sprav_tranzistor (529834), страница 53
Текст из файла (страница 53)
Г!остоянная времени цепи обратной связи прн икь = 5 В, Тэ = 10 мА, 7' =- 30 МГп не более типовое значение Минимальный лоэффнцнент шума прн гг = 5 В 1э = 5 мА, Г= 400 МГц не более тнповое значение . Оптимальный коэффициент усиления по мошности" прн 1/кв = 5 В /э = 5 мА Г= 400 МГц . Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмпттером при Тгкв = 1 В, 1э = 5 мА. при Т= 298 К не менее типовое значение Обратный ток коллектора при Укв = 15 В, Т= 298 К нс более . Обратный ток эмнттера при Т = 298 К, Укв = 3 не более Емкость коллекторнога перехода прн !7кв = 5 В не более, типовое значение . Емкость эмнттерного перехода при Оэв = 1 В не более типовое значение Ем«ость конструктивная между выволом эмяттера я корпусом " Емкость конструктивная между выводом коллектора н корпусом* .
Емко мкость конструктлвная между выводом базы н корпусом" . Емк м"ость конструктивная между выводами коллектора н базы ч Емкость конструктивная между выводами коллектора и эмнттера * Индуктивность выволов эмиттера и базы' при (=3 мм 0,08 пф 4,5 нГи Предельные эксплуатанноииые данные Постоянное напряжение коллектор-база Постоянное напряжение коляектор-зчиттер прн этэк н 1О кОм Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора .
Постоянный ток эмитзера Импульсный ток коллектора прп т„н 10 мкс, !г л 2 Импульсный ток эмиттера при тя с 10 мкс, Д>2. Постоянная рассеиваелзая мощность прн Т= 2!3 — 328 К, р н 6650 Па при Т= 213 — 328 К, р = 665 Па при Т= 398 К Температура окружающей среды 15 В !5 В 3 В эО А 20 чА 40 мА 40 чА 150 мВт !05 мВт 39 мВт. Оз 213 до 398 К 9 г г,5 5 25 1а 1г,5ая„а у,а ч аг ь36 Ой ,з аг а -а,г а г зт шю МЪ и ю а 4 м в г -3 а ш як я ч з, ! уг ВЗ гаг„мд -5 а 9 В уг 58 гаТ„нд Зона возможных положений приведенной зависимости коэффициента шума от тока змит- тера Привеленная зависимость коэффициента усиления по мошно сти от тока эмиттера Приведенная зависимость котф. фипиента шума от напряжения коллектор-база ая зависимость коэфПрк та у л.(ия по мощ сведенная ф'ш" " напряжения коллектор- 7,5 та т2,5икв,а -в ой о,5 ав о,у о,в а,огггц Приведенная зависимость коэффипиента усилении по мощности от частоты Зона возможных положений зависимости коэффициента шума от частоты КТ3101А-2 ТРанзистор лремниевый эпитаксиально-планарпый и-р-л СВЧ у илитечьный с нормированным коэффипиентом шума на частотах усилит ~ и 2,2э Грц Предназначен лля применения во входных и последующих каскадах адах усилителей сверхвысоких частот сьорпусный, на керамическом кристаллодержателе, с гибкими полосков ыии выводами и приклепваемои компаундом керамическои "Ришкой Обозначение типа приводится на этикетке асса транзистора не более 0,04 г 39З м тЯ и Фта в $ а е ', г го з та 2 ГО т у уа тагГ г % чэ о -г и -5 Ъ а 255 ~о чс с» сз ч к Ъ, ъе мгц Электрические параметры Граничная частота прп Окв = 5 В, 17 =- 10 мА не менее типовое значение .
Постоянная времени цепи обратной связи при Окв = 5 В, уэ = 5 мА,Т= 30 МГц не более . типовое значение . Минимальный коэффициент шума при Гик=5 В, (э=5 мА, Т=2,25 ГГд не более типовое значение при Ока=2 В, 1э=2 мА, у=1 ГГц не более . типовое значение Максимальный коэффициент усиления по мощности прн бкв = 5 В, /э = 10 мА, Т= 2,25 ГГц не менее типовое значение при Окк = 2 В, уэ = 2 мА, Т=! ГГц . Оптимальный коэффициент усиления по мохцности* при Укк=5 В, То=5 мА, у=2,25 ГГц.
