sprav_tranzistor (529834), страница 61
Текст из файла (страница 61)
Роткозамкнутых выводах эмнттера и базы. тоянное нрн кор „н о отключенной базе нос напРяжение змиттер-база . есгоянно нный ток коллектора, 11 „„зя рассеиваемая мощность при Т = 213 —: .гоянн 1О В 8 В 0,3 В 1О мд 10 9 Зии База йвл Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме с обгцнм эчиттером прн !/кк =!О В при Т= 298 К П701 прн 1!г = 0.5 А П70! А прн ук = 0,2 А . при Т= 398 К и гк = 0,2 А П 701 П701А . при Т= 213 К П701 при Iк = 0,5 А не менее П701А при ув = 0,2 А не менее П701Б при Ук — — 0,5 А прп У'= 293 К . при Т = 218 К не менее Молуль коэффициента передачи тока при Окк = 20 В, 1к = 0,1 А, Т= 5 МГц ие менее Вхолное напряжение прн !Iкк = 10 В, ук = 0,5 А не более .
пряжение насыщения коллектор-эмиттер при lк = 0,5 А, к = 0,1 А не более ратный ток кочлектора П701, П70!Б прн (/кк = 40 В П701А при 6Гкк = 60 В ие более ратный ток коллектор-эмнттер при Лкэ к 100 Ом е бодее П701 при 6ткк = 50 В, Т = 298 К н Т = 213 К . ри Ггкв = 35 В, Т = 398 К . 10 -40 15-60 ГΠ— 90 15-! 20 30-100 15 2,5 4,0 В 1 На Об н 456 7,0 В 100 мкА 0,5 мА 3,0 мА Выпускаются в метазлостекзянном корпусе с жесткнмн як~ во. дами Обозначение типа приводится нв корпусе Масса транзистора нс более 12 г, с крепежным фчащ авггес в более 16 г ве П701А н Ока= 70 В, Т= 298 К и Т= 213 К .
ирн кь ийи икь = 50 В, Т= 398 К . П70!Б „ „ !7, = 50 В, Т = 293 К и Т = 218 К . „рлл 7=373 К. 6 нтный и тол зл!нттера прн Сэв = 3 В не более . 0,5 мА 3,0 мА 0,5 мА 5,0 мА 3,0 МА Предельные эксплуатационные данные при 7тьэ ж Востоки аннов напряжение коллелтор-змнттер 4 100 Ом п„л~ 7 = 213 373 К П 701 П701А . при 7 = 218 373 К П701В ° Импучьсное напря кение лозчектор-змиттер = 0.5 А, йвэ ж 100 Ом, Т= 213 — 373 К П701 П70!А Постоянное напряжение лоллектор-база ири Т= 213 — 373 К П701 П701А .
при Т= 218 — 373 К П701Б Постоянное иапрякенне змнттер-база П701, П701А при Т= 353 — 393 К и Т= 373 К П701Б при Т= 218 — 353 К Постоянный ток коллектора Импузьснылй ток кочлектора П701, П701А . Постоянный ток змщтера . Постоянная рассеиваемая мощность с теплоотводом прн Тк и 323 К . без теплоотвода прп Т ж 338 К .
Тепловое сопротнвченне переход-корпус . Тепчовое сопротивление переход-среда . Температура перехода Температура окру.кающей срелы П701, П701А 40 В 60 В 40 В при укч = ЗО В 50 В 40 В 60 В 40 В П701Б при 1,8 В 2,0 В 0,5 А 1,0 А 0,7 А 10 Вт Вт 10 К/Вт 85 К/Вт 423 К От 213 до 398 К От 218 до 373 К П701Б Рк „„. = (423 — Тх3'Кт П Рн Т= 338 — 393 К рассеиваемая мощность коллектора, Вт, счнтываетсв по фоРмУде Рк „,„, = (423 — ТЗ/37тяч. 13рпмечание Прп Т> 373 К бкэ и !/кв снижаются на 10", через лажные 10 К ПРи Тк Л 323 К РассеиваемаЯ мощность коллектс тора, Вт, рассчитывается по формуле 16эм,4 г5о гоо 250 100 50 о о,г 0,4 О,О о,о гои„,о Входные характеристики о о,г 0,4 О,О О,в у,от„д Зависимость оз носите зьног ого статического коэффициента и .
