sprav_tranzistor (529834), страница 44
Текст из файла (страница 44)
2Т318Б-1, 2Т318Д-1, КТЗ!8Б-1, КТ318Д-1 273! 80-1, 2ТЗ18В1-1, 2Т318Е.1, КТЗ!8В-1, КТ318Е-1 . при Т= 213 К; 2ТЗ18А-1, 2Т318Г-!, КТ318А-1, КТЗ18Г-1 2Т318Б-1, 2Т318Д-1, КТ318Б-1, КТ318Д-1 2ТЗ18В-1, 2Т318В1-1, 2Т318Е- 1, КТ318В-1, КТ318Е-1 . Модуль коэФфициента передачи тока при / = 100 МГц, при бткэ = 2 В 7э= 5 мА не менее: 27318А-1, 2Т318Б-1, 2ТЗ!8В-1, 2Т318В!-1, КТЗ18А-1, КТ318Б-1, КТЗ18В-1 2ТЗ18Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г-!, КТ318Д-!, КТ318Е-1 Время рассасывания при Зк = 10 мА, Зя = ! мА не более: 2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1, КТЗ!8А-1, КТЗ!8Б-1, КТ318В-1 2Т318В1-1 2ТЗ!8Г-1, 2Т318Д-1, 2ТЗ!8Е-1, КТ318Г-1, КТ318Д-1, КТ318Е-1 Емкость ьоллекторного перехода при !ткв = 5 В, 7= 10 МГц не более: 2ТЗ!8А-1, 2Т318Б-1, 2ТЗ!8В-1, 2Т318В1-1, КТЗ!8А-!, КТ318Б-1, КТ318В-1 27318Г-1, 2ТЗ!8Д-!, 2Т318Е-1, КТ318Г-1, КТ318Д-!, КТ318Е-1 Емкость эмиттерного перехода при бгкэ = О, У= 10 МГц нс более; 2Т318А-1, 2ТЗ!8Б-1, 2Т318В-!, 2Т318В1-1, КТ318А-1, КТ318Б-1, КТЗ!8В-1.
2ТЗ18Г.1, 2Т318Д.1 2Т318Е.1, КТЗ18Г 1, КТЗ!8Д-!, ктз18е-1 НапРяжение отпирания при 67кэ = 2,5 В, Уэ = 0,05 мА не менее.' при Т= 298 К: 2Т318А-!, 2Т318Б ! 2Т318В.! 2Т318В! 1 КТ318А 1, КТ318Б-1, КТ318В-1 2Т318Г-!, 2ТЗ!8Д.1, 2ТЗ18Е-1, КТЗ!8Г-1, КТЗ18Д-1, КТ318Е-1 при Т= 358 К; 2Т318А-1, 2Т318Б.1, 2ТЗ18В-1, 2Т318В1-, КТ318Б-1, КТЗ18В-1 30-90 50-150 70-280 25-180 45 — 300 60 — 560 15 — 90 26 — 150 33-280 3,5 15 ис 10 нс 25 нс 3,5 пФ 4,5 пФ 4 пФ 5 пФ 0,57 В 0,55 В 0,42 В 325 2Т318Г-1, 2Т318Д-!, 2ТП8Е-1, КТ318Г-1, КТ3! 8Д-1, КТ318Е-1 Обратный ток коллектора прн 17кк = 10 В не более; при Т = 298 К и Т = 213 К при Т= 358 К Обратный ток эмиттера при 1lэк = 3 В не более 0,4 В 0,5 мкА 10 мкА 1 мкА Предельные эксплуапщнеиные данные Постоянные напряжения коллектор-база, коллекторэмиттер при йвэ = 3 кОм Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора в режиме насыщения .
Импульсный ток коллектора при та» 10 мкс, 0В10 .,»100 нс Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при Т = 213 + 328 К . при Т= 358 К Температура персхола . Тепловое сопротивление перехол-среда . Температура окружающей среды . 1О В 3,5 В 20 мА 45 мА 15 мВт 5 мВт 373 К 3 К1мВт От 213 до 358 К П р и м е ч а н и е. При пайке выводов должны быть приняты меры, нсключаиь щие возможность нагрева кристалла и защитного покрытия до температуры более 373 К.
Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах соизмеримых с неуправляемымн токами во всем диапазоне температур. При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт должен присоеданяться первым и отсоединяться последним. Огпу звгыд 70 1«0 уго 100 0« 00 ог «о О «В уг 702я, 4 Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 0 05 ОО 0,7 0,0 ОООБэ,В Входные характеристики. 326 ~лгтг~ гч ягсз 14О 1го во 4 о го оо оа оаг,мгц «о г75 гох гох Зависимость модуля коэффициента передачи тока от частоты. ~о' оо о г75 г55 гях ххх хухх,к Зависимость обратного тока коллектора от температуры.
