sprav_tranzistor (529834), страница 52
Текст из файла (страница 52)
СВВ и й мощность, палающая на вход транзистора*, — 7 В, 1э = 5 мА, 1'= 3,6 ГГц р б непрерывная импульсная прн т„с 1О "'кс,э > 1000. ТемпеРатуРа перехода Теипература окРУжающей среды . 2 В ! В !О мА 70 ывт 50 мВт при 70 мВт 200 мВт 423 К От 2!3 ло 398 К 'о ж 5 „вЧ ч 8 ьй 4 в 8 чт к 7 и 6 5 9 5ГГГ4 а 1,5 г 8,5 3 3,5У,ГГд Зависимость коэффициентов шуца и усиления от частоты при настройке на минимум коэффицэ~ента шума Зава иа н "симость коэффициентов шуна " Усиления от частоты при стройке на минимум коэффициента шума И 1 г 5 9 5У,ГГ4 Зависимость коэффициентов шума и усиления от частоты при настройке на минимум коэффициента шума 9 Я 8,5 5 5,5 9 4,5Г,ГГи Зависимость коэффициентов шума и усиления от частоты при настройке иа максимум коэффициента усиления 10 10 12 10 12 10 ш В чс Е 7 н б Ч г 2,5 5 5,5 Ч «,51,ГГа Зависимость коэффициентов шума и усиления от частоты при настройке на максимум коэффициента усиления чэ В с б \ в« 2 0 1 2 З Ч бает« Зависимость коэффициентов шума и усиления в 50-емком тракте от частоты ьа В ч о.
б н Ч 2 О г 2,5 Х 5,51,ГГц Зависимость коэффициентов шума и усиления в 50-омном тракте от частоты в ч 7 Ъ, б Ч 225555« Зависимость коэффициентов ма и усиления от частоты пр тоа щу. настройке на максимум коэфпра фициента усиления 7,0 5,5 Ц',) с В,О ~~ 5,5 ~ 5,0 «,5 «,0 215 2«5 275 503 555 555 Т К Зависимость коэффициентов шу.
ма и усиления от температуры М В э, э» н 2 0 1 2 5 Ч 5177« Зависимость коэффициентов шу ма и усиления в 50-омном тра" те от частоты 2Т396А-2, КТ396А-2 транзисторы кремниевые зпитаксиально-цланарные и-р-и СВЧ усилител ительные с ненормированным коэффициентом шума, Предназначены для усиления у 75 Гу Яо снгиа уалов сверхвысоких час~от, Бескорпусные, на никеяевом крист . исталлодержателе, с гибкими выводами и защитным покрытием м ца основе кремнийорганического 1 лака Вып>скаются в сопроводительногг таре. Обозначение типа приводится на этикетке Масса транзистора не оолее 0,003 г ~ фУб Базе ц, змоеулуеуу деккеклуер Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмигтером при 1укв = 2 В, 1э = 5 мА не менее . типовое значение 2Т396А-2 Постоянная времени цепи обратной связи при 1гкв = 2 В, 1э = 5 мА, Т= 30 МГц не более .
типовое значение 2Т396А-2 Время задержки включения в схеме дифференциального усилителя " при гк = 20 мА Время нарастания в схеме дифференциального усилителя' при 1к = 20 мА Время залержки выключения в схеме дифференциального усилителя" при 1к — — 20 мА Время спада в схеме дифференциального усилителя " при 1,г = 20 мА Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при ггкв = 2 В, 1к = 5 мА: пРи Т= 298 К прн Т= 213 К при Т = 358 К КТ396А-2 при Т = 398 К 2Т396А-2 Г раничное напряжение прн 1э = 5 мА не менее Обра бр тиый ток колдектора при 17кв = 15 В не бояее. при Т= 298 К при Т =- 358 К КТ396А-2 Об ат при Т = 398 К 2Т396А-2 ратный ток эмиттера при Узв = 3 В не более ° 13 п Попупроиоипипопыо приборы 2,! ГГц 2,75* ГГц 15 пс 7,7' пс 0,6 нс 0,8 нс 0,9 нс 0,65 нс 40-250 20-250 40 — 500 40- 500 10 В 0,5 мкА 5 мкА 5 мкА 1 мкА Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме малого сигнала при (/кв = 2 В, /э = 5 мА, у'= 50 — 1000 Гп не более .
