sprav_tranzistor (529834), страница 63
Текст из файла (страница 63)
КТ805А, КТ805Б, КТ805АМ, КТ805Б]ц КТ805ВМ Тоанзисторы кремниевые зпнтаксиальные и-р-и переключа низкочастотные мошные. ючатель заныв Предназначены ддя применения в схемах выхолных к строчной развертки телевизоров, систем зажигания двигателеи каскадоа рениего сгорания. "" ви УтТранзисторы КТ805А, КТ805Б выпускаются в метшзлоет остекляа. ном корпусе с жесткими выводами. Транзисторы КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ выпускаю, каются я пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более йе г, в пластмассовом не более 2,5 г, нтм5А, нт8056 о,б Ф,В ягор ер НТ605АМ,НТВ85ВМ, НТ ВОБВМ 472 Электрические иарачетры „пе насышения кочзектор-змцттер пр Т305А КТ805АМ не ботев . Кт»05Б КТ805БМ не более . 2 Л /в = 02 А КТ305ВМ не более l = ЯР ряжеипе цасышения база-эчиттер при /и = 5 А, /в = 05 А КТ Т805А, КТ805АМ не ботев . КТ8 Т805Б КТ805БМ, КТ805ВМ не бочее . тическ»» кнй коэффициент передачи тока в схеме с обшич эл» эчиттероч при бкэ = 10 В, /к = 2 А не менее прп Т = 293 К, прн Т= 213 К, эффициента пер Граничив с о ш аром прц // менее И я»зьсный обратный ток коллектора при Янэ =!О Оч Иия» з „Р„ Т = 298 К н 373 К не более КТ305Л, КТ805АМ пРн //кэ = !бО В, КТ805Б, КТ805БМ, КТ305ВМ при //кэ = 135 В .
Обратил»й ток эмиттера при //эя = 5 В не более . 2,5 В 5 В 2,5 В 2,5 В 5 В 15 5 20 МГц 60 мА 70 мА !00 мА Предельные эксплуатационные данные Ицлэ зьсное напРЯцение коллектоР-эмиттеР пРи тя ц с 5»30 мс, тс > 15 мс, Яьэ и !О Ом при 7а и 373 К КТ805Л, КТ805ЛМ . КТ805Б, КТ305БМ, КТ805ВМ Постоянное напряаение эчиттер-база Постоянный ток ко»лектора . Ичпузьсный ток коззсктора при т„ к 200 мс и !7 = 1,5 Постоянный ток базы Ичпу»ьсвый зок базы цри тч с 20 мс Средняя Рассеиваемая чошность 1бО В 135 В 5 В 5 А 8 А 2 А 2,5 Л 473 при Т„С323 К,........,... ЗО Вт нри Т„= з73 К,.............
15 Вт Тепловое сопротивзсние переход-корпус...... 3,3 К/Вт еч"ершура перелопа...... „...... 423 К Тел»п 'шеразура окруаа»ошей среды......... От 213 до Т„= 373 К П Р и ч е ч а н н я 1 д»я КТ805А, КТ805АМ в схемах строчной Разве Рткн тезевизоРов допУскаетск //кэ „ = 180 В пРи Т И 343 К, ткк!5 чкс При повышении температуры до 423 К //кэ „ул»еньШастся тся на 10 , через ка клые 10 К В схемах строчной развертки ге»авизо оров лопУскаетсЯ Оэь „= 8 В пРи тч и 40 мкс 2 Ри»ечпературе корпуса оз 323 до 373 К рассеиваемая "ость коллектора, Вт, рассч»пывается по формуле / к а»с = !423 7'7//з» )багга,' г5 Лгтз 100 во 00 40 го о 1 г 10 10 г,аыа Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора Зависимость модуля ьозффгга« ента передачи тока от частоты дгтэ 50 2 1,г 3 10 йо,в ж 00 а,д 0 10 90 го 10 нго 1000 100 г53 гуггэг 313 333 3531,к Зависимость атноситечьно ьного максимально допустимого о нате от пряжеиия коллектор-эмиттер сопротивления эмиттер-ба .база Згвисимость статического коэффициента передачи тока от тем- пературы 474 3 Пайлу выводов транзисторов в металлостекчянном следует производить в течение не более РЗ с Температу усе кори гэра пане должна превышать 533 К УР панга Пайку выволов транзисторов в пзастмассовом корит шается производить на расстоянии ие менее ч млг от >се Ра ьорп транзистора Рпзса При монтаже транзисторов в схему лопусьается одно, изгио их выводов на рассэаянни не менее 2,5 мм от оразов,яй "орп с под углом 90 ' с ралиэсом изгиба не менее 0,3 мм П должны приниматься меры нсьчючаюшне возмоя ность переда„я лии на корпус Изг иб в плоскости выводов не допуслается КТ807А, КТ807Б, КТ807АМ, КТ807БМ к ТЯОТ4, ктВОТБ К ТВР 14 М, К ТВЯ 7б и Электрические параметры Граничная частота коэффидиента передачи тола в схеме с абзцнкз эчнттером не менее Статический коэффиниент передачи тока в схеме с общим зкщзтером при Тткэ = 5 В, Тк = 0,5 А при Т= 298 К КТ807А, КТ807АМ .