2Т324А-1, 2Т324Б-1, 2Т324В-1, 2Т324Г-1, 2ТЗ24Д-1, 2Т324Е-1, КТ324А-1, КТЗ24Б-1, КТ324В-1, КТ324Г-1, КТ324Д-1, КТ324Е-1 Зранзнсторы кремниевые зпитаксиально-планарные и-гьл пере- ключа нательные малоьгошные и СВЧ усилительные с ненормированным 'и козффипиентом шума 327 всимость статического коэфЗаввс ф„аванта передачи тока от температуры ч хо ~го 7О 5 4,5 и 4 Х о 7 г х о«гтояз О Зависимости емкостей коллекторного и змнттериого переходов от напряжения коляектор-база и база-эмиттер. сквер аллея лер Прелназначены лля перекл ,„ ния (2Т324А 1, 2Т324Б-!, 2Т324В 1 2Т324Г-!, КТ324А-!, КТ324Б.1 КТЗ24В.1, КТ324Г-1) и усилен зя сигналов высокой частоть, (2Т324Д-1, 2Т324Е-1, КТ324Д.) КТ324Е-1) Бескорпусные, без крнсталто держателя, с гибкими выводами и защитным покрытием па основе кремпийарганического лака Выпус.
каются в сопроволнтельной таре Обозначение типа приводится на этикетке Масса транзистора не более 0,002 г Электрические параметры Граничная частота при 1)кв = 2 В, )э = 5 мА не менее 2Т324А-1, 2Т324Б-1, 2Т324В-1, КТ324А-!, КТ324Б-1, КТЗ24В-1 2ТЗ24Г-1, 2Т324Д-1, 2Т324Е-1, КТ324Г-1, КТЗ24Д-1, КТ324Е-1 Постоянная времени цепи обратной связи при 1)кк = = 2 В )э = 5 мА, /= 10 МГц 2Т324Д-!, 2Т324Е-!, КТ324Д-1, КТ324Е-1 не более Время рассасывания при ук = 1О мА, /к! = 1 мА, Твэ = 1,2 мА, Як —— 75 Ом не более 2ТЗ24А-!, 2Т324Б-1, 2ТЗ24В-1, КТ324А-1, КТ324Б-1, КТ324В-1, 2Т324Г-1, КТ324Г-1 .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ек = О, )к = 10 мА при Т= 298 К 2Т324А-1, КТ324А-1 . 2Т324Б-1, 2Т324Г-!, КТ324Б-1, КТ324Г-1 . 2Т324В-1, КТ324В-1 . 2Т324Д-1, КТ324Д-1 . 2Т324Е-1, КТ324Е-! . прн Т= 213 К 2Т324А-1 . 2ТЗ24Б-!, 2Т324Г-1 2Т324В-! . 2Т324Д-! . 2Т324Е-1 . при Т= 358 К 2Т324А-1 . 2ТЗ24Б-!, 2Т324Г-1 2Т324В-! . 800 МГп 600 МГц 180 пс 10 нс !5 нс 20-60 40-120 80-250 20 — 80 60-250 8-60 16-120 32-250 8 — 80 24-250 20- 120 40-240 80 — 500 20 — 1б0 бО-500 2Т324Д.! ° 2ТЗ24Е ! „ч„е напряжение при /э = 1 мА 2Т324А-1, 2Т324Б-!, р -Зэ4В 1 2Т324Г-1, 2Т324д-!, 2Т324Е-1 не менее . Напряжени бо Напряже яженпе яасыщения база.змиттер при 1!г = 10 мА, 1 =1 мА е бо ее Обратный ток коллектоРа при Пкк = 10 В не более: Б при Т= 298 К ° прн Т вЂ” 358 К 2Т324А-1, 2ТЗ24Б-1, 2Т324В-1, 2Т324Г 1, 2Т324Д-1, 2Т324Е-1 .
О . тный ток эмиттера при Т = 298 К, Цгк = 4 В не Ооратн более . Емкость коллекторного перехола при Пкв = 5 В не более . Емкость эмиттернаго перехола при Гуэк = 0 В не бояее Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Яэв С <3 кОм Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора .
