sprav_tranzistor (529834), страница 68
Текст из файла (страница 68)
при Т = 213 К и Т = Т„ „и„ ие более . Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 4,5 А, 1ь=2 А типовое значение Сза затичеслнй коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттеРом пРи Укэ = 5 В, ук = 4,5 А не менее . типовое значение Мо лузь коэффициента передачи тока* при Т= 1 МГц, 17кэ = 20 В, ук = 100 МА не менее типовое значение Рема включения* при така = 500 В, 7„= 4 5 А, та = 1,8 А не более типовое значение 8 е Рассасывания' при Ц~э = 500 В, ул = 4,5 А в = 1,8 А не более 700 В 600 В 0,5" — 3 В 1" В 5 В 095* — 3 В 1В В 2,25 4" 0,55 люкс 0,4 мкс 1О мкс Т ацзисторы кремниевые меза-планарные и-Р-н импульсные выТры ° „тныс низкочастотные мощные ВЛОВО с Пр дназначеиь! для раб ты в -емах источников пи алия, вывояьтных ключевых схемах озково! В„пускаются в металлостекляниом корпусе с жесткими вывоОбозначенне типа приводится на корпусе яами Ма~са транзистора не более 20 г типовое значение Время спада прн бкэ = 500 В, эк = 4,5 А, ув = = 1,8 А не более типовое значение Обратный ток коллектора при Укв = 1400 В, 2Т828А, КТ828А, Окк = !200 В, 2Т828Б, КТ828Б не более .
Обратный ток коллектор-эмиттер прн Якэ = 1О Ом не более прн Т„= 398 К 2Т828А, 47кэ = 500 В и 2Т828Б, 6ткэ = 400 В . прн Т= 213 К 2Т828А, Бкэ = 800 В и 2Т828Б, т7юэ = 600 В . Обратный ток эмиттера при !/вз = 5 В не более . типовое значение 5 мкс 12 мкс мкс 5 мА 10 мА 5 мА 10 мА 1' мА Предельные эксплуатационные давные Постоянное напряжение коллектор-эмвттер прн Якэ = = 10 Олп Тх = 213 — 353 К 2Т828А, КТ828А 2Т828Б, КТ828Б .
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при льэ = =10 Ом, т„< 40 мкс, Д Л!О, т4 л 3 мкс, Ыи/й < < 0,46 В7нс 2Т828А, КТ828А н 0,4 В!нс 2Т828Б, КТ828Б при Т= 233 — Т, = 358 К н 0,3 н 0,26 В1нс соответственно при Т = 213 К вЂ” Т, = Тх мехе 2Т828А, КТ828А . 2Т828Б, КТ828Б . Постоянное напряжение база-эмнттер Постоянный так коллектора Импульсный ток коллектора прн т» <!0 мс, Д > 2 . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора прн Тк = 213 323 К Температура перехода Температура окружающей срелы 800 В 600 В 1400 В 1200 В 5 В 5 А 7.5 А 50 Вт 423 К 510 2Т828А, 2Т828Б.....,....., ..От 213 до т„= 398 К КТ828А, КТ828Б........,..., .От 213 ло Т„ = 373 К П р и м е ч а н и е Постоянное напряжение коллектор-эмяттер 2Т828А, КТ828А прп Тх > 358 К снижается линейно ло 500 В 2Т828Б, КТ828Б ло 400 В Импульсное напряжение коллектор-эмнттер 2Т828А, КТ828 28А при изменении Т„от 233 до 213 К и увелнчевие Т„от 358 до Т„„,м снижается линейно до !000 В, 2Т828Б, КТ828Б ло Ймпульсиое напряжение коллектор-эмнттер прн т л 0,3 Д л 2, т < 40 мкс (е!77кэ7й < 2,3 В!нс и 2 В1нс 2Т828А, КТ н 00 и 2Т828Б, КТ828Б соответственно) снижается чинейно ло 2Т828В, КТ828А и до 600 В 2Т829Б КТ828Б прн Т, < 35 8 К 500 В При Т„= 358 — 398 К это напряженне снижается линейно до 5 В КТ828Б (с%~~!ПГ ж 1,бу В/не 1,33 В/нс 2Т828Б, КТ828Б).
