sprav_tranzistor (529834), страница 50
Текст из файла (страница 50)
Граничное напряжение прн 1э = 5 мА не менее . типовое значение Обратный ток коллектора прн 1/ьв = 15 В не более при Т= 298 К при Т = 398 К 2Т382А, 2Т382Б Обратный ток эмиттера при Т = 298 К, Оэв = 3 В не более Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме малого сигнала при Укв = 5 В, 1э = 5 мА, Г = 1 кГц не более типовое значение Емкость коллскторного перехода при 1/кк = 5 В не более типовое значение Емкость эмиттериого перехода при 11эа = 1 В не более типовое значение Индуктивность каждого вывода ' .
Коэффициент отражения входной цепи в схеме с общим эмиттером» при Бкк = 5 В, 1э = 5 мА, Т= 400 МГп, Як=50 Ом модуль Фаза Коэффициент обратной передачи напряжения в схеме с общим эмпттером» прн Биа = 5 В, 1з = 5 мА, ~= 400 МГц Яг = 50 Ом модуль Фаза Коэффициент прямой передачи напряжения в схеме с общим эмиттером* при Укк = 5 В, 1э = 5 мА, У= 400 МГц Яг = 50 Ом модуль фаза Коэффициент отражения выходной цели в схеме с общим змиттером» при Окк = 5 В, 1э = 5 мА, Т= 400 МГц, 11г = 50 Ом модуль фаза 6' пс 10 пс 55* пс 3 дБ 2,2' дБ 4.5 лБ 2,5» дБ 40-330 30-330 40 -450 10 В 20' В 0,5 мкА 5 мкА 1 мкА 1О Оч 3* Ом 2 пф 1* пф 2,5 пф 1,6* пФ 4 нГн 026 — 133" 0,102 4,15 86 0,54 г — 35' Предельные эксплуатанноннме денные и„е напряжение коллектор-база .
Постояни напряжение коллектор-эмиттер при П,стоянное я 43 кОм эа иное напряжение змиттер-база . Постоянн Постояв оянный ток коллектора, П оянный ток эмиттера Постоя и пульсиый ток коллектора арн И !!! ВмпУльси Вмпульс """'ый ток эмиттеРа ПР т."И!О мкс' 0,2 Постоянная Рассеиваемая мощность; при Т= 2!3 — ' 338 К р л 6650 Па при Т = 2!3 — 338 К р = 665 Па при Т= 398 К Общее тепловое сопротивление Температура перехода Температура окружающей среды .
!5 В !О В 3 В 20 мА 20 мА 40 мА 40 мА !00 мВт 70 мВт 30 мВт 833 К7Вт 423 К !Эт 233 ло 398 К 1,0 1,5 10 1,1 1,9 Е1,0 00 е м 07 08 0 0 1г 10 г02„,мД 19 фг 1,0 м '~ 0,0 00 0,9 ог 0 9 В 10 10 802„мд 369 3ависимость относительного статического коэффициента пеРелачи тока от тока коллектора. 3ависимость относительного статического коэффициента пеРелачи тока от напряжения коллектор-база. 3ависвмость относительной граничной часю пя от тока эмиттера. 1,1 10 '0 г,5 5 7,5 10 уг,50як,в Привеленная зависимость козф. фициеита шума от тока элщт гера. Прпвеленная зависимость коэн фициента шума от частоты 1Т383А-2, 1ТЗ83Б-2, 1Т383В-2, ГТ383А-2, ГТЗ8ЗБ-2, ГТЗ83В-2 Транзисторы германиевые планарные л-р-н СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах ! ГГп ()ТЗ83Б-2, ГТЗ8ЗБ-2), 2,25 ГГц ()Т383А-2, ГГ383А-2) н 2,83 ГГц ((Т383В-2, ГТ383В-2).
Предназначены лля применения во входных и последуюших каскадах усилителей сверхвысоких частот. Выпускаются в керамическом иегерметизированиом корпусе с гибкими полосковыми выИарниооаачнмв тонни водами. На крышке корпуса со стороны вывола эмиттера наносигея условная маркировка цввт- 8 а ными точками: )Т383А-2 розовая, (ТЗ83Б.2 — белая, (Т383В-2 — синяя, ГТ383А-2— 1,8 черпая и розовая, ГТЗ83Б.2 черная и белая, ГТ383В.2 черная и синяя.
Масса транзистора не бо лес 0,1 г. 370 0,8 ч - о,г ч Л о,г и " 01 о в -01 -о,г 'о ю ч , г) 3 сэ ~ г а в м !в -1 10з310 110 11 Приведенная зависимость коэф. фнциента шума от температуры Энм 0,15 0,1 0,05 л -005 'в -01 -0,15 10 гообмгц гггг(з зги 555 гуг зи т,н Электрические параметры частота коэффициента перелачи тока ГР обшим змиттсром при 17кь = 3,2 В, аннчная в схеме 7 — 5 мА не менее !Т383А-2, ГТ383А.2.