Импульсный ток коллектора прп тх < 10 мкс, Д в 10. Постоянная рассеиваемая мощностги при Т = 213 —: 328 К. при Т= 358 К Общее тепловое сопротивление . Температура перехода Температура окружающей среды . 5 В 0,3 В 1,1 В 0,5 мкА 10 мкА 1 мкА 2,5 пФ 2,5 пФ 10 В 10 В 4 В 20 мА 50 лгА 15 мВт 5 мВт 3 К/мВт 373 К От 213 до 358 К в составе микрос Ят ц 3 К/мВт. П р и м е ч а н и е. При эксплуатации транзисторов схем должен быть обеспечен теплоотвод от кристалла 1,1 1,2 чл 10 1,0 "0,9 ~~ 0,0 2 Т329А-1-2Т3292-1, 272294-1-272292-1, О, а К 0,7 0,0 ° 0,2 0,5 329 0 4 2 12 10 20 /к,мА Зависимость относптедьного стазического коэффициента передачи тока от тока коллектора.
0 9 О 22 10 20 15гмА Зависимость относительной граничной частоты от тока эмиттера. 1,9 Завясимасть относительного н . го на. пряжеиня насышения коллекто . эмиттер от температуры тор. .". 1,8 -Р 1,1 е !,О ~У 09 17,8 813 893 873 У!73 Зол Збб 7, К Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные я-р-п СВЧ усилительные с ненормированным ноэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса, Масса транзистора не более 1,2 г.
лоллекого аоа Знапцер Электрические параметры Граничная частота при !7кк = 5 В, уэ = 10 мА: 2Т325А, 2Т325Б, КТ325А, КТ325Б не менее . 2Т325А, 2Т325Б, КТ325А, КТ325Б, типовое значение 2Т325В, КТ325В не менее 2Т325В, КТ325В, типовое значение . Постоянная времени цепи обратной связи прн =5 В, уэ=10 мА,Г=!0 МГц не более . типовое значение Статический коэффициент передачи тока в схеме с обшим эмиттером при !гкв = 5 В, ук = 1О лзА: прн Т=298 К: 2Т325А, КТ325А .
2Т325Б, КТЗ25Б 2Т325В, КТ325В при Т = 213 К: 2Т325А 2Т325Б 2Т325В 800 МГц !000' МГц 1000 МГц 1200* МГц 125 пс 50» пс 30 — 90 70-210 160-400 12-90 28-210 64-400 2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В при и Т=398 К: 2Т325А 2Т325Б 2Т325В чное напряжение при уэ = 10 мА ие менее . Гранично типов овос значение лектор при !7кь — 15 В ри Т= 298 К. прн Т = 398 К 2Т325А 2Т325Б 2Т325В 6 агний ток эмиттера О раз~ ве более.
2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В. Емкость коллекторного перехода при !7 = 5 В, г— =10 МГп не более типовое значение Емкость эмиттерного перехола при !/эь — — 4 В, = 10 МГп не более . пшовое значение Емкость конструктивная между вьщод и к и эмиттера* Индуктивность выволов эмиттера и базы ь при =3 мм. 30 — 170 70 — 400 160- 700 15 В 25" В 0,5 мкА 5 мкА 1 мкА 0,5 мкА 2,5 пФ 2,0' пФ 2,5 пФ 2,0* пФ 0,35 пФ 7 нГн Предельные эксплуатационные данные 15 В 15 В 4 В 60 мА 30 мА 60 мА 30 мА 60 мА 60 мА 225 мВт 150 мВт 85 мВт 286 К/Вт 423 К От 213 ло 398 К 331 Постоянное напряжение коллектор-база .
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Яэк и <3 кОм Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора: 2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В . КТ325А, КТ325Б, КТ325В Постоянный ток эмиттера: 2Т325А, 2ТЗ25Б, 2Т325В . КТ325А, КТ325Б, КТ325В Импульсный ток коллектора при т» К 10 мс, Д > 2 КТЗ25А, КТЗ25Б, КТ325В . Импульсный ток эмиттера прп т» к 10 мс, !е и 2 КТ325А, КТЗ25Б, КТ325В ° Постоянная рассеиваемая мощность при Г = 213 — 358 К, р и 6650 Па . при Т = 213 . 358 К, р = 665 Па при Т= 398 К !Збглее тепловое сопротивление .
Температура перехода Температура окружающей среды 1,г г,п 1,В 1,0 ~~09 с 1,г 1,О мд 1,7 1,г 1,г 1,1 ч. б1,О ч- 0,9 л1К,% 1го 1,0 100 90 0,5 го 1 г 5 10 гп 50999,хом 0,7 п,в ' о 1о гп 50 во 507„, Зона возможных положений зависимости относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