КТ807Б, КТ807БМ прп ! = ззЯ Л КТ807А, КТ807АМ КТ807Б, КТ807БМ Вепря кение насыщения коччектор-эмпттер при Тк = =0,5 А, Та=0,1 А не более !)"Ратный ток коллектор-эмиттер при Тткэ =- 100 В, йьэ= 10 Ом при Т = 298 К нс более при Т= 358 К ие более . Об ат Ратный ток эмиттера при Т)эь = 4 В нс бочее . Предельные эксплуатационные данные Т!астап сстаяпное напряжение коллектор-змиттер при )Тьэ к к 1О Ом илн йьэ = 1 кОм и Ттьэ = 0,5 В 5 МГц 15-45 30-100 20-60 45 — 150 1 В 5 мА 15 мА 15 кзА 100 В 475 юторы кремниевые чеза-планарные л р-я универсальные '1' р а и 3!! от ачасто тотные мощные Прсдназ иащачены лля работы в генераторах кадровой и строчной усидите зях низкой частоты, источниках питания ер ак Выпускаю и скаются в металзопластмассовом (КТ807А, КТ807Б) и в совам (КТ807АМ, КТ807БМ) корпусах с тнбкимн вывазщми , массон „, чепце ища приволится на корпусе 'М.,са транзи- рз КТ807А, КТ807Б нс полее 1,5 г, КТ807АМ, ОТБМ ие более 1 1 гг ТЯ гй 12П В 4 В 05 д 15 д О24 При меч а ни е При температуре окружающей среды сз 343 до 358 К рассеиваемая мощность коллектора, Вт, рассчитывает „ тся по Формуле Рк „,„, = (423 — Т)~ Вте-х П213 12О лгтэ 120 ВО ОО ФО О 233 г73 О О,я О,д с13 ТК Зона возмо кны.
почоженай зависимости стаз ичесьогс ьоэфВиппснта передачи тока от темпе. ратуры -О,О 0,4 Зона возможных полоаеэнзй за о '"'" висимостзз статпчеслого лозрФ ниента передачи тоьа от т тсьа ьолтеьтора Зона возможных почоаен нип занасыще. виспмости напряжения на от теы. ння колчсьтор-эмнттер о перату ры О г33 гуО 47й 318,ТОЗОВ Импульсное напряжение коллектор-эмиттер Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Импульсный тол коллектора при тх и! мс, Д > 2, Постоянный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 — 343 К при Т= 358 К Тепловое сопротивление переход-корпус .
Температура перехода Температура алрух ающей среды ~В В 8 Вт " Куйт 423 К От 233 ло 358 К 2Т808А, КТ808А 4 122 Змнлглзер 023,5 бдэд КОЛЛ Электрические параметры Напряжение насыщения база-эмиттер при 7 = 6 А, 1 =06 А. Б типовое значение Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эипттером при тт = 3 В, / = 6 А при Т= 298 К типовое значение .