1ТЗЕЗБ-2, 1 Т38ЗБ-З, 1ТЗ8ЗВ-2, ГТЗЕЗВ-2, янная времени пепи обратной связи прн В, гэ = 5 мА, 7'= 30 МГп ие более остоянна 3 38ЗА 2 1Т383Б З ГГ381А 2 ГТЗ8ЗБ 2 1Т383В-2 ГТЗ83В-2 Козффи ффипиент шума при О = 3 2 В более 1Т383А-2, ГТЗ8ЗА-2, пРи Г= 2 25 1-1-и 1Т383Б-2, ГТЗ8ЗБ-2 при 7'= 1 ГГ 1Т383В-2, ГТ383В-2 при ('= 2,83 1 Г Статический коэффициент перелачи тока в щим эмиттерам при Укк = 3,2 В, Зэ = 5 мА ирн Т= 298 К 1ТЗЕЗА-2, 1ТЗ8ЗВ-2, ГТЗ8ЗА-2, ГТЗ8ЗВ-2 . 1Т383Б-2, ГТ383Б-2 . ,р, т=2!З К 2,4 ГГц 1,5 ГГц 3,6 ГГц 10 пс 15 пс 4,5 дБ 4,0 лБ 5,5 лБ !5-250 1Π— 250 1ТЗ8ЗА-2, !ТЗ83В-2.......... От 0,3 до 1,5 значения при Т = 298 К, но не менее 8 1Т383Б-2...............
От 0,3 ло 1,5 значения при Т = 298 К, но не менее б при Т= 343 К !ТЗ83А-2, !Т383Б-2, 1ТЗ8ЗВ-2 От 0,5 ло 2,5 значения при Г= 298 К Обратный ток коллектора при 17кь = 5 В не более при Т= 298 К при Г= 343 К 1Т383А-2, !ТЗ8ЗБ-2, 1ТЗЕЗВ-2 Обратный ток эмиттера при (/эь = 0,5 В не оалее при Т= 298 К при Т = 343 К 1Т383А-2, 1Т38ЗБ-2, !Т383В-2 Емкость коллскторного перехода при 1ткк — — 3,2 не более типовое значение Емкость эмиттерного перехода при 17эв = 0,3 В не более !Т38ЗА-2, ГТ383А-2 1Т383Б-2, 1ТЗ8ЗВ-2, ГТЗ83Б-2, ГТ383В-2 . Коэффициент отражения входной цепи в схеме с об"!им эмиттером ' при 17кь — — 3,2 В, 1э —— 5 мА, 3 = 2,25 ГГл модуль 5 мкА 30 мкА 50 мкА 100 мкА 1 пФ О,б' пФ пФ 1,2 ПФ 0,017 371 фаза Коэффициент обратной передачи напряжения в схеме с общим змиттером" прн 47кв = 3,2 В, Тэ = 5 мА, 7 = 2,25 ГГц: модуль фаза Коэффициент прямой передачи напряжения в схеме с общим змнттером* при 47кв = 3,2 В, уэ = 5 мА, Т= 2,25 ГГп: модуль фаза Коэффициент отражения выходной цепи в схеме с общим эмиттером * при 47ка — — 3,2 В, 7э = 5 мА, 7'= 2,25 ГГц: модуль фаза — 104' 0,195 68' 1,29 67,5' 0,655 — 35" Предельные зксцчуатацнонные данные Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Яэа 4 <1 кОм Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при Т= 328 К при Т = 343 К ! ТЗ83А-2, 1Т383Б-2, 1ТЗ83В-2 Импульсная СВЧ мощность, падающая на вход транзистора при Т = 298 К, тя < 100 мкс, Д в 20 . Общее тепловое сопротивление Температура перехода Температура окружающей среды: 1Т383А-2, 1Т383Б-2, 1Т383В-2 .
5 В 5 В 0,5 В 10 мА 25 мВт 16 мВт 50 мВт 1,25 К/мВт 363 К От 213 до 343 К От 233 до 328 К 7,0 5,5 Ки,ДБ 5,5 5,0 5,0 ю "к О 5,5 5,0 5,0 372 ГТ383А-2, ГТ383Б-2, ГТЗ83В-2 . Ч,5 ЧО ' О 7 г 3 Ч 52я,мД Зависимость коэффициента шу- ма от тока коллектора.
