sprav_tranzistor (529834), страница 73
Текст из файла (страница 73)
Зависимость максимально лопустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса. 100 оэо ~~ 0,4 п,г 0 1 г 4 0 10 гО 40001ОО 400йвэ,пи 00 219 Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от температуры корпуса 553 ~ 140 ," 120 4 100 259 29о оУУ оуг Т,К 0,5 .- ~~,4 с\ "* О,З $п,г 0,1 а 10 гп ЗП 401к,й Зависимость напряжений насыщений коллектор-эмнттер и база-эмиттер от тока коллектора. 40 0 50 ага 10 0 г15 гпз ггз ззз зуют„,г Зависимость относительного максимально лопустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база.эмигтер 6геэ во '. ов ,оз о,в «а во 0,1 гув гвв о г1З ВВЗ гВЗ ЗЗЗ Зуб т К З Зув 7„,К Зависимость напряжеяия пасы.
щения коллектор-эмиттер от температуры корпуса Зависимость статического коэффипиента передачи тока от температуры корпуса Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры корпуса 1 В1З ВВЗ ВВЗ ХВЗ УуутюК КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г 2,В Транзисторы кремниевые маза-эпитаксиально-планарные р-и-р универсальные низкочастотные мощные Прелиазначены лля работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференпвальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выволами Обозначение типа приволится на корпусе. Масса транзистора не более 1 г. Электрические параметры 25 В 40 В 60 В 80 В 0,6 В 1,2 В 40 30 3 МГц 60 пФ 75 пФ 50 мкА 1000 мкА Предельные эксплуатацяоиные данные Г!остоянное напряжение коллектор-эмиз ~ер при 7!вз < < 100 Ом КТ814А КТ814Б КТ814В КТ814Г Постоянное напряжение коллектор-змиттер при ук = 0 КТ814А КТ815Б КТ815В КТ815Г Постоянное напряжение база-змнттер .
Постоянный ток коялектора . Импульсный 7 ок коллектора при т„< 10 мс, Д и 100 . Постоянный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотволам при Т, < 298 К . без теплоотвода при Г =- 233 — 298 К . Температура перехода Температура окружающей среды 40 В 50 В 70 В 100 В 25 В 40 В 60 В 80 В 5 В 1,5 А 3 А 0,5 А 10 Вз ! Вг 298 К От 233 до Т„= 373 К Граничное напряжение при уэ = 50 мА, т„< 300 мкс, тз Э 100 не менее: КТ814А КТ814Б КТ8140 . КТ814Г Напряягение насыщения коллектор-эмиттер при !к = 0,5 А, ув -- 0,05 А не более .
Напряжение насьцпения база-эмиттер при 7, = 0,5 А, !и = 0,05 А не более . Статический козффипиент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Цсв = 2 В, 1э = 0,15 А пе менее: КТ814А, КТ814Б, КТ814В КТ814Г Граничная частота коэффициента передачи тока при 1укэ = 5 В, 7 = 0,03 А не менее .
Емкость коллек горного перехода при Окз †.. 5 В. у= 465 кГц не более . Емкость эмнттерного перехола при 1узв =. 0,5 В, 7 = 465 кГц не более . Обратный ток коллектора при 27кв =- 40 В ие более при Т„ С 298 К . при Г„= 373 К. П р и м е ч а н и я: К Максимально донусгнлыя постоянн, я рассел ваемая мощность коллектора без теплоозвода прн Т= 298 — 373 снижается линейно на 0,0! Вт через 1 К н с геп юогво гводом при Т, = 298 — 373 К иа ОЯ Вт через 1 К 2.
Пайку выводов разрешается производить иа расстоянии ие менее 5 мм от коРпУса ПРн пайке жало паальннла долагно быть заземлено. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм, при эзом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выволав пе допускается О 10 20 9000 100 900 Тк,мд Зависимость напряжения насыщения коллеьтор-эмиттер от тока коллектора лага 100 00 Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора Зависимость максимально лопустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора оз температуры корпуса ктвыА, КтЗЫЬ, ктанв, КтЗЫГ Транзисторы кремниевые маза-эпитаксиальпо планариые р-л-р уии.