контакта рекомендуется смачивать полиметнлсилоксановой жидкостью " 0,9 Во,в 0,7 лггз е0 го и„, ф Фпп пз,пф 5000 0500 гпп паап )оа 1500 о гп оа па паи„,в Зан Ного аннсимость емкости коллекторого перехода от напряжения коллекгор-база. 5!1 КТ828А и до 400 2 КТ828А и Пбг~~/Пг т < улучгпения теплового ,е28А для У н;клее основание транзистора н !С-100 ГОСТ 13032-77 ВН4С- 0 00 Оу П,В ОВ 10,0 Входные характеристики. Зависимость напряжения насыгнения коллектор-эмиттср от гк/гв. 0,0 ' О г Е 0 02Дя Зависимость напряжения насы- гпения база-эмиттер от )кг1в.
гп о 0))ГООг Опоотпгпваот г Ч)г,х Занисимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора, уааа а у г 3 ои в Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения база-эмиттер. в к 7 ь Б Ф "„. 50 й Ф 20 сь 70 1к,д ЦВБ ОВ „а75 0,7 10 10 О,Б5 а,в 'о 7 г 70 1 г в Б 1020 ЧОБ0100 чООВОО Охэ,о КТ829А, КТ829Б, 70,9 Л77,7 77,В 7,37~ 7 Транзисторы кремниевые мезаплаиарные л-р-и составные унн версальные низкочастотные мощные Предназначены ддя работы в усилителях низкой частоты ключевых схемах Выпускаются в пластмассов вом корпусе с жесткими выволамн Обозначение типа приволится я иа корпусе Масса транзистора ие более 7 572 о 255 205 555 375 уя,К Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса о 7 г В „Тд х,д Зависимость времени Рассасы. ванна от тока коллект Область максимальных режа- мов Зависимость времени спада от тока коллектора.
КТ829В, КТ829Г Электрические параметры ое напряжение при /зс = ГОО мА ие менее; Граничное КТ829А КТ829Б КТ829В КТ829Г Напряжен ение насыщения коллектор.эмиттер при Ук = 3,5 А, — 14 мА не более, /я Напряже я;кение насызпсния база-эмиттер при тк = 3,5 А, /и = !4 мА не более . „ческий козффидиент передачи тока в схеме с общим Статич иттсром при !укз = 3 В, /и = 3 А не менее р при Т„= 233 К Модуль козффипиента перелачи тока при Г= 10 МГд, !7 =3 В, /к-— 3 А не менее .
Об атиый ток коллектор-змиттер при !зк. = Гзкэ „„ Р й = 1 кОм пе более прн Т, = 298 К и Т = 233 К при Тв = 358 К . Обратный ток эмиттера при !убэ = 5 В не более 100 В 80 В 60 В 45 В 2 В 2,5 В 750 100 0,4 1,5 мА 3 мА 2 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Яьэ К к ! кОм, постоянное напряжение котлектор-база КТ829А КТ829Б КТ829В КТ829Г Постоянное напряжение база-змнттер Постоянныи ток коллектора Импу щсный тол коллектора при т„< 500 мкс, Д В 10 . Постоянный ток базы Постоянная Рассеиваемая мощность коллектоРа при Т„К 298 К. Тепловое сопротивление переход-корпус Температура перехода Температура окружаьэщсй срслы !00 В 80 В 60 В 45 В 5 В 8 А 12 А 0,2 А 60 Вт 2,08 К/Вт 423 К От 233 ло Т, = 358 К р — (423 — Т,)/2,08.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм отко и кор"Уса транзистора, при этом температура корпуса не должна превышать вэ8 К. 17 Нввуврвввхнввввыв врвбври 513 П Р и м е ч а н и я 1 Максимально допустимая постоянная расщивасзлая мощность коллектора, Вт, при Т„= 298 — ' 358 К рассчитычасщя по формуле Зк,мй «и "гту Бпоа Оооо Зоаа гппп О 1,5 Входные характеристик„ еп „" 1,5 1,1 1,0 0 ЗОО гпп а; гоп ~ 750 чз БО е г70 п~ га 7ОО 50 70 го 40 Б 7о го 40507ао о„,о 514 А~,д г 1 О,Б 0,4 п,г 0,1 0„05 0,04 п,пг 0,01 1 1оап 75 г О„,в а г 4 Б ог, ух,д Зависимость статического к Оь фициента перелачи тока ог то. ка коллектора Зависимость напряжения насы- щения коллектор-эмиттер от г 5 4Клнс ук77Б таа 50 О 50700 7ООО Рпу,ом гУЯ гпУ 575 555 355уго77 Зависимость максимаяьно допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления баэа-эмиттер Зависимость максиматьно допустимой мощности рассеииз.
