sprav_tranzistor (529834), страница 70
Текст из файла (страница 70)
П217А П217Б ° Обратный ток коллсктор-змиттер прн /Звэ = 0 не при !/кэ = 35 В П216Б П2!6В при Г/кэ = 50 В П216Г. П216Д при Г/из=60 В П2!7В П2!7Г ° Обратный ток эмиттер-база при !/эа =!5 В не при Т=293 К П216, П216А, П217, П217А, П217Б П216Б, П2!6В, П216Г, П216Д, П217В, при Т= 343 К П216, П216А, П217, П217А. П2!7Б . П2! 6Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, Коэффициент передачи тока в схеме с общим тсрам в режиме мачого сигнала прн !/ко=5 В /~=1 А П216А .
П217А . П217Б не менее при 7/кэ=З В, /к=2 А П2!6Б не менее . П216В не менее П216Г не менее П216Д . П2!7Г . Статический коэффициент передачи тока в схеме щнм ззпптером при Бкэ = 0,75 В, /к = 4 А П216 не при 1/кэ =! В, /к = 4 А П217 не менее . Граничная частота коэффициента передачи тока в с обшей базой при Г/кя = !О В, Тк = О,! А не Плавающее напряжение эмиттера не более при !/кя = 35 В П216Б, П216В . при 7/кв = 40 П216, П2!6А при Г/тв = 50 В П216Г, П2!6Д при !/ П217, П217А, П2! 7Б П217В, П217Г . более 20 мА 50 мд 20 мд 20 мд более 0,4 мА П217Г 0,75,д 4 мд 7 мА П217Г змит- 20 — 80 20-60 20 10 30 5 15 — ЗО 15 — 40 с об- 18 !5 менее схеме менее 100 кГц 0,5 В 0,3 В 0,5 В 0,3 В 0,5 В Предельные эксплуатационные данные 35 В 40 В 50 В 60 В ЗО В 45 В Постоянное напряжение коллектор-база и коллекторэмнттер при /Гвэ = 0 П216Б, П216В .
П2!6, П2!6А П216Г, П216Д . П2!6, П217А, П217Б, П217В, П2!7Г . Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при /в = 0 П216, П216А П217, П217А, П217Б . янное напряжение эмиттеР-база . Постов Постоя санный ток коллектора . 17осто тоянный ток базы . Посто свиная рассеиваемая мощность при Т.4 298 К П216, П216А, П217, П217А, П217Б ... 30 Вт П2!6Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г 24 Вт при Т.=343 К П216, П216А, П217, П217А, П217Б . П2!6Б, П2!6В, П2!6Г, П216Д, ТемператУРа перехола 7 адовое сопротивление переход-корпус П216, П2!6А, П2!7, П217А, П2!7Б.......
2 К/Вт П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г 2,5 К!Вт Температура акружаюшейсрелы.......... От 213 до Т„= 343 К П р и м е ч а н и е При эксплуатапии транзистор с помощью наквдного фланпа лолжен быть жестко закреплен на металлическом шасси или на специальном теплоотводе со шлифованной поверхностью Перед креплением транзистора контактируюпгие поверхности Рекомеилуется смазывать невысыхаюшим маслом Диаметр отверстия в теплоотволе пол выводы транзистора должен быть ие более 5 мм При необходимости электрггческой изоляпии корпуса (коллектора) транзистора от шасси или теплоотвода ме,кду транзистором и теплоотводом рекомендуется ставить прокладку из оксидированного аяюмииич иди слюды Суммарное тепловое сопротггвление между переходом и теплоотводом увеличивается на 0,5 К1Вт на каждые 50 мкм слюдяной прокладки или на 0,25 К/Вт на каждые 50 мкм слоя окиси алюминия 7,5 Вт 6 Вт 358 К гг21Э бО Три,а 300 100 0 1 01кб 0 О Я 04 ОБ 08 100эБВ Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора 529 г,о лг11 100 50 о г1я,Д О оо ия„р Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.
Зависимость обратного то тока коллектора от напряжения ко . лектор-база, 1 0,0 0,1 'гуз ггз губ гуг гог з1з7„к Зависимость обратного тока коллектора от температуры корпуса. Зависимость обратного тока коллектора от температуры корпуса. Пайка к выводам транзистора допускается только на их плоской части. При пайке цилиндрическая часть вывода должна быть зажата теплоотводягцими губками. Изгиб выводов допускается только на их пдоской части, П302, ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, ПЗ06, П306А Транзисторы кремниевые р-пза усилительные низкочастотные могцные. Предназначены для применения в схемах усиления низкой ча стоты и преобразователях постоянного напряжения.
Выпускаются в металлостекдянном корпусе с жесткими выао дами. Обозначение типа приволится на корпусе. Масса транзистора не более 10 г. 0,0 д. од о,г г,о в ~1,0 1,0 1г О,У о,г 0,1 г1З ггг гзс г7Х гог г1З Т,К биилз база Колл Электрические параметры Гопротзтвление насьзцзения коллектор-эмиттср при 1к = = !50 мА, 1ь = 50 мА не менее при Т= 298 К ПЗОЗ, ПЗОЗА при Т= 393 К и Т = 2!3 К ПЗОЗ, ПЗОЗА Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при сзкв = !О В при Т= 298 К при 1э = !20 мА П302 не менее ПЗОЗ, ПЗОЗА нс менее при 1э = !00 лзА П306 при 1э = 60 мА П304 не менее при 1э = 50 мА ПЗООА при Т= 2бЗ К не менее при 1э = !20 мА П302 при 1э = !20 мА ПЗОЗ, ПЗОЗА при !э = !00 мА П306 при 1э = 60 мА ПЗ04 при 1э = 50 мА ПЗООА Врелельная частота коэффициента передачи тока при !тка = 20 В не менее при !э = !20 мА П302 ПЗОЗ, ПЗОЗА П304 при 1э = !00 мА ПЗ06 и при 1э = 50 мА ПЗООА . Вхолное напряжение не боясе пРи Окь = зО В, 1 = ЗОО мА П302 ПЗОЗ П304 ПЗОЗА пРи и = Гб В, 1 = ЗОО мА ПЗО6 .