прн Т = 398 К 2Т808А и Т = 373 К КТ808А, р Отношение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Т= 398 К к статическочз коэффициенту прн Т = 298 К не более . Ореия рассасывания прн 17 = 15 В, 7 = 6 А не более лз ' к Молуль коэффициенза передачи тока при Т= 3,5 МГп, 1кэ = 10 В, 7 = 0.5 А не менее Э дикость котзекторного перехода прн бгьэ =- 1О В, /= 1 МГц пе бочее Об Ратный ток козчеьтор-эмиттер при Явэ = 1О Ом пРи Т = 298 и 213 К, тткэ = 200 В 2Т808А и Вкэ = 120 В КТ808А не ботев .
типовое значение прн Т = 398 К, 7ткэ = 160 В 2Т808А не более . при Т= 373 К, 67кэ = 120 В КТ808А не более . 16ратный ток эмпттера при 1тьэ = 4 В не более . типовое значение . ° 1" — 25 В 14а В 10-50 15* 1О- 150 6 — 50 3 2 мкс 2,4 500 пФ 3 мА 01* мА 20 мА 20 мА 50 мА 4' мА 477 исторы кремниевые меза-планарные и-р-и переключательные Траизнс стотные мопзиые захвачены для раооты в ключевых схемах, генераторах зьсчасто Пр дн' ,", развертки.
электронных регуляторах напряжения взвой Р тР „„„каются в метазлостекчянном корпусе с жесткими выводами, рыпчсь пение типа приводится на корпусе Обозначен' Масса транзистора не более 22 г, накндного фланца 12 г Предельные эксплуатаиноиные данные Постоянное напряжение коччеьтор-ам!мтер при 77 =!О Ом, Та<373 К ИмпУльсное напРЯжение коззеьтоР-эмпттеР пРи Гувэ =. ' В и'и! йьз = 10 Ом т„с 500 млс. ы > 6, Т„с 373 К Постоянное напряжен!!е амит! ер-база при Т = 213 — 398 К Постоянный ток колчектора при Т= 213 — 398 К .
Ток базы при Т = 213 — 398 К . Постоянная рассеиваемая мощность ьолчектора прп Т, = 213 — 321 К с тептоотводом при Т = 213 — 323 К без теплоотвода . Тел ювое сопро гав !снпе переход корпус, Темпера!ура перехода . Температура окружающей среды 2Т808А 120 В з50 В 4 В 1О А 4 А 50 Вт 5 Вт 2 К!Вт 423 К ОтН3„ Тг= 398 К КТ808А..... °,,....,...
От Т= 213 К до 7„= 373 К П р и и е ч а н и я 1 Постоянное и импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Т = 373 — 423 К снижается линейно на 10", чсрщ п каждые 1О К Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах. сов! римых с неуправляемыми обратными таками во всем лпапазоне температур Ддя снижения контактного !силового сопротивления между корпу.
сом и теплоотводом необходимо применять смазку из невысыхаюшего масла илп тонкую фольгу из мягкого метачла 2 Механические усилия на выводы транзисторов не должны превышать 19,62 Н в осевом и 3,43 Н в перпендикулярном направлениях к осн вывода Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мл! ог корпуса транзистора ~Б '4 4 49 !- пз,тВ 229 79 В 299 Х2У ЮОВ УТУ 39ВТх,К Зависимость максимально допустимой рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса В 92 94 В,В В,Впав В Входные характеристики 478 "ага 77Э 50 го 70 го Ск, пФ гоо 70 750 50 7к,л 70 70 707 7 г в0070 700 о„,в Область максимальных реж77- мов 0 а,в 0,0 г,г7,07„л Завис77х а7еннч самость напрякения насы"я коллектор-эмзптер от тока базы 0 г 4 6 01к А Зависим „, ость статического коэф- иента перецачи тока от тока фипиент коллектора 50 гтг г55 гог ггг гугт„к Зависимость статического коэф$впиента передачи т.ока корпуса ч7 В ф Ф о г75 г55 гог 555 гу17„,77 Зависимость статического коэффициента перелачи тока от тем- пературы корпуса 50 о 7о га го 000„„6 Зависимость емкости котлекторного перехода от напряжения коллектор-баэа 2Т809А, КТ809А Транзисторы кремниевые меэа-планарные я.р-л переключа чатель низкочастотные мощные лья , Предназначены для раооты в ключевых н импульсных Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткини х стен„„ дами Обозначение типа приводится па корпусе чж выл, ывв.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
