sprav_tranzistor (529834), страница 69
Текст из файла (страница 69)
1,0 с~" О,В '" 0,5 30,4 1,0 О,В 05 0,4 519 О 0,5 1,0 У,5 В,о 5,5Тк,А Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. О,г 0 10' 103 104 Р, Гц Зависимость относительного статического коэффициента перелачи тока от частоты У у,о в И 3 к 4>0 ОдБ 0 1ьгМЯ 400 ОУ Г20 0,0 00 О,? ЧО 0,6 0,5 хз,ам Входные характеристики. Зависимость максимаяьно о допустимого напряжения колле . ллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. П210А, П210Ш Транзисторы гсрмзнпевые сплавные р-и-р универсальные низ«о.
частотные мощные. Предназначены лля применения в схемах переключения, вы. ходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постояннога напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 37 г, с наконечниками выводов и крепежным флрнцем 48,5 г. 5 рмр зняипр ФЧ тп Элекзрнчесю1е параметры Граничное напряжение при 1и „= 2,5 А ие менее .
типовое значение Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером: 50 В О0" В 510 Пг!ОА прн /к = 5 А, !!кэ = 2 В не менее . типовое значение цг!ОШ при /и = 7 А, !/кэ = ! В не менее . типовое значение, тпческий зозффипиент перелачи тока в схеме с общим Статпч эмнттером П2!ОА при !/,. типовое значение, П210Ш прн Скэ = 1 В / — т А типовое значение . 1-раннчная частота коэффипиента передачи тока в схеме с обшей базой при !/кк = 20 В, /э = О,! А не менее Плавающее напряжение эмиттера прн 6ткк = 40 В не более П210А. пг!Ош Обратный ток коллектора прп Т= 298 К при Гик=45 В П210А, !/як=65 В П210Ш ие более при Т= 343 К при !/кк = 45 В П2!ОА не более прн !/кв = 65 В П2!ОШ не более Обратный ток эмиттера П210Ш не более при !/эь = !5 В .
при 4/эк = 35 В . 6,66 А/В 9ч А/В 6,52 А/В 1О* А/В !5 19' 15-60 23' 100 кГп 1,5 В 0,15 В 8 МА 50 мА 12 мА 3 мА 10 мА Предельные эксплуатаннопиме данные Постоянное напряжение коллектор-база П2 ! ОА . Постоянное напряжение коллектор-эмиттер П210А прн !/ЬЭ В 1,5 В . П210Ш при Пкэ э 0,5 В . Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток кодлсктора в режиме насыщения П2!ОА Импульсный ток коллектора в режиме насыщения при те к 15 мкс П21ОШ Постоянная рассеиваемая мощность при Т,с298 К прп Тх = 343 К Температура перехода Тепловое сопротивление переход-корпус переход-окружающая среда . Температура окружающей срелы . до 65 В 65 В 64 В 25 В !2 А 9 А 60 Вт 15 Вт 358 К 1 К/Вт 40 К/Вт От 213 Т„= 343 К ПРимечание Пайку выводов разрешается пропзволить на Расстоянии не менее 20 мм от корпуса в те ение не более 10 с Температура жала паяльника дол,кна быть не более 533 К Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода должно быть ие менее 20 мм 521 Лгтэ 1го 7згтл 100 во 100 во чо го 0,5 Вп О,ч ~о,з ог гч гп 10 100 гбэ 522 го 1 г е Ч 5 б1кэА Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 0,1 1,5 г г5 ХКл„ Зависимость напряжения насышенпя коллектор-эмиттер от коэффициента насыщения.
Яц 1г й ч О 1 г 3 Ч 5Кнае Зависимость времени рассасывания от коэффициента насыщения. О Ч В уг 1б гоу,кГц Зависимость статического котф, фициента передачи тока о1 час готы. 70 ез Я бп 50 г15 гчз гух хоз ззб г„к Зависимость граничного напряженна от температуры корпуса. 1,г 1,0 ~ О,в и л О,б Зависимость относительного максимально лопустимого нал ряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.
