sprav_tranzistor (529834), страница 55
Текст из файла (страница 55)
ГТ612А-4 при Т= 298 К . Обратный ток эмиттера при !/эв = 0„2 В не более 1Т612А-4 при Т = 213 К н Т = 298 К . при Т = 343 К . ГТ612А-4 при Т = 298 К . Емкость ьоллеьторпого перехода прп !7кв = 5 В пе бочее !О мкА 5 мкА 50 м А 10 мкА 35 пф Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение колчеьтор-база . Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при дэв и 10 Ом 1Т612А-4 . Постоянное ьапряжение эмиттер-база . Постоянный ток ьодлектора при Т = 298 К ГТ6!2А-4 Импульсный ток коллектора при Т = 298 К, тя < 10 мкс, !'У > 100 1Т612А-4 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1Т612А-4 при Т= 2!3 — 308 К .
при Т= 343 К ГТ612А-4 при Т= 298 К . Рассеиваемая мощность коллектора в режиме усиления мощности и автогенератора при Т= 298 К ГТ612А-4 . при Т = 213 — 308 1Т612А-4 . при Т = 343 К . Температура перехода Температура крнсталлодержателя 1Тб!2А-4 ГТ612А-4 12 В 8 В 0,2 В 120 ВА э00 мА 360 мйт 190 мВт 360 мВт 570 лгВт 570 лзВт 225 мВт 373 К От 218 до 343 К От 213 до 343 К П р и ма чан не При эксплуатадии транзистора обязательно применение теплоотвода, обеспечивающего тепловое сопротивление переход-окружающая среда не более !38 К1Вт гг5 гуР 5.9 гаа 4 175 15О 7г5 г,г 100 5 7 5 9 1аи„б,а Зависимость выходной мощности от напряжения колчектор- база 5,1 Ю,О 5 Ы 7 г 9 1аакбгг Зависимость коэффидиента уся пения по мощности от напра.
жения коллектор-база гпп ,% '55 51 гбп гп Г 10 и гпй ,в Р „,мВт 0,% ХБ Куя 5,5 5,1 50 0 БП бй гй и гп В Рц мВг Ряк > 1Т614А Келлекпэер База Эмипипар ясвмссть КПД от напряже1вввс иия колчекгор-база 3ввясимость коэффициента усизваяя по мощности от выходной мощности Транзистор германиевый плаявримй п.р.п СВЧ генераторный вваомощиый Прелназна чек для рабо гы в пввраторных схемах в герметизирвваниоув аппаратуре бескорпусный на керамическом "р"еталлодержателе с металлизирвваинылщ контактными выступаия и покрытым эмалью криствхя Обозначение типа приво- зяте тея в этикетке Масса транзистора не более Вйг Зависимость выходной лющно- сти от входной Зависимость КПД от входной мощности Электрические параметры Выхолиая мошность при лзкв = 9 В, Тк = 70 Т= 500 МГп в схеме с общей базой не менее, Модуль коэффициента передачи тока при 6ткэ = 5 В !к = 50 мд, Т= !00 Мрц не менее Постоянная времени цепи обратной связи при лзкв = 5 В 2э = 50 мА, Т = 30 МГц не более .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмпттером прн 0'кь = 5 В, Тэ = 50 мА Обратный ток коллектора прн 22лв == !2 В не более при Т = 2!3 К и 298 К . при Т=-343 К. Обратный ток эмиттера при бзэв = 0,5 не более при Т= 2!3 и 298 К при Т= 343 К 200 ый !О ! 5 — 250 !О икд 60 ллкд 5 мкд !О мкд Предельные эксплуатационные ланиые Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при йэв = 0 Постоянное напря'кение змиттср-база Постоянный ток коллектора . Пос~оянная рассеиваемая мошность коллектора: при Т =- 2!3 — 323 К при Т= 343 К. Обшсе тепловое сопротивление Температура перекопа Температура окружающей среды . !2 В 9 В 0,5 В 200 лед 400 мВт 200 мйт !Оо КуВт 363 К От 2!Э ас 343 К транзистора нс лолкао Примечание. Температура припоя при монтаже в схему должна быть не выше 503 К Время пайки превышать 3 с, 900 гао 550 чъ а Я 500 аз лгоо 500 0 г ч о о а„„в гао чоо воо ООРТ Зависимость выходной мош ошяе сти от частоты Зависимость выходной мощности от напряжения коллектор- база. 4!О тх,пс остоянной време5ависямас,.' „ной связи от тока кепи сор яя к эмнттера.
б уб 50 50 УО уэ,иА КТ633Б Транзистор кремниевый эпитаксиалыщ-планарный л-р-и СВЧ универсальный, ууредназначен лля работы в усклительных и импульсных схемах. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гнбкимн выволами. Обозначение типа приволится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 3 г, Ямлттер Электрические параметры 411 Стати атический коэффициент перелачи така в схеме с общим Грани эмиттеРом пРи Гткв=1 В, Уз=10 мА . Нац я раничное напряжение при у =!О МА не менее . э= Ряжения насыщения коллектор-эмиттер при тк = = !00 На яж мА, уя = 10 мА не более . а"ря"кение насыщения оаза-эмиттер при ук = 1ОО мА, !в= 10 мА не более .
~илов повсе значение 20-160 !5 В 0,6 В 1,5 В 085ь В Время рассасывания при lк = 1О мА, 1ь = 10 мА не более типовое значение ВРемЯ выключениЯ * пРи !тэк = 1,5 В, 2» = 10 мА Тв=З мА Время выключения' при !уэь = 1,5 В, 2» = 10 мА !к=З мА . Моду.чь коэффициента передачи тока на У = 100 МГц при С'!гэ = 10 В, У» = 100 мА не менее . Постоянная времени цепи обратной связи ' при Т= 5 МГц, Ц< = 10 В, Уз=30 мА .
