sprav_tranzistor (529834), страница 62
Текст из файла (страница 62)
Тя " ч гтточл, г хт7пчл Т чвггг О,Е Т„4 ВОВК О,Ч О'г Ве мстаяннам маке 0,1 О,ОЕ О,РЧ В и млели снам О аниме а„= 1ЕВ„., Я„ттаам а,ат Рсва .=1-10;т этом«'с или ИО,т„кгмсаг с10мкс п,апг 0,001 1 г Ч очага ЧОЕП1пагооаят,о Область максимальных рел и- мов. Зависимость емкости ьоллехто . ного перекопа от напряжена„ коллектор-база О,е 10 10' 10' 10ч 10егкьам Зависимость относительного напряжения коллектор-эчиттер от сопротивления база-эмиттср Т„х г 1 ае п,г 0,1 О,ОЕ О,ЫЧ а,аг 0,01 О,ОРЕ п,паг О, Р01 1 г Ч Ета го Чаоазаагао алз Е Область максимальных Режи" мов. 705А, ГТ705Б, ГТ705В, ГТ705Г, ГТ705Д горы германиевые спзавные а-р-и )сизительные низьо- Траизисто стотвые мощные частот" „„.
начены для работы в схемах усилителей мощности 7)рсдназ язьой частоты яяз" " ьаизтся в металлоьерамическом корпусе с жесткими выВыпус" Обозначение типа приволгпся иа корпусе ! оса транзистора не более !5 г Ь)асса 73 7ВУ Ургй Электрические паразсетры Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при )к = = ! 5 А, уь = О,! А не более Напряжение насыщения база-эмиттер при )к = 1,5 А, /а=О,! не более Статический коэффициент передачи тока в салеме с общим эмиттером при бткэ = 1 В, уэ = 0,05 А ГТ705А, ГТ705В . ГТ705Б, ГТ705Г . ГТ705Д Нрелельная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттеРом пРи Гкэ = 2 В, /к = 0,5 А не менее "ияейность статического коэффициента передачи тока 08 а а = !аз~э при уэ = 0,05 А)дйзгэ при )э = 1,5 А) . ра~ный ток коллектора при Сгкь = 20 В ГТ705А, ! Т705Б, ГТ705Д, при !тик = ЗО В ГТ705В, ГТ705Г це более .
Об а р тный ток коллектор-змиттер при Яьэ = 50 Ом, кэ = 25 В ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705Д и при кэ = Зб В ГТ705В, ГТ705Г не более . Обрат ный тоь эмиттера при !)ьэ = 1О В нс более . Предельные эксплуатационные данные Г)сстояцц нное напряжение коллектор-эмиттер при Вьэ = ь50 Ом, Та=233 328 К ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705Д 1 В 2 В 30-70 50 — 100 90-250 !О кгц О,б-1,5 0,5 мА 1,5 мА 0,3 мА 20 В ГТ705В, ГТ705Г Импульсное напряжение коллектор-эмиттер НЬЗ = 50 ОМ, тч С 3 МС, 1'3 В 10: ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705Д ГТ705В, ГТ705Г . Постоянный ток коллектора прп Т„= 233 —: 328 К . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора; с гепдоотвалом при Т, = 233 + 313 К без теплоотвода при Т= 233 — 308 К . Температура перекопа Тепловое сопротивдение переход-корпус Тепловое сопротивленпе переход-среда .
Температура окружающей среды 30 В прн 25 В 35 В 3,5 А 15 Вг 1.б Вт 358 К 3 К)йз 30 К)В„ . От 233,„г 7» = 328 К Примечания: 1. Максимально лопустимая постоянная ая Рас. сеиваемая мощность коллектора, Вт, с теплоотводом Т„ = 313 †: 328 К определяется по формуле пря Р, „,„,. = 1358 — Т„)80 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощное ~ность коллектора, Вт, без теплоотвода при Т= 308 —: 328 К определяется Рк . = 1358 — Т)(30 2. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее б 'гч от корпуса любым способом (пайка, сварка, пайка погружениен и т.