при и„= 2 В, 'уэ = 2 МА', Т= !' Ггц . Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при бик = ! В, ук = 5 мА, Т= 298 К Обратный ток коллектора при Окв = 15 В, Т = 298 В не более . Обратный ток эмиттера при Т = 298 К, [/эв = = 2,5 В не более 4,0 ГГц 4,5ь ГГц 10 пс 5* пс 4,5 дБ 3,3'-4,!' дБ 3,0 дБ 1,8* — 2,2' дБ 6 дБ 8 2" — 9,8" дБ 13,0 — !7,5 дБ 63 87 дБ 80 91 лБ 35- 300 0,5 мкА 1 мкА Е»кя=5 В не ь колл л елторного перекопа при кость значение 1ЕЕ типовое 3 эмиттерного перехода при Емкость эми бо чее покое значение . типо впасть вывода оазы И я дух ти в и Индукн»вн ость вывола эмиттера 1,5 пФ 0,65' пФ тУэв= 1 В не 2,5 пФ 1.0* пФ 2 нГн 2 нГн Предельные эксплуатационные ланные Постояли янное напряжение коллектор-база оянное напряжение коллектор-эмиттер при Постоянн и =!0 „Ом ЭБ япное напряжение эмиттер база Постоянный ток коллектора Постоянный ток эмиттера Имптльс'!ыи ток коч1еьтоРБ пРИ т.
и 10,»кс Импульсный тоь эмит»ера»»рн Дэ2 Постоянная рассеиваемая мощность при Т= 2!3 — 3!8 К при Т= 358 К Общее тепловое сопротивченнс Темперщура перекопа Температура окружагощей крепы !5 В !5 В 2,5 В 20 мА 20 мА 40 мА 40 мА 100 мВт 50 мВт 0,8 К/мйт 398 К От 213 до 358 К 1,0 09 »о Ч \ », ОВ ~ 0,2 ~ О,Б Об 0,9 -5 О 9 В Гг !В гогщмД В Уг 10 гаг„иД П иве пичной Риведенная зависимость граиой частоты от тока эмит- тера Приведенная зависимость коэффициента усиления по мощности от тока эмиттера 395 П р и м е ч а н и е При эксплуатации транзисторов в составе микросхем лолжен быть обеспечен теплоотвод от кристалла с Ягкб,8 К/мВт м Р -1 ( 2 м — Ц о г,б б уб 10 1280 Ктэо Приведенная зависимость „ф фяпиента усиления по мощно остц от напРЯжениЯ коллектоР база 0 Ц 8 12 18 20 Грамов Приведенная зависимость коэффициента шума ат така эмиттера.
ОЦ 08 1,2 1,6 2,01ГГЦ ОЦ Об 1,г 1,8 гОРГгц Приведенная зависимость коэф- фипиеита шума от частоты. Приведенная зависимость коэффициента усиления по мощности от частоты КТ3106А-2 Транзистор кремниевый эпитаксиально-плаиарный и-р-и СВет Уев лительный с норлзированным коэффипиентом шума на частот~ !20 МГц. Предназначен для применения во входных н последуюпшх ка 6,96 база-/ ~ +-- ~ 1 Ц тмжтюр' ряиттер 2 в г и а о чт =,-Оэд ~~~ -0,8 т 3 и -1,г и — 1,б 1 , -г,о 2,2 0 1г - 10 хч б И э г а 0 скалах усилителеи высокои тоты. Бсскорпусный, на никелевом кристаллодержателе, с гнбкиш нв выводами и защитным покрытием на основе кремнийорганического лака. Выпускается в сопроводя тельной таре.
Обозначение ш"а приводится на этикетке. бо. Масса транзистора ис лес О,ООЗ г. Электрические параметры я частота при Окк = 2 В, /э = 5 мА не Г аия"иа Р ,енсе новое значение лепи обрати и тоя иная =2В /э=5 мА /'=30 МГ т начение кь=5 В =50 Ом /=120 М1-н б //г = овос значение ппю = 5 В, /э = 5 ь»А, /= !20 МГн /гг = 50 О Стати»сок ии коэффициент перелачи тола в схеме с общим эчиттером лри !/кь = 5 В, /э = 5 мА не лгснее типовое значение ивяное напряжение» прн / Гранич Обрапщщ ток коллектора более эмнттера прн /- = 2,5 В не более пмкость коллекторнаго перехола при 1/кв = 5 В не более юповое значение Емкость эмиттерного перехода прн /гэв = 1 В не более типовое значение Индуктивность вывода базы » .
Индуктивность вывода эмиттера' ! ГГп 1,6* — 2.2» ГГц 1О пс 6,4» — 9,0» пс 2 дБ 1,06» — 1,8» дБ 17 — 18 дБ 40 !00' 21 — 28 В 0,5 мкА 1 мкА 2 пФ 1,5* пФ 3,5 пФ 3,0» пФ 13 нГн 13 нГн /тредельньге зксплуатапионнме данные 15 В 15 В 2,5 В 20 мА 20 мА 40 мА 40 мА 30 мВт 16 мВт 2,5 К/мВт 398 К От 2!3 до 358 К Постоянное напряжение кол.чектар-база Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при йэь и!0 кОм Пес минное напряжение эмиттср-база Постоянный ток коллектора Постоянный так эмиттера Импульсный ток коллектора ЯР2 Имп .