пе. релачи тока от тока коллектор ора 2,0 500 В гоа Д ЫО 200 Зависимость относительного пробивного напряжения коллектор-эмнттер от сопротивления Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база база-эмиттер 2г 50 го 40 а 50 50 За го г,о 70 Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры. Зависимость напряжения наты' гцения коллектор-эмиттер от температуры.
4% ь ~ 02 ОО ' 10г 202 70 го ндл,ом 2,0 е, а ов цо,б о и га 5040 О„,О П702, П702А а5 Знанье " " Рнческне пара Статический козффнпиеит передачи тока в схеме с общим эмиттероч при !Гкь = 10 В !э = 1,1 А не менее прп Т„= 398 К П702 Л702А .
при Т= 213 К П702 П702А . Модузь коэффициента передачи тоха при Пкз = 30 В, !к=03 А, Т=1 МГп не менее Входное напра кение при !гкэ = 1О В, 1к —— ! А не ботве . Напряжение насыщении коллектор-эмиттер при 1к = ! А, гь = 0,2 А не более П 702 П 702 А Обратный гок коллектора при !гкь = 70 В не более при Т = 298 К и Т = 2!3 К П702 П702А . при Т„= 398 К П 702 П702А .
Разный ток холзектор-зчпгтер при 7!ьэ = 100 Ом, !гкэ = 70 В не более при Т=298 К и Т=2!3 К П702...... ° ° ° ° * 25 10 10 5 4,0 4,0 В 2,5 В 4,0 В 5,0 мА 2,5 мА !О мА 5,0 мА !О лгА звсторы кремниевые чезачзланарные л-р-я усилительные транзис стотпые мощные П назначены лля применения в выходных каскадах усилитея кохает „-ой частоты, переключающих каскалах, преобразователях ей низко би изаторах настоян~ ого напряжения я ста язи „скаются в четалзасгеклянноч корпусе с жесткичи выводачи Вы У !!бозиаче иа„ение типа приводится иа корпусе Масса транзистора не более 24 г, с крепежным ф.ганпем е бозее 34 г яе Р !з !8 5,о мА П702А . при Тк — 398 К П702 П702А . Обратный ток эмиттера при (тэв = 3 В при Т= 298 К. при Т„= 398 К Предельные эисплуатанпонн Постоянное напряз ение коллектор-змиттер база при Т„ с 393 К, при Тв = 423 К Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора . Постоянный тол базы . Постоянная рассеиваемая мощность с теплоотводом при Тх и 323 К прн ҄— 398 К без теплоотвола (5 мА 7,5 мА з мА 35 л~А ые лаиные и коллектор- 60 В 30 В 3,0 В 20 А 05 А 40 В» (О В. (оо Лгзз 100 во во во во го го о ро го го 9О ввоят В Зависимость статического котф фипиента перелачи тока от т ва. пряжеиия коллектор-'эмиттер О О,9 О,В (,г (,В г,аТя,д Зависимость статичесьото лоэффпииента передачи тока от тока коллектора при Т С 293 К .
. . . . . . . . . . . . 4 Ве при Т = 398 К . . . . . . . . . . . . . . 0,75 Вт Тепловое сопротивление переход-корпус . . . . . . . 2,5 К/Вт Тепловое сопротивление перелол-срела . . . . . . . 33 К(йт Температура перехода . . . . . . . . . . .
. . 423 К Температура окружающей среды......... От 2(3 до Т,= = 398 К П ри меча и не При Т„> 323 К малсимально эзоп>стимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, рассчитывается по формуле Рк„,.„, = (423 — Тз( йтч з При Т > 293 К максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, рассчитывается по формуле Рк „„= (423 — Т) 7(т» аз ч узг ц, 1,! Лгтй Л 1ОО во во го О 4О ВО угО 7ВО гааЛгтв 3 впсимссть коэффициента пеззвпс дачи тока в импульсном режиме от статического коэффициента перелачи тока г?х оУо Хвв ? К Зависилгосзь напряжения насыщения коллектор-эмгмтер от температуры 2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б, КТ704В Уелоояпя ягекка злектрические параметры Напряжение насыщения коллектор-эмиттер прп 1к = = э,5 А, Та = 1,5 А не более . Напряжение насыщения база-эмиттер при !к = 2,5 Л, та = 1,5 А не более Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером: при ?=298 К 1/кэ=-!5 В, ?к = ! 2Т704А, 2Т704Б, КТ704Л, КТ704Б КТ704В не менее .