Ч,5 Ч,О ' 0 ! г г Ч 5Ткэид Зависимость коэффициента ус" лепна по мощности оттока коллектора. 19 19 Кв>Д Б 7 9 ю '% Б э, г О 9,5 1 1, г,5УГГц О 95 1 1,5 г г,51,774 Зависимость коэффициента усиления по мощности от частоты цсимость коэффициента шума от частоты Б,г 5э1 Кн,«Б «,5 59 - «,9 «,9 «Х «,г «,1 «,7 «,О «зБ 99ХХОХ Х1Х Х2Х ХХХ Х«Х ТК 99ХХОХ Х1Х ХКХ ХХХ Х«Х 7,К Зависимость коэффициента шу- ма от температуры Зависимость коэффициента усиления по мощности от темпе- ратуры 2Т384А-2, 2Т384АМ-2, КТ384А, КТ384АМ 373 Транзисторы кремниевые эпнтаксиально-планариые в-р-в СВИ переключательные мачамощные Предназначены для применения в системах памяцг ЭВМ, в импульсных, переключающих каскадах наносекунлного диапазона герметизнрованной аппаратуры Бескорпусные, с гибкими выводами, защитным покрытием на керамическом (2Т384А-2, КТ384А) и металлическом (2Т384АМ-2„ )(Т384АМ) кристалдодержателях Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей без из"-тече»ця аз нее транзисторов проводить измерение нх электрических параметров Обозначение типа приводится на сопроводительной таре 0,0 Масса транзистора на керамическом кристаллодержателе не оолее *0(5 г, на металлическом не более 0,004 г 8 Зм б ллекзпезз База 2Т3844я4.2, К73844аз 2т3844-2, КГЗ844 Электрические параметры Граничное напряжение при 1к = 10 мА, тя 4 30 мкс н !2 > 50 2Т384Л-2, 2ТЗ84АМ-2, типовое значение Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при !50 мА, 1н = 15 мА 2Т384А-2, 2Т384ЛМ-2 .
пшовое значение КТ384А, КТ384ЛМ не более . Напряжение насыщения база-эмиттер при 1к = 150 мА, 1в =!5 мА 2Т384А-2, 2Т384АМ-2............0 типовое значение . Время рассасывания при зк = 150 мА, 1к~ = Увз = 15 мА 2ТЗ84Л-2, 2ТЗ84АМ-2 КТ384А, КТ384АМ, Статический коэффициент перелачи тока в схеме с общим эмиттером прн !Укэ = 1 В, 1к = 150 мА .
типовое значение Модуль коэффициента передачи тока прн !зкз = 10 В, 1к=100 мА, у=100 МГц . типовое значение Обратный ток коллектора не более 2ТЗ84А-2, 2Т384АМ-2 при !ткв = 30 В и Т = 213 — 298 К . при 1зкв = 20 В н Т = 398 К КТ384А, КТ384АМ при Ока = 30 В и Т= 298 К Обратный ток эмитттера не более 2Т384-2, 2ТЗ84ЛМ-2 при 1/~~ = 5 В при Т = 213 — 298 К при Т= 398 К . КТ384Л, КТ384АМ ри !зэв = 4 В и Обратный ток коллектор-эмиттер при йкэ = 0 2Т384А-2, 2Т384АМ-2 не более !5 — 34" В 24ч В 0,25*-0,5ЗВ 028' В 0,6 В 81" — 1,15 В 09!" В 12 нс !5 нс 30-180 90* 45 — 13" 11,5 ь !О мкА 100 мкА 1О мкА 10 мкА 100 мкА 1О мкА 324 „ !7 = 30 В и Т = 2!3 К и Т = 298 47 =20 В и Т= 398 К прн кь = коллекторного перехола при у 10 МГд 2ТЗ84А-2, 2Т384АМ 2, пповое значение бмкость эмиттерного перехода при 10 МГд 2Т384А-2, 2Т384АМ.2 . тип иповое значение 1О мкА 100 мкА «ткь = 10 В, .
!3' — 4 пФ 1,7 пф ««за=05 В . 7*-20 п«р 8* пФ Предельные эксплуатаниоииые данные ояннное напряжение коллектоР-эмиттер при я = 5,0 кОм КТ384А, КТ384АМ . дьэ=' П стояппое напряжение коллектор-база Пост 27384А-2, 2Т384АМ.2 при Тк = 213 — 373 К . при Х'к = 398 К КТЗ84А, КТЗ84АМ . Постоянное напряжение эмиттер-база 2Т384А-2, 2Т384АМ-2 .
КТ384А, КТ384АМ . Постоянный ток коллектора 2Т384А-2, 2Т384АМ-2, КТ384А, КТ384АМ Импульсный ток коллектора при т«к 5 мкс, Д - 10 2Т384А-2, 2Т384АМ-2, КТ384А, КТ384АМ . Постоянная расссиваемар мощность коллектора 2Т384А-2, 2Т384АМ-2 при Т„ = 2!3 — 358 К . при Тк = 398 К КТ384А, КТ384АМ при Тк = 228 — 343 К ° при Тк = 358 К Тепловое сопротивление переход-подложка . Температура р-и перехода 2ТЗ84А-2, 2Т384АМ-2 . КТ384А, КТ384АМ .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