20 Ом 30 Ом !О 6 7 — 25 5 5 — 35 6 3.5 4 3 3,5 200 кГц !00 кГц 50 кГп 50 лГц 6 В !О В 4 В 6 В 531 4 В 60 В ПЗООА 100 мкА !'КБ = ОКБ = 1500 мкА ПЗ02, !'кэ = 1 мА П302, ччкэ = 6 мА при !7кв = 15 В, Ук = 200 мА ПЗ06А Обратный ток коллектора при Т= 298 К икк= 15 В ПЗО, пр !7ка= ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, ПЗОб, при бкк = 80 В не бочее . при Т= 393 К, бчкк = 30 В П302, при = 50 В ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, П306, при = 65 В ПЗООА не более . Обратный ток кочлектор-эмиттер прн Т = 298 К, 72кэ =! кОм, !7кэ = 40 В при !7кэ = 70 В ПЗОЗ, ПЗОЗА, П306, при = 100 В ПЗ04, ПЗОБА не более .
при Т = 393 К, 7!Бэ = 100 Ом, !7кэ = ЗО В при ЕУкэ = 50 В ПЗОЗ, ПЗОЗА, П306, при = 65 В П304, при Пкэ =- 60 В ПЗООА не более Предельные зисплуатанноччные данные Постоянное напряженчче коллектор-эмиттер при Раэ К С 100 Ом и коллектор-база при Т„= 213 — 293 К П302 ПЗОЗ, ПЗОЗА П304 прн Т„= 293 — 373 К П 302 ПЗОЗ ПЗОЗА, П306 П 304 П306А при Тк = 423 К П302 ПЗОЗ, ПЗОЗА П304 проч 7ч = ч'!8 К П306 ПЗОБА . при Тл —— 213 К ПЗ06 П306А . По чояппый ток ко.ччсктора П306, ПЗООЛ П302, ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304 Постояннь й ток эмиттера П306, ПЗООА Постоянный ток базы Постоянная рассеиваемая мол!ность с теплоотводом прн Т„< 323 К ПЗ02 ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, П306, ПЗООА прп 7'„.= 393 К П302, ПЗОЗ, ПЗОЗЛ, П304 .
532 30 В 50 В 65 В 35 В 60 В 80 В 18 В ЗО В 40 В 60 В 80 В 50 В 70 В 0,4 А 0,5 А 0,5 А 02 А 7 Вт 10 Вт 1 Вт 2 Вт 3 Вт 1 Вт 0,3 Вт 423 К 1О К/Вт 100 К/Вт .От 213 до 393 К Качам при ппвмшени~ ры перехода свыше 373 К снижаются линейно на 1О З„на каждые 19 К Температура перехода определяется по формуле Т„= Т„ч-Втв „Р,. 2 Рк „„„., Вт, с ~еплоотводом при Т, э 323 К определяется по формуле: Рк „„, = (423 — Т,,1710 3. Рк „,„„Вт, беэ теплоотвода при Т„> 323 К определяется по формуле Рк „„„, = (423 — ТУ 100. 1,0 Захид БОО 500 ЧОО гоо 100 а,г Ч Б Б иая,В О 50 РОО 750 Тк, о 1 г Входные характеристики. Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.
533 П306, П306А пр, Т„=363 К: П306, ПЗОбА беэ теплоотвода при Тж 323 К при Т= 393 К Температура перехода ловое сопротивление. Тепл переход-корпус переход-среда , ТемпеРатУРа окРУжаю~цей сред —, Ч,Ч и 1,г е„ а 1,0 ~0,0 О,Б О,Ч О,9 ' гуг гозгтг ззз 555 зуб т„к Завнсимссть максимально до. пустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса. зг 10 Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора ат температуры. П601И, П601АИ, П601БИ, П602И, П602АИ Транзисторы германиевые днффузианно-сплавные р-л-р универ сальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилительных, нмпульсных " переключающих каскадах радиоэлектронных устройств Выпускаются в металлостекляином кори)се с гибкими (вариант ') и жесткими (вариант 2) выводамв.
Обозначение типа привол" ™ на корпусе. Мааса транзистора не более !2,5 г. 534 т,5 м ю (зе еь ~ (З бг " (з( (,о и ОО ЫО,О м О>Ч о,г О г73 гою лх бух 559 ха 7,к ОО : ОО ' чо ~ У5 го дериаят / а 5д Лоллею»ае база Оариаят 2 Электрические параметры 20 В 25 В 2 В 1,5 В 20 40-100 ЯΠ— 200 250 40-100 10 0,5 значения при Т=293 К 535 Граничное напряжение при 2з = 0,3 А, Т= 1 кГн, т„= 5 мкс не менее. П601И, П602АИ П601АИ, П601БИ, П602И . Напряжение насыщения коллектор-эмиттер ' при !к=120 мА, !к=60 мА Напряжение насыщения база-змиттер* прн Тк = =05 А 2к=025А ° Статический коэффипиент передачи тока в схеме с общим змнттером прн Укп = 3 В, 1и = 0,5 А: прн Т= 293 К: П601И не менее .