ния коллектора от температуры корпуса. Область максимальных ре пи- мов удучшення теплового контакта рекомендуется смачивать Для У основание транзистора полиметилсилоксановой жидкостью и инее ос 13032., пература корпуса транзистора измеряется на поверхности усы пер ння корпуса со стороны лержателя. вованн Р"л "Р П4АЭэ П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ Молле Знаю яаэа Электрпческне параметры Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при гк = 2 А, 7в = 0,3 А П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ не более Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмптгером при !7кэ = 10 В. 1к = 2 А П4АЭ не менее .
П4БЭ . П4ВЭ не менее . П4ГЭ, П4ДЭ не менее . «оэфф оэффцциент усиления по мощности при Р, = 10 Вт, Окв = 26 В, Яч = 25 Ом, 7'= 1 кГц не менее: П4АЭ, П4БЭ, П4ГЭ П4ДЭ . йоэффи О эфф циент нелинейных искажений при Р =!О Вт„ кь = 26 В, я„= 25 Ом, 7'=-1 кГц не более: 17" 0,5 В 5 15-40 ГО 15- 30 30 20 дБ 23 дБ 27 дБ 30 дБ 515 ураизггсторы германиевые сплавные р-пэа универсальные низко- част ,иые мощные Предназначены лля применения в схемах переключения, выхо „цых каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткнмп выводами. Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 14 г 15;~ 1О; 150 кГп 500 мкй 400 мк,А 20 мкА 20 мкА 50 мкА 20 мкА Предельные зксплуатаииопные данные Постоянное напряжение коллектор-база П4АЭ, ПаГЭ, П4ДЭ П4БЭ . П4ВЭ . Постоянное напряжение колдектор-эмиттер при Вяз < 15 Ом П4АЗ, П4ГЭ, П4ДЗ П4БЭ .
П4ВЭ . Постоянный ток коллектора Постоянный ток базы . Постоянная рассеиваемая мощность с теплоотводом при Г„< 313 К П4АЭ П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ . при Т„= 323 К П4АЭ П4БЗ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ . при Т„= 343 К П4АЭ П4БЗ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЗ . без теплоотвода прн Ги 298 К П4АЭ П4БЭ, П4ВЗ, П4ГЭ, П4ДЭ . Температура перехода Тепловое сопротивление переход-корпус П4АЭ . П4БЗ, П4ВЗ, П4ГЭ, П4ДЭ . Температура корпуса . 60 В 70 В 40 В 50 В 60 В 35 В 5 А 12 А 20 Вт 25 Вт 15 Вт 20 Вт 7,5 Вт 1О Вт 2 Вт 3 Вт 363 К 2,67 К1Вт 2 К!Вт От 213 до 343 К 516 П4АЭ . П4БЭ, П4ГЭ, П4ДЭ Граничная частота коэффипиента передачи тока в схеме с общей базой не менее Обратный ток коллектора при 17ка = 1О В не более П4АЗ .