нереальные низкочастотные мощные, чз ОХ ь „*О,г 0,1 БО 90 го 01020+001 2 9 010ЕОЕ060100 9092гьА О 40 «Х О 2ХХ27Х Х13 Х5ХХУХТчУ Предназначены лля примен пения в усилителях низкой частоты операционных н диф ф ренциальных усилителях, преоразователях и импульсных схемах Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выодами Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не бо- „, 07 г ттер лектар Ц Ос Электрнческне параметры Граничное напряжение при 7э = 100 мА, т„с 300 мкс, Бэ д 100 не ченее КТ816А КТ816Б КТ816В КТ816Г На)!ряжение насыщения коллектор-эчнттер при 7К =' 3' А,' 7ь = 0,3 А не более Напряжение насыщения база-эмиттер при 7к = 3 А, 7ь = 0,3 А не более Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттероч прн (/кэ = 2 В, 1к = 2 А не менее при Т„= 298 — 173 К при Т= 233 К, Граничная частота коэффицнен)а передачи тока в схеме с об)цим эмиттероч при !Укь = 10 В, 7к = 0,25 А не менее Ечлосгь коллекторного перехода при !7кь = 10 В, / = 465 кГп не бо )ее Емкость эчиттерного перехода при Уэь = 0,5 В.
! = 465 кГц не более . Обратный ток колдектора при 1)кь = 25 В КТ816А, при !Iкь = 45 В КТ817Б, при !)кь = 60 В КТ816В, при !)кь= 100 В КТ816Г не более при Г,=298 К при Г„=- 373 К Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение кочлектор-эмиттер при 7ь=-0 КТ816А КТ816Б КТ816В КТ816Г Постоянное напряжение коллектор-зчиттер при 77ьз с <1 кОм КТ816А 25 В 45 В 60 В 80 В 1 В 1,5 В 25 15 3 МГц 60 пФ 115 пФ 100 мкА 3000 мкА 25 В 45 В 60 В 80 В 40 В КТ816Б КТ816В КТ816Г Постоянное напря,кение база-змиттер . Постоянный ток коллектора . Импульсный ток колдектора при ти и 20 мс. Д и 100.
Постоянный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 5 В 3 А 6 А 1 А с теплоотводом при Т„= 2Ш вЂ” 298 К....., 25 Вт без теплоотвода при Т= 233 — 298 К,..., 1 Вг Температура перехода............. 398 К Температура окружающей среды......... От 2Щ до Та=373 К Првмечание Пайку выводов разрешаешься проводить на рас. стоянии не менее 5 мм от корпуса При пайке жачо паяльника должно быть заземлено Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с ради>сом закругдения 1,5 — 2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус Изгиб в пчоскоста выволов не допускается При монтаже транзисторов на теплоотвод крутящий момент при нажиме не должен превышать 70 Н см 1уг ха о О,В гоа г Ч 010 01 ЧОБ0100 900 1000 В,ия Зависимость статического ьозффидиента передачи тока от тока змиттера го л 15 а 10 М 5 0 г13 г51 гаг Бзз гузт„г Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса Ц 0010 гО опикБ,В максимальных режи- мов м ОБ 790 Й 0,9 100 ~ п,г ВО а го и го чаапюагоо Боо 000 вооот„я Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от то- ка коллектора 1к,д Б 4 г 1 О,Б Оа ог 01 г Область 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, ктз1звм, ктз1згм Транзисторы кремниевые мез г зпнз авена гьно пчанарные р-лзл универсальные низкочастотные мощные у!редназначеньг лтя применения в усилите гях низкой ыстоты, операционных и дигйференниыьньгх усилителях, преобразовт елях н импучьсных слемкх Транзисторы КТ818А, КТ8!8Б, КТ818В, КТ818Г выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами !варианг 1), транзисторы 2Т818А, 2Т818Б, 2Т8!8В, КТ818АМ, КТ818БМ.
КТ8!8ВМ, КТ8!8ГМ вЂ” в метал.юстек гянном корпусе с жесгкими выводями !варивнт 2) Обозначение типа приводится на корптсе Масс~ тртз исторов КТ818А, КТ818Б, К'Г818В, КТ818Г не более 2 б г, трвншсторов 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ8!8АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ не более 15 г барии,нт 1 уо, Еу Ф,о итор Вариант 2 Эмиттер !5 !0,3 олпе нтор Я Эчеитричесвне пвряметры В 20 9 10 15 7 1 ыЛ 560 Ггрднпчпое н.щряаение при 7„= 0 1 Л, т, < 300 мкс ьэ > 100 КТЗ|ЗА К1813АМ не менее . 25 В эТ818 В КТЗ ! 3 Б, КТЗ|8 Б М........
