sprav_tranzistor (529834), страница 48
Текст из файла (страница 48)
Постоянная времени цепи обратной связи при !7кэ = 2 В, Г= 5 МГц не менее при 7э = 3 мА 2Т366А-1, КТ366А . при 7э = 5 мА 2Т366Б-!, 2Т366Б1-1, КТ366Б прн 7э = 10 мА 2Т366В-1, КТЗббВ Время рассасывания не более при 7к = 3 мА, 7ь = 0,3 мА 2Т366А-1, КТ366А при гк =!О мА, 7ь = 1 мА 2Т366Б-!, 2ТЗббБ1.1, КТЗббБ . при /к = 15 мА, Зь = 1,5 мА 2ТЗ66В-1, КТ366В КоэФФициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при !7кэ = 1 В при Т= 298 К 2Т366А-1, КТ366А при !э = 1 мА, 2ТЗ66Б-1, 2Т366Б1-1, КТЗббБ при Зэ = 5 мА, 2Т366В-!, КТ366В при /э = 15 мА .
при Т= 213 К 2Т366А-1 при 7э = 1 мА, 2Т366Б-1, 2Т366Б1-1 при 7э = 5 мА, 2Т366В-1 при Рэ=!5 мА при Г = 358 К 2Т366А-1 при 7э = 1 мА, 2Т366Б-1, 2ТЗббБ1-! нри !э = 5 мА, 2Т366В-! при 7э=15 мА. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер ие более при 1к = 3 мА, 7г, = 0,3 мА 2Т366А-1, КТ366А, прн 7к = 10 мА, !ь = 1 мА 2ТЗббБ-1, 2Т366Б1-1, КТЗббБ, прн гк = 15 мА, гь = 1,5 мА 2Т366В-1, КТ366В .
Напряжение насыщения база.эмнттер прн !к = 3 мА, 1ь = О,З мА 2Т366А-1, КТ366А, при гк = 10 мА, !ь = 1 мА 2Т366Б-1, 2ТЗ66Б1-1, КТЗббБ . при !к = 15 мА, гь = 1,5 мА 2Т366В-1, КТЗббВ Постоянное напряжение эмиттер-база при!э = 0,05 мА не менее Емкощь колчекгорного перехода прн !Iкь = 0,1 В, 5= 5 МГц не более 2ТЗббА-1, КТЗббА . 2Т366Б-1, 2Т366Б1-1, КТ366Б . 2ТЗ66В-!, КТЗббВ Емкость эмиттериого перехода при 77эь = 0,1 В, 7 = 5 МГц не более 2ТЗббА-!, КТЗ66А 2Т366Б-1, 2Т366Б!-1, КТ366В 2Т366В-1, КТ366В . 10 8 10 60 нс 50 нс 40 нс 50 нс 80 нс !20 нс 50 — 200 20 — 200 50- 300 0,25 В 0,8-0,87 В 0,78 — 0,85 В 0,57 В 1,1 пФ 1,8 пФ Зз пФ 0,8 пФ 1,8 пФ 3,5 пФ „,й ток коллелзора при Икв = 15 В не более лрн Т= 358 1369»тны иыгз ток коллектор-эмиттер при 17кэ =.
10 В 1убрвтны тный тех эмиттера при бтэк = 4,5 В не более при Т= 298 К пря Т= 358 К О,! „кА 0,5 мкА 0,5 мкА о,! м,А 0,5 мкА Предельные эксплуатаниоииые даияыс оянное напряжение коллектор-база . Постоянное напряжение коллектор-эмиттер ° тоянпое напряжение змиттер-база . Постоянный тол коллектора 2ТЗббА-1, КТЗббА, 2ТЗ66Б-1, 2Т366Б1-1, КТ366Б, 2Т366В-1 КТ366В Импульсный ток колчекгора при т» < 10 мкс тельиости периода, равной 30 мкс 2Т366А-1, КТЗббА 2ТЗббБ-1, 2ТЗббБ1-1, КТЗббБ . 2ТЗ66В-1, КТЗ66В Постоянная рассеиваемая мощность 2Т366А-1, КТ366А при Яг = 1 КумВт при Т =- 343 К при Т= 358 К 2ТЗббБ-1.