П4БЭ, П4ВЗ, П4ГЭ, П4ДЭ . Обратный ток коллектор-змиттер прп Яяз = 15 Ом при Окэ = 60 В П4БЭ не более . при Окз = 50 В П4ГЭ, П4ДЭ не более П4АЗ не более . при Укп= 35 В П4ВЭ не более Зхг 150 50 г 57кД 0 О,Я О,з7 О,Б ОББ,В Зависимость относительного статического козффнднента передачи тока от тока коллектора. Окопные характеристики 0 705 515 555 555 т„,й 10 100 УББ,Оы Зависимость макспмалыо лопусп'мой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллет гор-змиттер от сопротнвяения база-эмиттер зрапзисгоры германиевые спчпвные р-и-р учиверсальные низкочастотные мощные Прелиазначепы для применения в схемах переключения, выходных ь'" каскадах усилителеп низкой частоты, преобразователях постояниогс напряженая Выпускаются в метаяластеклянном корпусе с жесткими вывоаами Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 12 г 517 БО 15 а 10 е.
5 1,1 1,0 в ОБ .— О,Б ~ 0,7 " О,Б 0,5 '0 1,1 х 1,0 а О,Б е О,Б 6 0,5 0,1 П201Э, П201АЭ, П202Э, П203Э г г,г готйр 5 г Змаття Еаза Коллектор г,гу гз Электрические параметры 2,5 В 20 40 1,2-1,8 А/В 0,8 — 1,4 А/В !00 кГп 200 кГц 0,4 мА В 2 мА 0,4 мА 2,5 мА Предельцые эксплуатационные даииме Постоянное напряжение коллектор-база: при Т = 293 К: П201Э, П201 АЭ П202Э, П203Э . при Т= 323 К: П201Э, П201АЗ П202З, П203Э .
45 В 70 В 30 В 55 В 518 Напряжение насыщения коялектор-эмиттер при гк = 2 А, 1х = 0,3 А П201АЭ, П202Э, П203Э не более Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмнттером при г!кэ = 1О В, гк = 0,2 А, не менее П201Э, П202Э П201АЭ . Статическая крутизна прямой передачи прн г кз = 28 В П 2033: при Т= 298 К при Т= 213 К Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой при г!ка — — 1О В, !к = 0,2 А ие менее: П201Э, П202Э, П201ЛЗ, П203Э . Обратный ток коллектора не более; при Т=- 298 К: при ггка = 20 В П201З, П20!АЭ и ггка = 30 В П202Э, П203З . прн Т=343 К: прн ггки = 20 В П201Э, П201АЭ и ггкк = 30 П2О2З, П203З . Обратный ток змиттера при ггэа =!О В не более: при Т= 298 К при Т= 343 К .
тоянное напряжение коллектор-эмит|ер при Яяэ к "45О Ом пРи Тк293 К П201Э, П201АЭ П202Э, П20ЗЭ . при Т= 323 К П201Э, П20!АЭ П202Э, П2ОЗЭ . и стоянное напра кение коллектор-эмиттер при Рк К К 1О Вт, Т К 323 К П201Э, П201АЭ . П202Э, П203Э . Постоянный ток коллектора П201Э, П201АЭ .
П202Э, П20ЗЭ . ЗО В 55 В гг В ЗО В 1О 15 В 1,5 А 2 А Импульсный ток коллектора П201АЭ . П202Э, ПгОЗЭ . Постоянная рассеиваемая мощность с теплоотводом при Т„и 323 К при Т„= 34э К без теплоотвода при Т и 298 К . Импульсная рассеиваемая мощность при те к 5 с, 12 > 3, Т„к 343 К. Телщература перехода Общее тепловое сопротивление перехол-корпус . Температура корпуса . 2 А 2,5 А 1О Вт 4,3 Вт 1 Вт 1О Вт 358 К 3,5 К1Вт От 213 до 343 К у,г лп с» л я ч.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
