э = 5 мА не менее 2Т307А-1, 2Т307Б-!, 2Т307В-!, 2Т307Г-1 . КТЗ07А-1, КТ307Б-1, КТ3078-1, КТ307Г-1 .
Время рассасывания прн 7к „„= 10 мА, Еа, = 1 мА, !кэ = 1,2 мА, Рк = 75 Ом не более 2Т307А-!, 2ТЗ07Б-1, КТЗ07А-!, КТ307Б-1, КТЗ07В-1, КТ307Г-1 2Т307В-1 . Статнческий коэффициент перелачн тока в схеме с общнм эмиттером прн Ек = О, !к =!О мА не менее прн Т= 298 К 2Т307А-1, КТ307А-1 . 2Т307Б-!, 2Т307В-1, КТЗО7Б-!, КТ307В-1 . 2Т307Г-1, КТЗ07Г-1 . при Т= 2!3 К 2Т307А-1 . 2Т307Б-!, 2ТЗ07В-! 2ТЗ07Г.1 при Т= 358 К 2ТЗ07А-! .
2Т307Б-1, 2ТЗ07В-1 2Т307Г-1 Граннчное напряженне прн 1э = 1 мА не менее 2Т307А.!, 2ТЗ07Б-1, 2Т3078-1, 2Т307Г-1 ° КТ307А-1, КТЗ07Б.!, КТ307В-1, КТ307Г-! . Нап Ряжение насыщения коллектор-эмиттер при Тк = =20 мА, Та=2 мА не более .. ° Гэ = 2 мА не более Обратный ток коллектора прн Гзкк =!0 В не более: при Т= 298 К . при Т= 358 К 2Т307А-1, 2Т307Б-1, 2Т307В-1, 2Т307Г-1 .
Обратный ток эмиттера при Т= 298 К, !7эь = 4 В не более . Емкость коялекторного перехода при Г7кк = ! В ие более: 2Т307А-1, 2Т307Б-1, 2Т307В-1, 2ТЗ07Г-1 КТЗ07А-1, КТ307Б-1, КТЗ07В-1, КТ307Г-1 Емкость эмиттерного перехола при !зэк = 1 В не более 1,1 В 0,5 мкА 10 мкА 1 мкА 5 пФ б пФ 3 пФ Прелельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база . Постоянное напряжение коллектор-эмиттер 21эв с 3 кОм .
Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллекюра ИМпуЛЬСНЫй тОК КОЛЛЕКтОра Прн тч С 10 МКС, ЬЗ Постоянная рассеиваемая мощностью при Т= 213+ 328 К при Т = 358 К . Общее тепловое сопротивление . Температура окружающей среды 15 мВт 5 мВг 3 К1мВт От 213 до 358 К П р и м е ч а н и е. При эксплуатации транзисторов в составе микросхем должен оыть обеспечен теплоотвод от кристалла с Ят < 3 К1мВт. 1,г 1,1 1,0 ч. т 0,6 0,0 0,65 060 0,7 0,6 О 4 В 1г Гв гОТ„ид О 4 В 1г 16 гога,мд Зависимость относительного стазического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером от тока коллектора.
Зависимость относительной граничной частоты от тока эмиттера. 314 1,10 1,05 Л 100 Ц 005 090 10 В прн 10 В 4 В 20 мА л10 50 мА й,4 А!2 7,75 и цэ 7,7П 7,05 О85 а 90 гг,иА 273 ЯЧЗ 875 У!23 ЗЗЗ ЮВЗТ,К О 772 гп г Зависимость относительно~о напряжения иасынгения база-эмиттер от температуры Зависимость относительного на. пряжения насыщения колчекторэмиттер от тока коллектора 1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т31Ц~ 1Т311Л, ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТ311И Транзисторы германиевые планариые л.р-и универсальные Предназначены лля усичения сигналов высокой и сверхвысокой частот в работы в схечых перекчючения Выпускаются в метал чостекляняом корпусе с гибкими выводамн Обозначение типа приволится на корпусе Масса транзистора не более 2 г Электрические параметры Статический коэффипиент перелачи тока в схеме с общим эмиттером при 72к = 3 В, /э = 15 мА при Т= 298 К 1ТЗ1! А 1Т31! Б 1ТЗ11Г 1Т31!Д, 1ТЗ11К .
1Т311Л ГТЗ! !Е ГТ311Ж . 315 р 7,5 -~~ 7,2 8 0,8 Яо,и 15-180 30-180 30 — 80 60- 180 150- 300 15-80 50 — 200 гти!и .. типовое значение ч: 1тз!!А . 1ТЗ11Б !тз!!г . ггз!!д . !ти!к .. !тз!!л . при Т = 213 К !Т31! А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1ТЗ11Д, !Т311К, !Т311Л не менее при Г= 233 К; ГТ311Е ГТЗ!1Ж . ГТЗ11И . при Г= 328 К: ГТ311Е ГТ311Ж, ГТ311И .