2ТЗббБ1-1 КТ366Б при йт = 0*6 при у<343 К. при Т= 358 К 2Т366В-!, КТ366В при Ят = 0,3 Кумйт при Тж 343 К при Т= 358 К . Импульсная рассеиваемая мощность при т» С и ллительности псриола, равной 30 мкс 2Т366А-1, КТ366А 2Т366Б-1, 2ТЗ66Б1-1 КТ366Б . 2Т366В-1, КТ366В Температура псрехола Температура окру,кающей срелы 15 В 10 В 4,5 В 10 мА 20 мА 45 мА и дли- 20 мА 40 мА 70 мА ЗО мВт 15 мВг К7мвт 50 мВт 25 мВт 90 мВт 50 мВг 10 мкс 25 мВт 40 мВт 70 мВт 373 К От 21! до 358 К Примечание При монтаже допускается воздействие темпера«уры 423 К в течение не более 2 ч Выволы лопускается изгибать с радиусом изгиба более 0 3 мм, они и лолжньг закрепляться без натяжения При монщже ие лопускается испочьзованис материазов, вступающи щих в химическое и электрохнмическое взаимодействие с защгщным ым полрытием и другими элементами конструьнип транзистора В качес честве защитного покрытия транзистора используется эмачь ЭП-91 12» 355 бттэ 100 100 тг Бо 0 5 10 15 20 251н,мд 0 5 10 15 го 2510~А Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора Тз, пс 50 Зависимость модуля коэффи.
циента передачи тока от тока коячектора го 10 Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера О 5 10 15 20 25 1э,мА 2Т368А, 2Т368Б, КТ368А, КТ368Б База коллектор амме Электрические параметры Граничная частота при сзкв = 5 В, 1э = (О мА не менее................, .. 900 МГц Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные л-р-и СВЧ усилительные с ненормированным (2ТЗбВБ, КТЗ6ВБ) и нормированным (2ТЗ68А, КТЗБВА) козффиппентами шума на частоте 60 МГц Предназначены для применения во входных и послелующих каскалах усилителей высокой частоты Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводалзи Обозначение тина приводная иа боковой поверхности корпуса Масса транзистора не более ! г типовое значение янная '"" ц'пи обрап!ой связи „,„ „ А У=30 Мгц „, б Гэ-10 м огневое значение Ума при !/кв = 5 60 МГ г 17 75 Ом 2Т368А КТ368А не бочее типовое значение Статическг " '"' передачи Ока Рн Ггкв п!эи Т= 298 К при Т = 213 К 2Т368А, 2ТЗ68Б при 7' = 398 К 2Т368А 2Т368Б анпчпое напряжение при уэ = 1О мА не менее !э типовоезначение.
1'эбратныи тоь коллектора при (/кк — 15 В не более. при Г= 298 К при Х = 398 К 2Т368А, 2Т368Б ОбРатиый ток змиттера пРи Т = 298 К, !Гэк = 4 В, не более Входное сопротивление в схеме с обшей базой в режиме малого сигнала при 1Гкь = 5 В, уз = 1О мА, 7=- 1 кГц не более типовое значение. Емкость коллскторного перехода при Скь = 5 В не более типовое значение. Емкость эмиттерного перехола: при Оэк = 1 В 2Т368А, 2Т368Б не более при !Гэь = ! В 2Т368А, 2Т368Б, типовое значение при Ггэ~ = 4 В КТ368А, КТ368Б нс более .
Емкость консгрукзивная между выводом эмиттера и корпусотз ' Емкость конструктивная между выводом коллектора и корпусом ' . Емкость конструктивная межлу выводом базы и корпусом * Емкость конструктивная между выводами коллектора и эмиттера* Емкость конструктивная между выводами коллектора и базы*.
Внлуктнвность выводов эмиттера и базы" при 1= 3 мм !!ОО* Мгц 15 пс 7' пс 3,3 дБ 2,8* дБ 50-300 25-300 40-500 !5 В 25" В 0,5 мкА 5 мкА 1 мкА 6 Ом 3' Ом 1,7 пФ 1,2 пФ 3 пФ 2ь пФ 3 пФ 0,45 пФ 0,6 пФ 0,4 пФ 0,08 пФ 0,15 пФ 4.5 нГн !5 В !5 В 4 В 20 В 357 Предельные эксплуатационные данные остоянное напряжение коллектор-база . Всстояггнос напряжение коллектор-змиттер при йпь С 3 КОМ Постоянное напряжение эмиттер-база . 1!мпульсное напряжение коллектор-база прн тк с 0,5 мс, йл2. Импульсное напряжение коллеьтор-эмиттер Яэь с 3 кОм, т„к 0 5 мс, Д в 2 . Постоянный ток коллектора Постоянный ток эмизтера . Импульсный зок коллектора при тя с 0,5 мс, Импульсный так эмиттера при т» с 0,5 мс, Постоянная рассеиваемая мощность при Т = 2!3 — 338 К, р > 6650 Па .