пои ?=ЗТЗ К, !ткэ=!О В, ?к=05 А 2Т704Л 2Т704Б при Т = 213 К !т = 15 В, 7, = 1 А 2Т704А, 2Т704Б 5 В 3 В 13 100 10 б-300 6- 100 461 Транзисторы кремниевые меза-пленарные и-Р-гг высоковольтные низкочастотные могцные Нредназиа'гены для рабаты в импульсных модуляторах. Выпускаются в металлакерамическом корпусе с жесгкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе. Вывод эмиттера маркируется ус:ювной точкой на корпусе. Масса гранзистара нс более 20 г. Модуль коэффициента перелачи тока прн /'= 1 МГц, 1/кк = 15 В, /к = 0,1 А ие менее Обратный ток коллектор-эчиттер при /!ьэ = 10 Оч не более при Т= 298 К 2Т704А, КТ704А при !/кз = 1000 В .
2Т704Б, КТ704Б при !/кз = 700 В КТ7ОаВ при !/кэ=5ОО В . при Т= 373 К и Т= 213 К 2Т704А при !/кэ = 700 В . 2Т704Б при !/кэ = 500 В . Обратный ток эчиттера при !/яэ = 4 В не боэее . Предельные эксплуатационные данные 5 мА 5 л1А 5 мА 10 мА 10 мА 100 мА 500 В 350 В 400 В 500 В 1000 В 700 В 500 В 700 В 500 В 4 В 25 А 4 А 2 А 15 Вт 398 К От 213 К до Т„= 373 К Постоянное напряжение коллектор-эчиттер при /тьэ = = 10 Ом или !/кз = 1,5 В при Тк = 213 — 373 К 2Т704А 2Т704Б при Т, = 263 — 333 К КТ704Б, КТ704В при Т„= 228 — 358 К КТ704А . Импульсное напряжение лоллектор-эчиттер при Яьз = = 10 Ом илп !/ьз = 1,5 В, т„= 1 — 10 мс, те, > 1О мкс, ЬЭ»50 и т„<1 чс, та>10 чкс, Д»10 при Т„= 233 — 353 К 2Т704А, КТ7044 . 2Т704Б, КТ704Б .
КТ704В при Т„ = 2!3 — 373 К 2Т704А 2Т704Б Постоянное напряжение база-эчиттер прп Т, = 213— — 373 К 2Т704А, 2Т704Б и при Т = 228 — 353 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В Постоянный ток коллектора при 7; = 213 — 373 К 2Т704А, 2Т704Б и при Т„= 228 — 353 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В . Импульсный ток колэектора при т„к 1О мс О > 2, Т„= 213 — 373 К 2Т704А, 2Т704Б и при Т, = 223— — 353 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В . Постоянный ток базы при Т, = 213 — 373 К 2Т704А, 2Т704Б и при Т„= 223 — 353 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т„= = 2!3 — 323 К (при Т„= 228 — 323 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В1.
Температур~ переяода Температура окружающей среды 2Т704А, 2Т704Б . .От 228 К до Та=358 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В и меч ани я ! Максимазьио лопустимая постоянная рассен- П !) И чо,цность коллектора, Вт, при Т, » 3 3 К определяется по .2 вась!ая и ' ф„Онуче 1 к макс !!и укр"т'п к — тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое дЕ тик бдасти максимальных Режимов пзс Да За температуру корпуса принимается температура любОЙ тОчки ваиия транзистора лиачетроч не более !3 мч со стороны опор- основан яой поверхнос „ 2 Пикка выводов лопускается на расстоянии не менее 2 лкм от „Орпуса транзистора Бэ,,4 5 75,л 2,0 1,5 П,В П,Ф О ПЯ 04 О,Б 000вз.В П 04 00 1к0 1аБПКакВ Входные характеристики Зависимость тока эмиттера от напря,кения база-эчиттер 5П 20 пз 10 Й В 4 00 10 О 0,5 1 1,5 ПТ„,Д 0 г 4 Б ВХк/75 Завис финне иснмость статического коэф- Ф пиента передачи тока от тока коллектора Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер, 3, от отношения 1к71к СР,РФ поп Сх,РФ Во 00 зпо 40 гсо го впахе В акте 90 р 0,9 «ов 0,7 ЗО 464 10О о 1 г З «оепв Зависимость емкости эмнттерного перехода от напряжения база-эмиттер 10 гчп гПЗ гпг ЗЗЗ Зугтх,г Зависнчость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
