sprav_tranzistor (529834), страница 45
Текст из файла (страница 45)
1,0 чс 0 9 з чУ 0,9 0,7 О,в 'о 5 10 15 гог57, Зависимость относительной граничной частоты от тока эмит- тера. 0,9 МОВ Я0,7 п,в Зависимость относительного максимально допустимого постоянного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления в цепи база-эмиттер. 332 о,в ' О г,5 5 7,5 10 1г,ви„в з Зона возможных положений за. висимости относительного ста. тического коэффициента пере. дачи така от напряжения код. лектор-база. О,в ' О г,5 5 7,5 10 19,5 Ока,о Зависимость относительной граничной частоты от напряжения коллектор-база. 0 1 г в и' 5 511,хои 119 ' Интегральная кривая распреде.
пения входного сопротивления в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала. к329А, 1ТЗ29Б» 1Т329В» ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТЗ29Г Электрические параметры Грзннчная частота при !7кв = 5 В, 1з = 5 мА не менее !Т323А, ГТ329А . 1Т329Б, ГГ329Б . 1Т329В, ГТ329В . ГТ329Г Постоянная времени пепи обратной связи при !7кн = 5 В, уз = 5 мА, у = 30 МГц не более 1Т329А, ГТЗ29А, ГТ329Г .
1ТЗ29Б 1Т329В, ГТ329Б, ГТ329В . Коэффициент шума при 67кк = 5 В, Уз = 3 мА пРи 7 = 400 МГц, Яг = 75 Ом не более 1Т329А, ГТ329А 1Т329Б, 1Т329В, ГТЗ29Б, ГТ329В ГТ329Г цРи 7 = 60 — 400 МГц, Яг = 75 Ом, типовое значение . при у = 600 МГц, Яг = 50 Ом, типовое значение при У= 900 МГц, Яг = 30 Ом, типовое знао „„ чеине ""з"маиьное сопротивление генератора при измерении коэффициента шума ' 1,2 ГГц 1,7 ГГц 1,0 ГГц 0,7 ГГц 15 пс 30 пс 20 пс 4 дБ 6 дБ 5 дБ 3,5» дБ 4* дБ 5' лБ 333 изисторы германиевые планарныс и-р-л СВЧ усилительные 1'раизис „„ованным коэффициентом шума на частоте 400 МГц нормир дназначены лля применения во входных и последующих ах усилителей высокой частоты и СВЧ каскадах у В |пускаются в мсталлостеклянном корпусе с гибкимн полоскоВыпу выводами Обозначение типа приводится ца крышке корпуса выпи выв '"ра н, б 5 мкА 50 мкА при у= 60 МГп...
° ° ° ° ° ° ° ° ° ° 75 — 100 гз, при У= 180 + 400 МГц. ° . ° ° ° ° ° ° 50 Ом Диапазон частот, соответствующий равномерному спектру шумов !область белого шума) '..... ° ° ° ° 1 — 400 М1, Коэффипнент усиления по мощности" при !Зкн = 5 В, Зз = 5 мА, Г=- 400 МГп ° ° .. ° ° ° ° ° ° 6 дБ Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером прн Цп; = 5 В, 1з = 5 мА: при Т = 298 К...... ° ° ° ° ° ° ° 15-300 при Т= 213 К 1Т329А, !Т329Б, !Т329В.....От 1/ до ! 2 !до!2 значения при Т = 298 К при Г= 343 К 1Т329А, !Т329Б, !ТЗ29В.....От 0,8 до 25 значения при Т = 298 К Граничное напряжение при уз = 5 мА не менее .
. . 5 В Обратный ток коллектора при Окк = 10 В не более: при у=298 К прн Т = 343 К 1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В . Обратный ток эмиттера не более: при Т= 298 К: при 17эк = 0,5 В ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329Г... 100 мкА при Уэк = 0,7 В !ТЗ29А, 1Т329Б . . . . . . !00 мкА при 17за = 1 В 1Т329В, ГТ329В . . . . . . . 100 мкА при Т = 343 К: при Оэк = 0,7 В 1ТЗ29А, 1Т329Б . . . . .