при Т = 213 — 338 К, р = 665 Па при Т= 398 К Общее тепловое сопротивление . Температура перехода Температура окружающей срелы при 20 В 30 мА 30 мА 1ев 2 60 мА Д>2 60 мА 1,0 1,5 19 ~ ЦО ОО 0,7 1,2 0,5 1,0 О,Ю ' О 2,5 5 7,5 10 12,50киб Зависимость относительного статического коэффипиента перелачи тока от напряжения коллектор-база 1,2 1,1 1,20 1,15 1,10 ч. ~» 1,05 1,00 1,0 » 0,0 » 0,0 0,7 0,5 'О 5 60 15 гп 0,55 090 251 мА ' О 25 5 75 10 12,50кк,б й ~ра- Зависимость относительной амит- граничной частоты от иапряже.
ния коллектор-база 358 05 0 10 20 30 ЧО 502к,мА Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллек- тора Зависимость относительно пичной частоты от тока тера 225 лзВт 150 мВт 60 мВт 364 КЗВт 423 К От 213 ло 398 К г,о г,5 ,2,0 1,0 Зависимость относительного ко- эффициента шума от частоты.
Зависимость относительного .цмально допустимого по, янног о напряжения ьоллекзр.эмцттер от сопротивления в цепи база-эмиттер 2Т371А, КТ371А Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные л-р-л СВЧ усилительные с ненормированным коэффициентом шума Предназначены лля уси зеиия Зни мер ситца чов свертвысолзм частот Выпускаются в металчокерамическом корпусе с гибкими по шоковыми выводами Обозначение типа приводится на этикетке На крышке корпуса транзистора наносится усчовная маркировка цвет.ь нымн точками 2Т37!А — одна сн- 0,5 0,6 няя, КТ37!А — две синие Келлеклзар Масса транзистора не бо зее О,З г Электрические параметры Г РаинЧНаа ЧаетОта ПРИ 11кв = 5 В, 17 = !О МА НЕ менее, . „...,,,,...,.... 3 ГГц типовое значение 2ТЗ7!А.... °......
З,б ГГц Постоянная времени цепи обратной связи при гткв = 5 В, 1э = !О мА, 1'= ЗО МГц не более !5 пс типовое значение 2ТЗ7!Л........... 8 ч пс Коэффициент шума при 67кк = 5 В, 1э = 5 мЛ, з = 400 МГц 77!. = 75 Ом 2Т37!А........ 4" дБ 359 1,1 1 1,0 а $05 Вар *0,7 ~ 0,5 0,5 г 05 0 Зу,к0м 0,001001 0,1 1 10 1001зМГц 30- 240 ! 5- 240 30-400 10 В 22" В 0,5 мкА 5 мкА 1 мкА 10 Ом 4* Ом 1,2 пф 07» пф 1,5 пф 0,9' пф 0,2 пф 2,5 нГн 0,32 — 56 0,14 — 112 0,09 71 О,!8 бО' 4,2 90' 1.9 57' Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при 17кь = 1 В, Ук = 10 мА при Т= 298 К при Т= 213 К 2ТЗ71А при Т= 398 К 2ТЗ71А Граничное напряжение при уэ = 1О мА не менее .
типовое значение 2Т371А Обратный ток коллектора при тука = 10 В не более при Г= 298 К при Т= 398 К 2Т371А Обратный ток эмигтера при Т= 298 К, !/эк = 3 В не более Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме малого сигнала при Укк = 5 В, 1э = 10 мА, Г= 1 кГц не более типовое значение 2ТЗ71А Емкость коллекторного перехода при !7кк = 5 В не более . типовое значение 2Т371А Емкость эмиттерного перехода при Гуэк = 1 В пе более типовое значение 2Т371А Емкость конструктивная между выволами коллектора и эмиттера» . Индуктивность выводов эмиттера и базы» Коэффициент отражения входной пепи в схеме с общим эмиттером* при !7кк = 5 В, Уэ = 10 мА Лг = 50 Ом при У= 400 МГц модуль фаза «ри Г=! ГГц модуль.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