д.) при условии, что температура в дюбой точке корпуса ве превышает предельно допустимую температуру окружающей срелн При включении транзисторов в электрическую цепь коллекторный контакт должен присоединяться последним и отсоединяться первым. Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабсчщ токах, соизмеримых с неуправляемылщ обратными токами.
КТ801А, КТ801Б Транзисторы кремниевые диффузионно-сплавные и-р-и мощные. Прелназначены для работы в схемах кадровой н строчной разверток, вторичных ис~очниках питания. Выпускаются в металлостсклянном корпусе с гибкими выволасж Обозначение типа приводится иа корпусе. Масса транзистора не бояее 4 г. Нлллеялгар унияглгер зг 3 Электрические параметры частота коэффиниента перелачи тала в схеме Гйа' змиттеРом при (/кь= 10 В, !я =0,3 А не ~ичиая ча с о бщпм '.
и „оэффиниент передачи тока в схеме с общим иее . ятяческн Ста ом при Укз=-5 В, /к=! А' зииттеро КТ80!А Кт80!Б . ине насыщения коллектор-змиттер при 2„= 1 А, Н'~"02 А не более............. 1Б Обратим „~й ток коллектор-эмиттер при Яьз и 100 Ом яе ботев КТ801А при Еткз = 80 В Т = 233 298 К . при Ц<з = 40 В, Т„ = 358 К КТ80! Б при тткэ = 60 В, Т„= 233 —. 298 К при 0кз = 30 В, Тя — 358 К Обратный ток эмнттера при 1тзь = 2,5 В не более, 10 МГц 13 — 50 30-150 2 В 10 мА 20 мА 10 мА 20 мА 2 мА Предельные эксилуатанионные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Яэь и с !00 Ом при Т„= 233 — 328 К КТ801А КТ801Б при Т„= 358 К КТ801А КТ801Б Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора . Посгоянный ток базы Пес сстоянная рассеиваемая мощность коллектора: прн Тч = 233 †.
328 К . при Т„ = 358 К Темп Темп мпература перехода ипература окружающей срелы . 80 В 60 В 40 В 30 В 2,5 В 2 А 0,4 А 5 Вт 2 Вт 423 К От 233 до 358 К П и Ри меча ние. При температуре корпуса от 328 до 358 К чакра кепи "ие и Рассеиваемая мощность снижаются линейно. йгта ва дгтг Уб во бЧ гв КТ802А Транзистор кремниевый меза-планарный л-р-я мощный экиаер. сальный Предназначен для работы в усилителях постоянного гока, генераторах строчной развертки, усизителях мощности, вторичных источниках питания Выпускается в мегаэчостекчяниом корпусе с десткнхш аы водамв Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 22 г, с накндным фзаицем не более 34 г Вхгиотоэе Коооекоэор Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с обшим эмнттером при бкк = 1О В, !к = 05 А ие менее .
Статический коэффициент передачи така в схеме с обшнм змнзтером при бкк = 1О В, 1к = 2 А не менее . Напряжение насышения колзектор-эмнттер при тк = 5 А, Рв = 0.5 А не более 10 Мга 15 5 В О гпП впо бпп ВООТ„,ыд Зона возмо.кных пото.кений зависимости статического коэффициента передачи от тока кол- лектора О гоо еап бпп ВПП2„,ид Зона воз Ожных хожении зай за.
ВИСИ'10Сти Ст'зтиЧССкогп К,ззфф пнента перелачн тока От тока коллектора прн Стив =!50 В не более бО мА 200 мА „,й ток колтектора браги у — 248 — 298 К прг прн х— 7. =373 К Предельные эксплуатационные ланные ое ггапряжение коллектор-оаза . . . , . . . 150 В п,ое напРЯжение эмнттеР-база . .
. . . . . 3 В Восток " ПОЕ НаПРЯжЕНИЕ КОЛЯЕКтОР-ЭМгптЕР ПРИ тч С иаз чьсп ьхкс, 0>2 иный ток коллектора Осстояин Вестоян янный ток базы яиная рассеиваемая мощность коллектора 7'„ = 248 — 298 К . . . . . . . . . . . 50 Вт при 7'„ = 373 К . . . . . . . . . . . . . . 20 Вт , аое сопротивление перекоп-корпус . . . . . . . 2,5 К/Вт уеачово уенперазура перехода . . . .