. 150 мкА при 1гзь = 1 В 1Т329В . . . . . . . . . . 150 мкА Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме малого сигнала при 17кк = 5 В, 1з = 5 мА 1Т329А, !Т329Б, !Т329В не более . . . . . . . . . . . 22 Ом Емкость коллекторного перехода при 11кк = 5 В не более: 1Т329А, ГТ329А, ГТ329Г.......... 2 пФ 1Т329Б, ГТ329Б, 1Т329В, ГТ329В....... 3 пФ Емкость эмиттерного перехода при 17эк = 0,5 В не более................... 3,5 пФ Емкость конструктивная между выводами эмиттера и корпуса '................. 0,5 пФ Емкость конструктивная между выводами базы и корпуса ч................., .
0,5 пФ Емкость конструктивная между выводами коллектора н корпуса".............,... 0,6 пФ Предельиме эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база . Постоянное напряжение коллектор-змиттер; прн Язк с 1 «Ом.........., ° при заданном Онэ . Постоянное напряжение эмиттер-база: ГТ329А, ГТ329Б, ГТЗ29Г 1Т329А, 1Т329Б . 1Т329В, ГТ329В . 334 10 В 5 В 10 В 0,5 В 0,7 В 1 В коллектор-эмиттер в режиме усиления Напра""",иекО„У.» 20 кгн . Яэб гоянн нный ток коллектора, тоянная рассеиваемая мощность пр, Г= 213 — 323 К!Т329А, 1Т329Б,!Т329В .
и 2 = 2!3 — 323 К ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В . ри Г = 343 К 1Т329А 1ТЗ29Б 1ТЗ29В при Г= ЗЗЗ К ГТ329А, ГТ329Б, ГГ329В, ГТЗ29Г. тепловое сопротивление . 1Збшее Температура пеРехода 1Т329А, 1Т329Б, !Т329В . ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТЗ29 Температура окружаюшей сре- 90 лы 5,5 при 5,5 В 20 мА 50 мВт 50 мВт 25 мВт 25 мВт . 0,Я К/мВт 363 К 353 К г,в 1Т329А, ! Т329Б, 1Т329В......
От 213 до 343 К ГТЗ29А, ГТ329Б, ГТ329В, ГГ329Г... От 213 до 333 К ". г5 ч ," г,в ч~ 1,0 0,5 'г 9 В В Гв Угуэ,мд Зависимость граничной частоты от тока эмиттера 1ТЗЗОА, 1ТЗЗОБ, 1ТЗ ЗОВ, 1Т3ЗОГ, ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ Транзисторы германиевые планарные л-р-л СВх! усилительные с нормированным коэффишаентом шума Предназначены для усиления и генерирования электрн 'тричесгп, сигналов.
три Выпускаются в металлостеклянном корпусе, с гибкими пол полоскш ными выводами. Масса транзистора не более 2 г. Электрические параметры Обратный ток коллектора, не оолее: при !гкк = 1О В, Т = 213 и 298 К . при !7кь = 5 В, Г = 343 К . Модуль коэффициента передачи тока при !7кв —— 5 В, уэ = 5 мА, 7'= !00 МГц не менее: !ТЗЗОА, 1ТЗЗОВ, ГГЗЗОЖ 1ТЗЗОБ ! ТЗЗОГ ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ . Коэффициент шума прн Вкк = 5 В, уэ = 5 мА, 400 МГц не более: 1ТЗЗОА ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ . Обратный ток змиттера прн !7эв = 1,5 В не более .