типовое значение 2Т396А-2 Емкость коллекторного перехода при (Iкв = 5 В не более . Емкость эмнттерного перехода прн 6 эх .= ! В не более Емкость конструктивная между выводами коллектора н эмнттера* не более Индуктивность выводов эмнттера и базы' не более . 11 Ом 6,1а Ом 1,5 пф 2 пф 0,52 пф 13 нГн Предельные энснлуатаннонные данные Постоянное напряжение коллектор-база Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Яэв = 3 кОм Посгоянное напряжение змнттер-база Постоянный ток коллектора .
Постоянный ток эмнттера Импульсный ток коллектора Импульсный ток эмнттера Постоянная рассеиваемая мощность при Т = 213 — 338 К 2Т396А-2 при Т= 213 — 323 К КТ396А-2 при Т= 358 К КТ396А-2 прн Т = 398 К 2Т396А-2 Общее тепловое сопротввление 2Т396А.2 КТ396А-2 Температура перехола 2Т396А-2 КТ396А-2 Температура окружающей среды 2Т396А-2 15 В прн 1О В 3 В 40 мА 40 мА 40 мА 40 мА 30 мВт м а 16 мВт !О мВт 3 К/мВт 2,5 К/мВт 423 К 398 К От 213 ло 398 К От 213 до 358 К 2Т397А-2 Рмаас — (2а мата 71/(О !5+ йг! но ие должна превышать 100 мВт для транзистора 2Т396А.2 80 мВт для транзистора КТ396А-2 386 П р н м е ч а н н е При эксплуатация транзисторов в составе микро схем с тепловым сопротивлением участка межлу нижней поверхностью кристаллодержателя и окружающей средой ят максимально лопустн мая постоянная рассеиваемая мощность, мВт, рассчитывается по формуле 1,г р10 о о,в 1,0 О,в о,в к,мА 0 9,5 5 7,5 10 19,50кя,в Зависим ост ь статического релачи тока 1,05 1,5 1г5 1,00 ч 095 05 Огв 090 О г,5 5 7,5 1О 1г,вик„В Зависимость относительной граничной частоты от напряжения коллектор-баэа О В 10 гЮ гг 907„А Зависимость относительной граничной частоты от тока эмит- тера Зависимость статгэческого коэф- фициента передачи тока от тем- пературы 13" ЗВ7 1,0 ~~ 0,75 0,7 О,Б В относительного коэффициента пест тока коллек- тора Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от напряжения колле«тор-бата о,в 0,7 015 Вйв 275 503 УУЗ ЛВЗТ,К 2Т397А-2, КТ397А-2 Транзисторы кремниевые .
эпн таксцаэьно-планарные и-р-л СВВ уси 1и тельные с ненормнрованш, ' иным коэффнцэгегыом шума Прелна,начены дчя усизен ения сигначов высокой частоты Бескорпусные, на керамн. ском кристаллолержателе, с гибк . ми выводами и защитным покры. ткем на основе кремнийоргани. ческого чака Выпускаются в сопроволнтечьной таре Обозначе. ние типа приволится на этикетке Масса тРанзистоРа не бо. чсе 0,02 г г,г йч База Ноллечгяор Эниттер Электрические параметры 500 МГц 1 06* ГГц 40 пс 18" пс 40- 300 20- 300 40- 600 40-600 25 В 1 мкА 10 мкА 10 мьА 1 мкА 25 Ом 17,5" Ом 1,3 пФ 1,5 пФ 0,1 пФ !3 нГн Граничная частота коэффициента перелачи тока в схеме с общим эмиттером при ггка = 5 В, гэ = 2 мА не менее типовое значение КТ397А-2 Постоянная времени цепи обратной связи при ггка = = 5 В, гэ= 2 мА, Г= 30 МГц не более типовое знвчение 2Т397А-2 Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при сгкя = 5 В, гк = 2 мА при Г=298 К при Т =- 213 К при Г= 358 К КТ397А при Т= 398 К 2Т397А Граничное напряжение при гэ = 2 мА не менее Обратный тоь коллектора при ггкв = 40 В не более при Т= 298 К прн Т = 358 К КТ397А при Т = 398 К 2Т397А Обратный ток эмиттера при ггэв = 4 В не более .
Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме малого сигнала при ггкв = 5 В, гэ = 2 мА, Г= 50 — 1000 Гц не более типовое значение 2Т397А-2 Емкость коллекторного перехода прн ггкв = 5 В не более . Емкость эмиттерного перехода при ггэв = 1 В не более Емкость конструктивная между выводами коллектора и эмиттера * Индуктивность выводов эмиттера и базы ч Предельные зксплуатаииоиные длиные иное напряжение коллектор-база Постоянное нос напряжен!ге коллектор-змнттер при Взк и Постоянное иапрвжение з „ Постоянное Постоя! яиныи чок коччектора Пос ояч ячпчьсчд ток змиттера Пмпучьс ьсн ~й чок кочлектора при Дм~зчьсиый ток эсчиттсРа при тя с !0 мкс гмз Р 2 Посгояннач Рассеиваемая мощность при Т= 2!3 — 363 К 2Т397А-2 . при Т= 2$3 — 338 К КТ397А-2 при Т= 358 К КТ397А-2 при Т = 398 К 2Т297А-2 Общее топ човое сопрочивленне Текчпература перехола 2Т397 А-2 КТ397А-2 Температура окрулаюнгей среды 2Т397А-2 40 В 40 В 4 В !О мА !О мА 20 мА 20 мА !20 мВт !20 мвт 80 мВт 50 мВт 0.5 К/мйт 423 К 398 К От 2!3 ло 398 К !3 ло 358 К КТ397А-2 От 2 с = 13 с чаьс 73К0 ! + !2г) ао не лолжна превышать 225 мВт для транзистора 2Т397Л-2 и !80 мВт для транзистора КТ397А-2 1,г 1ч1 -~ 10 д 09 с О,В 1,Б 1,5 1,9 1,г 0,7 1,1 1,0 '0 В 1В гв гг 90ихя,В О,В 'О г 9 В В 102„нд Зав * авнснмость относительно~о статического коэффгщиентв пеРелачи тока от тока коллектора Зависимость относительного статического коэффипиеита передачи тока от напряжения кол- лекгор-оаза П р н м е ч а н и е При зксплуатапин транзисторов в составе микросхем с тепловым сопротивлением участка между чнжней поверхностью кристалло-ержателя и окружающей средой Вт при общем тепчовом сопротивлении не более 0,5 К1мВт максимально допустимая посюяниая рассеиваемая мощность, мВт, рассчитывается по формуле 1,4 У 1,г 1,0 о,в о,г о,в О г О В В 107у,мД 40 Оллэо Зависимость относительной граничной частоты от тока эмиттера.
Зависимость относительной тра. пичной частоты от напряжения коллектор-база. 1,г 1,1 1,г 0,7 О,О г1З гйв гул гав ЗЗЗ ЗВЛ 7, К ,кап Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от температуры. КТ399А Транзистор кремниевый эпитакснально-плаиариый и-р-л СВч усилительный с нормированным коэффициентом шума на часто" те 400 МГц, Предназначен для применения во входных и последуюших каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выволами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса Масса транзистора не более 1 г. о,в ч. о,ц 1,0 .с а,в 1,г 1>1 1,0 а,в И в 0>В м 0,7 0,6 1 Зависимость относительно~о максимально допустимого постоянного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления в пепи эмиттер-база. Нелхечь ар Корпус йиаммер Электрические параметры 1,8 ГГп 2,4*-2,9" ГГц 8 пс 6,2" пс 1 3* — 1,7ч дБ !1,5 в 13,0 дБ 40 80* — !70* 0,5 мкА 1 мкА 1,7 пФ 1,5' пФ 3 пФ 2,1* — 2,6" пФ 0,45 пФ 0,6 пФ 0,4 пФ 0,15 пФ Г аннчная частота при (/кв = 5 В, Рэ = 10 мА не ран менее типовое значение .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