транзисторы германиевые сплавные р-лэч универсальные низкочас стотпые мощные Предназначены для применении в схемах переключения, вьгходиых ка каскалах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного о напряжения Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выволамн Обозначение типа приволится на корпусе Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г Калле кт Яматтер Еаза еат фЕ,У !и 17,1 Электрические параметры Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 7к = 3 А, 7в = 0,37 А не более П213 П2!4, П214А, П214Б, П2! 5 .
при 1к = 2 А, 7в = 0,3 А П213Б, П214В, П214Г не более . Напряжение насыщения база-эмиттер при !к = 2,5 А, !ь=037 А П2! 3 не более П2!4, П214Л, П215 ие более . П214Б. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмитгером при !Зкэ = 5 В, 1к = 0,2 А П213А, П214В не менее П21ЗБ не менее . П214 П214А П214Б, П215 П2!3 при ук — — 1,0 А Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером при Нкэ = 28 В, Ю„= Зб Ом,у= 270 Гц П214Г 0,5 В 0,9 В 2,5 В 0,75 В 1,2 В О,б — 0,9 В 20 40 20 — бО 50-150 20-150 20-50 1,4-2,1 А!В 523 г 11213, П213А, П213Б, П214, П214А, П214Б, П214В, П214Г, П215 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с обшей базой при Пкк = 10 В, [к = 100 мА не менее . Плаваизп[ее напряжение змиттера прн Т= 343 К: при Ока = 45 В: П213 ис более .
П2[ЗА, П213Б пе более, прн [зкв = 60 В: П214, П214А, П214Б не более . П214В, П214Г не более при [[кв = 80 В П215 не более . Обратный ток коллектора не более: при Т = 293 К: при [/кв = 45 В: П213 П2!ЗА, П213Б . при Укв = 60 В: П214, П214А П214Б, П214В, П214Г . при [[кк = 80 В П215 . при Т= 343 К: при [[кк = 45 В: П213 П2[ЗА, П2[ЗБ . при Ука = 60 В: П214, П214А П214Б . П214В, П2!4Г .
«ри [[К„=ЕО В П2!5 . Обратный ток коллектор-змиттер при [„= 0 не более; при [[кэ = 30 В П213 при Укэ = 45 В П2!4, П214А, П214Б при [[кэ = 55 В П214В П214Г ° при [[кэ = 60 В П2!5 Обратный ток коллектор-змиттер при [[вэ = 50 Ом не более: при [[кэ = 30 В П213А, П213Б . при [[к~ = 55 В П214В, П214Г Обратный ток змиттера не более: прн Т= 293 К: при [[эк =! 5 В П213, П214, П214А, П214Б, П215 при [/эв —— 10 В П2!ЗА, П2[ЗБ, П214В, П2!4Г при Т= 343 К; при [[ П213, П214Б . П 214, П214А, П 215.
прн [зэк = 10 В: П2[ЗА, П2[ЗБ . П214В, П214Г 150 кГ~ О,З В 0,5 В 0,3 В 0,5 В 0,3 В О,!5 мА 1,0 мд 0,3 мА 1,5 мд 0,3 мД 2,0 мд 4,5 чА 2,5 мд 2,0 мА 5,0 мА 2,5 мА 20 мд ЗО мд ЗО мА ЗО мА 10 мА 10 мА 0,3 мА 0,4 мА 2 мА 2,5 мд 4,5 мд 5 мА Предельные эксплуатационные данные янное напряжение коллектор-база: П2!3 П21ЗА П2!ЗБ ' П214, П2!4А, П214Б, П214В, П214Г .