Постоянная времени цепи обратной связи при !7кв = = 5 В, 7э= 5 мА,7 30 МГц не более: 1ТЗЗОА !ТЗЗОБ 1ТЗЗОВ, ГТЗЗОЖ . 1ТЗЗОГ, ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ . Емкость коллекторного перехода при !гкв = 5 В не более: 1ТЗЗОА, 1ТЗЗОБ, ! ТЗЗОВ . 1ТЗЗОГ, ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ . Емкость эмиттерного перехода при Уэк = 0,5 В не более . Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Ук = 20 мА, ув = 2 мА 1ТЗЗОА, 1ТЗЗОГ, ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ не более Напряжение насыщения база-эмиттер при !к = 20 мА. 7в = 2 мА ! ТЗЗОА, 1ТЗЗОГ, ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ не более . 5 мкА 50 мкА 10 15 7 5 5 дБ 8 дБ 100 мкА 25 пс 50 пс !00 пс 30 пс 2 пФ 3 пФ 5 пФ 0,3 В 0,7 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при !7кк = 5 В, 7э = 5 мА: при Т=298 К: 1ТЗЗОА,! ТЗЗОБ, ! ТЗЗОГ, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОД....
30-400 1ТЗЗОВ............... 80-400 ГТЗЗОИ........ ° . ° ° ° 10- 400 при Т= 2!3 К.... ° ° . ° От 0,4 ло 1,2 значения пря Т= 298 К при Т= 343 К........ От 0,5 ло 2,5 значении прн Т= 298 К смя рассас асывания при 1к = 20 мА, 1г, = 2 лзА 1ТЗЗОА, 0 не более.............. 50 нс 1ТЗЗ нос напряжение при 1э = 5 мА !ТЗЗОА, 1ТЗЗОГ Гранин~~~ " .
. . . . . б В не менее . Предельные эксплуатвпиаияые данные П тоянное напряжение коллектор-база: !ТЗЗОА, !ТЗЗОБ, !ТЗЗОВ, 1ТЗЗОГ ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ Импульсное напРяжение коллектор-база: при Т= 213 + 318 К: !ТЗЗОА, 1ТЗЗОБ, 1ТЗЗОВ.......... 20 В ! ТЗЗОГ .
° ° ° ° °........., 18 В при Т = 228 + 328 К ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ 20 В при Т= 343 К: 1ТЗЗОА, !ТЗЗОБ, 1ТЗЗОВ . !ТЗЗОГ Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянное напряжение коллектор-эмнттер 1ТЗЗОА, 1ТЗЗОБ, 1ТЗЗОВ, 1ТЗЗОГ............ 13 В Постоянный ток коллектора . . . . . . . .
. . . 20 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора; при Т = 213 †: 3!8 К 1ТЗЗОА, !ТЗЗОБ, !ТЗЗОВ, 1ТЗЗОГ при Т = 228 + 318 К ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ . при Т = 343 К ! ТЗЗОА, 1ТЗЗОБ, 1ТЗЗОВ, 1ТЗЗОГ . при Г= 328 К ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ . Температура перехода: 1ТЗЗОА, 1ТЗЗОБ, 1ТЗЗОВ, !ТЗЗОГ....... 368 К 1ТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ.......... 333 К Температура окружающей срелы: 1ТЗЗОА, 1ТЗЗОБ, 1ТЗЗОВ, 1ТЗЗОГ..... От 213 до 343 К 1=ГЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ........ От 228 ло 328 К !3 В !О В 15 В !3 В 1,5 В 50 мВт 50 мВт 25 мВт 40 мВт У а 1 8 ЯО '8 0,7 ел ~ мОб 0,5 0 1 ч ел «0,1 0,01 015 ОЗУ 053 873 ЯЯЯ 513 7,К Зона возможных положений зависимости обратного така коллектора от температуры.
10 10х 103 104 Рву,ои Зона возможных положений зависимости относительного пробивного напряжения коллекторэмиттер от сопротивления базаэмиттер, 337 0 г ц в в 100„„В Зона возможных положений за. нисимости относительного мо. дуля коэффициента перелачн тока от напряжения коллектор. база. Зона возможных положений зависимости относитечьного модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера О г Ц В В 101у,нД 2Т331А-1, 2Т331Б-1, 2Т331В-1, 2Т331Г-1, 2Т331Д-1, КТ331А-1, КТ331Б-1, КТ331В-1, КТ331Г-1 Транзисторы кремниевые плаиарные л-р-н высокочастотные я СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц, Предназначены для усиления ЩЛ и генерирования сигналов высокой частоты Бескорпусные, без кристалло! лержателя, с гибкими выводами н защитным покрытием эмалью Ви.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