40 — 60" — 80ч В 2Т81ЗБ, КТ818В, КТ8|ЗВМ...... ° . 60-80' — 100* В 2Т8!ЯЛ, КТЯ|ЗГ, КТЗ|ЗГЛ!....... 80 — 100" — 150" В Напряжение насыщения ло ~ гектор-эмит гер при 7к — — 5 А, !г, = 0,5 А гге бо гее 2ТЗ|ЗА, 2ТЗ|ЗБ, 2Т8!ЗВ К!8|ЗА, КТЗ|ЗБ, КТ8|кВ, КТЗ|ЗГ КТ818ЛМ, КТЗ|ЗЬМ, КТЗ|ЯВМ, КТЯ ЗГМ....... 2 В при 7к= 20 А, гь= 5 А 2ТК|ЯА, 2ТЯ|ЗБ 2ТЯ|ЗВ...,..., .0,7*-.1 5' — 4* В К13|вА, КТЯ|ЯБ, КТЯ|ЗВ, КТЗ|ЗГ, КТЗ|8ЛМ КТЗ|8БМ, КТЗ|8ВМ, КТЯ|ЗГМ.......0.7' — 1 ч' — э" В Напряжение насыщения бззв эмиттер при 7к = 5 А, !ь-.: 0,5 А не бозее ЗТЗ|ЗА 2Т8|ЗБ 2ТЗ|ЗВ.........
1,5 В К|818А, КТЗ|ЯБ, КТЯ|8В, КТ818Г, КТ818АМ, КТЬ!ЗБМ, КТЗ|ЗВМ, К!8|ЯГМ...... 3 В при !и = 20 Л, 7ь = 5 А 2ТЗ|ЯА, 2Т818Б 2ТЯ|8В 1,6* — 2П* — 5*В Статический козффипиент передачи тока в схеме с общим эмпперолз при бгкь = 5 В, 7к = 5 А не менее 2ТЯ|ЗА, 2ТЗ!ЗБ, 2Т8|ЗВ при Т= 298 и |98 К при Т= э|| К при Т=298 и 598 К КТ818А, КТ818В, КТЯ|ЗАМ, КТЗ|ЗВМ... 15 КТЗ|ЗБ, КТЗ|8БМ........... 20 КТЗ|ЗГ, КТ818ГМ........... 12 при Т .= 223 К КТ813А, К'Г318В КТЯ18АМ, КТЯ|ЗВМ КТЗ|8Б, КТЗ|8БМ .
КТ818Г, КТ8|ЗГМ Граничная частота ьоэффицггентв передачи токе при !7кь= 5 В, 7э=0,5 А не менее........ З МГп Время выктюченияч при 7ь = 5 А, 7ь = 0 5 А не более......,......... 2.5 мхе Емкость лотлекторного переходя* при !7кь=5 В 400 — 600 — 1000 пд» Пробивное непряженис ко з эектор-батя при Т= 2 ! т — 298 К, |к =- 1 мА и прп Т:= |98 К, 7к = 5 мА, ие менее 2Т8|ЗА.................
100 В 2Т818Б................. 80 В 2ТЗ|ЗВ................. 60 В Обр.ггный ток ло пгекторе при !/кь = 40 В не более КТ8|ЗА, КТ8|ЗБ, КТЗ|8В, КТ8|ЗГ, КТЗ|ЗАМ, КТЯ|8БМ, КТЗ18ВМ. КТЗ|ЗГМ при 1.= 2|| — 93 К 7=373 К . ° ........ 10 мЛ П обивно нос напряжение эчиттер-бвзв при Гэ = 5 мА...5 — 8*- 'О* В Прелельиые эксплуятациониыс длиные 100 В 80 В 60 В 100 В 80 В 60 В 40 В 50 В 70 В 90 В 5 В 10 А 15 А 15 А 20 Л 1 А ч 60 Вт 100 Вт 1,5 Вт 2 Вт 3 Вт 423 К 398 К От 213 К Т„=398 К т233 К Т„=373 К тоянное гыпряжеппе ьолчекгор-бязи Посто 2Т81" Л 2 8818Б 278!ВВ П стоянное напряжение лолчеьтор-эчиттер при Посто Я„,= !ОО Ом при Т = 213 — 153 К 2Т818А 2ТЯ!ВБ 2Т818В при Т = 233 — 298 К КТ818Л, КТ818АМ .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