Л2!5 Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при й н50 Ом: П213А, П21ЗБ . П213 П2!4, П214А, П214Б, П214В, П2!4Г П215 Постояггиое напряжение коллектор-эмиттер при 1в = 0: П213 П214, П2!4Б П215 Постоянное напряжение эмиттер-база: П2!ЗА, П2! ЗБ, П214В, П214Г П213, П2!4, П214А, П214Б, П2!5 . Постоянный ток коллектора . Постоянный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность: при Тг и 3!8 К. П2! ЗА, П213Б, П214, П214А, П214В, П214Г, П215 П213, П214Б прн Тх — — 343 К; П2!ЗА, П213Б, П214, П2!4А, П214В, П214Г, П215 П213, П214Б Температура перехола Тепловое сопротивление перехой-корпус: П2!3, П214Б П213А, П21ЗБ, П2!4, П2!4А, П214В, П214Г, П215 Температура окружающей среды 45 В 00 В 80 В 30 В 40 В 55 В 70 В ЗО В 45 В 60 В 10 В 15 В 5 А 0,5 А 10 Вт 11,5 Вт 3,75 Вт 4,3 Вт 358 К 3,5 КГВт 4 Кг'Вт От 2! 3 до Т„= 343 К П р и ме ч а ни е.
Прн эксплуатации транзистор с помощью накндного фланца должен бьмь жестко закреплен на металли»еском шасси или на специальном теплоотводе со шлийюванной поверхнос гью. Перед креплением транзистора контактирующие понерхиости рекомевдуется смазывать маслом. Диаметр отверстия в теплоотводе под выводы транзистора должен быть не более 5 мм. При веобходнмости электричесчой изоляции корпуса (коллектора) транзистора от шасси или теплоотвода между транзистором и теплоотводом рекомендуется ставить прокладку из слюды. Суммарное ~епловое сопротивление между переходом и теплоотводом увеличивается на 0,5 К)Вт на каждые 50 мкм слюдяной прокладки. 525 Пайку к выводам транзистора необходимо производить „ ь на их плоскои части При пайке цилинлрическая часть вывода должна быть зажата теплоотводящими губками Изгиб выводов допускается только на их плоской части 14 ~Б 0,5 1г 0,4 10 и «5 0,5 о,г 0,1 0 О,г 04 0,5 0,5 1,0 Пээ,о Входные характеристики лггэ гоп 1,5 гап 150 1,0 0,5 1го П О,г О,Д О,п П,В 1,02х,д Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г Транзисторы германиевые сплавные р-и-р универсальные низкочастотные мощные Предназначены для применения в схемах переключения, выход.
ных каскадах усичитедей низкой частоты, преобразователях постояв ного напряжения Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жестлими вывода ми Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более !2,5 г„крепежного фланпа более 4,5 г о 1о го го дп 50 и„„в Зависимость обратного гока коллектора от напряжения кол- лектор-база гог газ 515 ггг згг пег т„д Зависимость макспмачьно до. пустимой мошности рассеивания коллектора от температуры корпуса 30,5 лелле Энияз Электрические параметры 0,75 В 1,0 В 0,5 А 1,5 В 0,6 — 0,9 В 0,8 В 1,5 мА 2 мА 0,5 мА 2,5 мА 2 мА 0,5 мА 3 мА 7,5 мА 4,5 мА 7,5 мА 5 мА 7,5 мА 40 мА 50 мА Напряжение насыщения коллектор-змиттер: при !к = 4 А, та = 0,5 А не более: П216, П216А П217, П217А, П217Б, П217Г .
прн Тк = 2 А !а = 0 3 А П216Б, П216В, П216Д, П217В не более . Напряжение насыщения база-эмиттер при Тк = 3,5 А, lа = 0,5 А ' П216, П217 не более . П217Б. П217 не более . Обратный ток коллектора не более: при Т=293 К: при !/ка = 35 В: П216Б П216В ) при Укя = 40 В П216, П216А . прн Ука = 50 В: П2! 6Г П216Д . при икя=бО В. П217, П217А, П217Б . П217В, П217Г . при Т= 343 К: при !7ка = 35 В П2!6Б, П216В при !Укя = 40 В П216 П216А прн !тая = 50 В П216Г, П216Д . при !7ка = 60 В: П217, П217А, П217Б П217В, П2171 опрятный ток коллектор-змиттер прн 1а = 0 ие более: пРн Ск~ = 30 В П216, П216А . прн 6!из=45 В П217.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