при Т= 343 К не более; !Т311А, 1Т31!Б, !Т31!Г, 1ТЗ!!Д, 1Т311К 1ТЗ! 1Л Граничная частота при 67н = 5 В, /э = 5 мА: 1Т311А, 1Т311Б . 1Т311Г, 1Т31!К . 1Т311Д, 1Т311Л . ГТЗ!1Е не менее . ГТ31! Ж не менее !'Т31!И пе менее типовое значение *: 1ТЗ11А 1Т31!Б !ТЗ!!Г !Т31!Д, 1Т31!К . 1Т311Л Постоянная времени цепи обратной связи при !7н =- 5 В, Iэ = 5 мА, 7'= 5 МГц не более: 1ТЗ!1А 1Т311Б, ГТ311Ж, ГТ31!И !Т31!Г, 1Т311Д, !Т31!К, 1ТЗ!1Л, ГТ311Е типовое значениеч: 1ТЗ!1А 1Т311Б 1ТЗ!1Г 1Т311Д, 1Т311К, !Т311 Л . Коэбзфицнент шума при !тк = 5 В, !э — — 5 мА, т = 60 МГц, Я„= 75 Ом не более .
низовое значение*: 316 100-500 72 79 58 !12 !14 223 10 и 0,35 зна зенвя при Г = 298 !т 10-80 25-200 50 — 300 15-150 50-350 100-500 300 и 3 значения при Г=298 К 500 и 3 значения при Т= 298 К ЗОО- !ООО МГц 450- 1500 МГц 600- 1500 МГц 250 МГц 300 МГц 450 МГц 770 МГп 520 МГц 560 МГп 830 МГц 870 МГп 50 пс 100 пс 75 пс Зб пс 42 пс 46 пс 58 пс 8 дБ 4,7 лБ 5,1 дБ 5,г дБ 5,9 лБ 5,5 дБ 2,5 пФ 1,8 пФ 1,5 пФ 5 пФ 4,1 пФ 42 пФ 3,9 пФ 4,0 пФ 50 нс 10 В 8 В 128 В !2,6 В !гг в 11,7 В 5 В 0,3 В 0,15 В 0,6 В 043 В 5 мкА 1О мкА !О мкА 60 мкА 30 мкА 317 1ТЗ! 1А ГГИ1Б . 1Т311Г, 1ТЗ!1Л .
1Т311Д !тз! ! к Емкость к оллекторного перехода п „ !7„ ие более . типовое значение *; 1ТЗ!!А, 1ТЗ!1К, 1ТЗ!!Л . 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д . Емкость эмиттерного перехола при 47зк = 0,25 В 1ТЗ!1А, !Т311Б, 1Т31!Г, 1Т31!Д, ! ! 31!К 1ТЗ!1Л нс более типовое значение ". 1Т311А !Т311Б !Т31!Г 1ТЗ!!Д, 1Т31!К,1ТЗ!1Л . Время рассасывания при !и = 20 мА !ТЗ!1А !Т31!Б, 1Т311Г, 1Т311Д, !ТЗ!1К, !ТЗ!1Л не более Граничное напряжение при зз = 10 мА: прн Т = 298 К не менее. !тз!!А 1ТЗ!1Б, 1Т31!Г, 1Т31!Д, 1Т311К, 1Т311Л типовое значение ": 1Т311А 1ТЗ11Б 1ТЗ!!Г, 1ТЗ11К . 1Т31!Д, 1Т31!Л . при Т = 343 К !Т311А, 1ТЗ!1Б, 1Т311Г, !Т311Д, !Т311К, 1Т31!Л не менее Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при зк = 15 мА, Гк = 1,5 мА не более . типовое значение" !ТЗ1!А, !Т311Б, 1ТЗ!!Г, 1Т311Д, 1ТЗ11К, 1ТЗ!1Л Напряжение насыщения база-эмиттер при гк = = 15 мА, гв = 1,5 мА не более .
типовое значение* 1Т311А, !Т31!Б, 1Т311Г, 1Т311Д, !ТЗ1!К, 1731!31 Обратный ток коллектора не более: при Т= 213 и 298 К, !7кк= 12 В 1Т311А, !Т31!Б, !ТЗ11Г, 1ТЗ1!Д, 1ТЗ11К, 1Т311Л при Т= 233 и 298 К, !7кк = 12 В ГТ311Е, ГТЗ11Ж при Г= 233 и 298 К, !гаев = !О В ГТ311И ПРИ Г= 328 К !гкв = 7 В ГТ311Е ГТ311Ж, ГТ311И . пр Г=34З К, и, =7 В !Тз!!А, 1тз!!Б, !ТЗ11г, 1тз11д, !тз!1к, !Тз1 !л . Обракный ток эмиттера не более: при !Зэь = 2 В 1Т31! А, !ТЗ!! Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л при У~ь = 2 В ГТ311Е, ГТ311Ж при !7эь = 1,5 В ГТ31!И 10 МКА 15 мкА 15 мкА Прелельцые эксплуатационные данные Посзоянное напряжение коллектор.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