мпульсный ток эмиттера при тя и 10 мкс !2л2 Посто сстоянная рассеиваемая мощность: при Т = 2!3 — 323 К прн Т= 358 К Общее щее тепловое сопротивление Темпе ература перехода Темп а арктура окружающей среды П р и м е ч а н и е При эксплуатации транзисторов в сосза микросхем лолжеп быть об пелен теплоотвод от кристах Рт с 2,5 К/мйг стелла 1,9 1,9 п,в О,В О,г7 О Ог1 'о г,5 5 7,5 1П 1г,ви„„в В 1г 1В гог„мА Зависимость относительного статического коэффициента перелачи тока от тока коллектора 1,г 1,15 15 1,г1 1,г ~~ 1,0 ч. П,в 1,50 1,25 1,г „1,0 О,В пзв о,т 'а чг -н075 I 1 н 0,5 о,г5 "' 1,2 1 0,9 Зависимость относитечьногс статического каэффициегпа пе.
релачи тока от напряхгенил кол. лектор-база 1,1 « 105 ь,' 1,0 0,95 0,9 В 12 19 201д,мА 0 2,5 5 75 10 !2,50кфг Зависимость относительной тра. пичной частоты от тока эмит- тера Зависимость относительной тра пичной частоты от напряягенвх коллектор-база Приведенная зависимость козф' фициента шума ог тока эм амит. В В 1г 15 207„мА тера О,д о,г „о,г -ц 01 , о -О1 -ог О г,б 5 7,5 1О уг,бОлв,в енцая зависимость козф ПР а !пума от з!апряжеиия кочлектор-база лпвенга ш , 1Т3110А-2 Бескарпусный, на керамическом кристачлодержателе, с гибкпмн полосковыми выводами и керамической крышкой Выпускается в индивидуальной таре-спутнике, обозначение типа приводится на таре На крышке наносится условная маркировка — зеленая точка Масса транзистора не более 0,2 г Электрические параметры Г а Р ннчная частота при Ока = 3 В, зэ = 50 мА не менее По стоянная времени цели обратной связи при 17кв = 5 В, Выхо !э = 10 мА, 1 = 100 МГц не более, ыхолная мощность в режиме автогенератора при 0' кв=7 В, !э= 5 мА, Г= 4 ГГц не менее Ко мелпанное значение не менее .
'ФФицнент усиления по мощности» при 1/кв = 7 В, э = 20 мА, Цк = 40 '/ при у=0,5 ГГц . при у = 1,0 ГГц ° лрн.Г= 2,25 ГГц . 2,5 ГГц 5 пс 50 мВт 65 мВт 10 лБ 8,2 дБ б,б дБ '1"ранзистор германиевый зпитакспальпо-планарный л-р-л СВЧ генераторный маломошнь й Предназначен лля усиления и генерирования сигналов сверхвысоюгх частот Минимальный каэффнпиент шУма пРи Пкк = 7 В, уэ = 10 — 20 мА при 7'= 0,5 ГГп в схеме с общим змиттером . при Г= 1 ГГп в схеме с общей базой .
при у'= 2,5 ГГц в схеме с общей базой . Граничное напряжение ' при !э = 50 мА не менее . Обратный ток коллектора при Укк =!О В не более при Т= 213 К и Т = 298 К при Т= 343 К Обратный ток эмиттера при !7эв— - 0,2 В не более при Т= 213 К и Т= 298 К при Т= 343 К . Сопротивление базы* при гт = 7 В, 7 = 50 мд не более КБ„' Э Сопротивление коллектор-база" при П = 7 В, 7. = 50 мА кБ ' '3 пе более Емкость коллекторного перехода при !I = 5 В не более КБ Емкость эмпттерного перехода* при сг = 0 В не более ЭБ Индуктивность базы в режиме насыщения * при ьг = 0 В, кь 7 = 50 мд, 7 = 1 ГГп не более .
К 3 дб 4,8 дб 7,5 лй 88 50 мкд 1ОО кд 50 мкд 100 мкд 9 Ом 4,5 Ом 3,5 пф 4,5 пйз 0,45 нГн Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение лочлектор-база . Постоянное напряжение коллектор-змиттер при Н и С 100 Ом Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора при Т= 298 К . Импульсный ток коллектора прн Т= 298 К, та < 10 мкс, а!э 100 . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в статическом режиме при Т = 213 — 303 К .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