. . . . . . , . , 423 К у,иаература корпуса ° ° ° ° ° ° ° ° ° От 248 до 373 К при меч ание При температуре корпуса от 298 до 373 К агсеиаасмая мощность коллектора, Вг, рассчитывается по формуле Рк„„„е = (423 — т„37й !30 В 5 А ! А бгтз 4 ОЪ 80 0 Зона возможных полол еннй зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер от коэффициента насыщения О 7 г У и 52яД Зона возможных положений зависимости статического коэффиияента передачи тока от тока ьоляехтора 2Т803А, КТ803А уранзисторы кремниевые меза-планарные лцмн мощные унигея ато Предназначены для работы в усилителях постоянного тока, ераторах строчной развертки, источниках питания каин Об Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво- М Обозначение типа приводится на корпусе а транзистора не более 22 г, с налидным фланцем не тес 34 г ума ливер 'Электрические параметры 20 Мг„ 10 — 50 1Π— 70 6 — 50 6 0,5' — 1,75'-2,5 8 2 А/В О,1 - 0,3 мкс 0,1 — 0,4 мкс 0,6 — 2,5 мкс 300 — 400-500 ЯФ 5 мА 15 мл 20 мА 50 мА Предельные эксплуатационные данные Я эв Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при к 100 Ом Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при =2 В, т„к!0 мкс, Дв 2 Постоянное напряжение эмиттер-база 470 4/эв = 80 В 4 В Граничная часгота коэг!~фнцнента перелачи тока в схеме с обшим змиттером при 77кв = 1О В, !э = 0,5 А нс более Статический коэфй нциент передачи тока в схеме с обшим эмиттером при !7кв = 10 В, 7к = 5 А: 2Т803А .
КТ803А при Т„= 213 К 2Т803А при Т„= 233 К КТ803А не менее . Напряжение насыщения коллектор-эмиттер пр~ /к=5А /ь=1 А. Статпчеслая крутизна прямой перепали в схеме с общим змиттером при !7кэ =!О В /к = 5 А не менее Время вкл очения ' при 77кэ = 40 В, /к = 6 А, т„= 0,5 — 10 лткс Время выключения ' при Пкэ = 40 В, гк = 6 А, т„= 0,5-10 мкс Время рассасывания' при 7к = 1,5 А, К„е, = 2, Як=10 О~, т„=10 мкс . Емкость коляекторного перехода* при !7кв =!О В Обратный ток коллектор-эмиттер прн Язв К С 100 Ом: при Т, = 213 К и 298 К, 67кэ = 70 В .
прн Т,=398 К, Пил=60 В Обратный ток эмиттсра при !7эк = 4 В ие более: 2Т803А . КТ803А . 1О А нный ток коллектора Востоки" я Рассеиваемаа мошность тРанзистоРа Овстоя~ 2~ 3 —, 323 К 2Т803А 7- = 233 -' 323 К КТ8ОЗА Т = 373 К КТ80ЗА "Рн 77 398 К 2Т803А...., врн сопротивление переход-корпус тазовое со «ура перехода т ра окружаюшей среды перату .О 21 2790ЗА ' ' ' ' . . т КТ80ЗА ° .... От 233 /3 р и и е ч а н и е. Прн температуре корпуса бо,чее я мошиость транзистора, Вт, рассчитывается ваеная Рмат = 60 (Т„323>//Зтв т 60 Вт 60 Вт 30 Вт !5 Вт Кбб К/Вт 423 К до Т„= 398 К до Т„=- 373 К 323 К рассеипо формуле: 1лгтз! втту у,в гп 1п ск,лзв впо лг/у сп ипп го 1п 47! П б уо тб гП гбпку,п Ззввсимость статическог о коэффвцнента передачи тока от наврхленнч коллектор-эмиттер тп гО Зо Ио Вопхб,п Заввскм высеть емкости коллектор'е перехода от напряжения коллектор-база с,п 'П 7 г В И ПЗД Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера О г И В В /пух 4 Зона возможных положений зависимости статического коэффнпиента передачи тока от тока коллектора.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