Емкость коллектарнаго перехода при !1»в = 10 В не более Емкость эмиттерного перехода при гтэк = 0,5 В нс бодее Обратный ток коллектора цри П»к = 30 В не более . Обратный ток эмиттера при Пэв = 4,5 В не бочее . Обратгзый гок каллелтор-эмнттер при 11»э = 30 В не более Коэффициент шума' при у" = 20 М Гц, Пкк = 5 В, 1э = 5 мА 10 чг нс 9 нс !3 вс !О пс 4,5 пф 25 пф 10 мкА ГО „,А 3 ьгкА 6 Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор база Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора ИМпуЛЬСНЫй тОК ЛОЛЛЕКтОра Прн та С 10 МЬС, !Э Э 50 Постоянный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность коллектора прн Т„= 228 — 298 К прн Т„= 358 К Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при т„к!0 мкс, ДЛ50 при Т = 228 — 298 К при Т = 358 К . Тепчовое сопротивление переход-окруя ающая среда Тепловое сопротивление переход-корпус, Температура окружающей срелы ЗО В 4,5 В 0,2 А 05 А О!2 А 1,2 Вт 0,24 Вт О,тз Вт 0 15 Вт 347 К2Вт 104 К,'Вт От 228 до 358 К Примечание Пайка выводов допускается на расстояния вс менее 3 мм от корпуса транзистора при температуре пайки а' бочее 523 К и течение не более !О с при наличии теплоотвола в месте пайки Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 ми от корпуса транзистора допустимая величина эзгеьтростатическо~о потенциала !000 В о,в О,г ЭЭЭЭ 70 БО 50 Д О 50 700750гааг5ОЮОО Б„ид Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора Эя, МА г70 с„эе 5 700 750 Зго О Е О 7гтогггеО„,О Зависимость емкости коллелторяо~о перехода от напряжения коллектор-база.
ни э 00 70 БО 50 0,8 УО го О,г О БО 7ООтбогпагООЮОО Бк, Д Закисня имость статического коэфз'вдиен пента передачи тока от тока коллектора 413 0 50 700 75огоог50500 .ц„ Зависимо мость статического коэф. янненг енга передачи тока от тока коллектора 0,5 :о,е 'О,Б о,г 0,7 О г е Б 0 707ги„,В Зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-база 7,8 7з9 7г а 700 гОО БОО Б„мл Зависимость напряжения насыщенна база-эмиттер от тока коллектора.
КТ640А-2, КТ640Б-2, КТ6403-2 5 Сйг! ы в угаде гейне Беслорпусные, на;гете з доке ыическом держателе, с г!о Рэ г1о тоске ми выводамн Условное чение "гпа приводится иа в Р обста а аерхяе' части держатеяя КТ64ОА э ная почоска, КТ640Б-2 — белая в лоска, КТ640В-2 — синяя щэ по тоста Обозначение типа пРиводится ся в лн кетке Масса транзистора не оолее 0,2 г Змиттея Ноллемтар Электрические параметры Выходная мощность при 1= 7 ГГц, бкь = !5 В, 1к = = 45 мА, Р„= 25 мВт КТ640А-2, КТ64ОБ-2 не менее .
типовое значение КТ640В-2, типовое значение Коэффициент усиления па мощности при 1= 7 ГГц, !7кь =!5 В 1к = 45 мА, Р,х = 25 мВт КТ640А-2, КТ640Б-2, типовое значение Фаза коэффициента передачи тока при Г= ! ГГп, 67кв = 5 В не более КТ640А-2 при 1к = 30 мА при 1к = 50 мА . КТ640Б-2, КТ640В-2 при 1к = 30 мА при 1!, = 50 мА. Граничная частота коэффициента передачи тока прл !7ка = 5 В не менее КТ640А-2 при 1к = 30 мА лрн 1к = 50 мА .
КТ640Б-2, КТ640В-2 при 1к = 30 мА прц 11г = 50 мА . типовое значение при 1к = 30 мА . при 1„= 50 мА . КРигический ток ' пРи гткв — 5 В, типовое значение ВО мог !00 мйг ВО ьгВг О,зз рл 0,47 рал 0 26 рал 0,44 рал 30 ГГц 2,! ГГц 3,В ГГц 2,3 ГГл 50 ГГв 4'о ггц 50 мА 4!4 Транзисторы кремниевые эпигаксиально-плаиарные л иераторные Прелназначеиы лля применения в схеме с общей оазой тельных и генераторных устройствах в диапазоне ! — 7,2 ГГ, тнзируемой аппаратуре Афицнента обратной передачи напряжения в Ль ьояггф Иолу Ошей базой при сгкь = 15 В, Тк = 30 мА, с о сым 1ч1~ и не более 100 ц э»КТ640А"2 КТ Т640Б-2, КТ640В-2 ая времени цепи образиной связи иа высокой стоянная Тк = 39 частоте п челне КТ640А.2 КТ640Б-2, КТ640В-2 коллеятарного перехода , », ячкость более .
типовое значение Активн Ра прн !1 вое значение . марная активная и пассивная емкость коллектора" Суммарн при и Гкь = 15 В, типовое значение бикссть коллектор-эмнттер », типовое значение . Б ~~сть коллекторного вывода ', типовое значение у»вость эмиттерного вывода*, типовое значение . бь»кость эмиттернога перехода при Сгэк = 0 не более типовое значение Сопротивление базы *, типовое значение Псследоватеяьное сопротивление коллектора ', типовое значение. Индуктивность вывода эмнттера внутренняя', типовое значение.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
