sprav_tranzistor (529834), страница 77
Текст из файла (страница 77)
ЗТ9ОЗБ, КТ903Б . Входное напряжение база-эмиттер при 6lкэ = 1О В ук = 2 А не более 2Т90ЗА, 2Т90ЗБ . КТ903А, КТ903Б . Модуль коэффиггз~ента передачи тока на высолой частоте при бгка = 1О В, ук = 0,5 А, / = 30 МГц не менее . Емкость ьоллелторного перехода при х/ка = 30 В, 7 = 2 МГц не бояее . Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при бгаэ = 30 В, Ук = 100 мА, т =. 2 МГц не более Обратный ток коллектор-эмиттер при 17кэ = 70 В, Яаэ= 100 Ом, Т= 298 К не более 2Т903А, 2Т903Б . КТ903А, КТ903Б при ггкэ = 60 В, Яаэ = 0 Ом, Т = 398 К не более 2Т901А, 2Т903Б . при бгиэ = 60 В, Гуль = О, Т = 358 К не более КТ90ЗА, КТ903Б Обратный ток эмиттера при Уэв = 4 В не более 2Т903А, 2Т90ЗБ КТ903А, КТ903Б Иплуктивность эмиттерного вывода не более Предельные эксплуатапнонные данные Лостоянное напряжение коллектор-база при Т < 373 К Имп, 2Т90ЗА, 2Т903Б и Т < 343 К КТ903А, КТ903Б .
мпузьсное напряжение коллектор-база при Т < 373 К 2Т903А, 2Т903Б и Т < 343 К КТ903А, КТ90ЗБ . Ласте явное напряжение коллектор-змиттеР при Якэ < < 100 Ом, Т< 373 К 2Т90ЗА, 2Т903Б и Т< 343 К КТ90ЗА, КТ903Б выводами. 1О Вт 2 В 2,5 В 2 В 15-70 40 — 180 2,5 В 3 В 180 пФ 500 пс 2 мА 1О мА 1О мА 30 мА 30 мА 50 мА 1О аГн 60 В 80 В 60 В Импульсное напряжение лоллектор-эмиттер при т„с с 1 мкс, Д > !00, 7!кэ с 100 Ом, при Т и 373 К 2Т903А, 2Т903Б и Т и 343 К КТ90ЗА, КТ90ЗБ Постоянное напряжение эмиттер-база .
Постоянный ток коллектора . Импульсный ток коллектора при тч С РО мкс, 1г > 10 . при т„с 1 чкс, О > 100 . Постоянная рассеиваемая мощность при Т„с 323 К 2Т903А, 2Т903Б, при Т„с 298 К КТ9ОЗА, КТ903Б . при Т„= 393 К 2Т903А, 2Т90ЗБ, при Т„с 358 К КТ9ОЗА, КТ903Б . при Т, = 398 К 2Т903А 2Т903Б Импучьсная рассеиваемая мап!ность при тч ж 1О мкс, 19> !О, тткэ СЗО В при Т„= 323 К 2Т90ЗА, 2Т9ОЗБ, при Т„с 298 К КТ90ЗА, КТ90ЗБ . при Т„= 343 К 2Т903А, 2Т903Б, при Т, = 358 К КТ903А, КТ903Б .
Температура перехода 2Т903А, 2Т90ЗБ . КТ9ОЗА, КТ90ЗБ . Теп завов сопротивление перехол-корпус . Температура окружающей среды 80 В 4 В 3 А 5 А 10 А 30 Вт 9 Вт 7.5 Вт 60 Вт 18 Вт 423 К 388 К 1,13 К7Вт 70 го ч'„Б 9 чэ 15 о а 70 О г 7О уг гО гбркэ,г Зависимость выходной мошно.
сти от напряжения коллектоР эмиттер го го 9о и г,мгц Зависимость выходной мощности от частоты 2Т90ЗА, 2Т903Б.............. От 213 эо Т„= 398 К КТ903А, КТ9ОЗБ............. От 213 ло Т, = 358 К При меч ание При Т„> 373 К для 2Т903А, 2Т903Б я Т > 343 К для КТ903А, КТ903Б постоянное напряжение кол1еьторбаза и коллектор эмиттер снижается линейно на 10 З; через кажзые 10 К пега 1га Пгтэ 70 00 50 го ак,пФ !Пете~ гоп 100 О О5 1 15 г г,бг„Д О 1а го га Оа 500лб,п Зависимость модуля коэффопиенга перелачи тока от тока эмиттера Зависимость емкости колдекторного перехода от напряжения коззектор-база При работе в схемах ВгЗ генераторов и уснлитечей с амплитудной модуляцией лопускается мгновенное значение напряжения колвектор-эмиттер звуковой частоты до 70 В 2Т908А, КТ908А, КТ908Б Транзисторы кремниевые меза-плаиарные и-р-л персключательные высокочастотные мощные Прелназначены дчя работы в ключевых стабичизаторах и "Реобразовазелях напряжения, импульсных модуляторас Вьнускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами Обозначение типа приволится на корпусе Масса транзистора без накидного фланпа не более 22 г, "акилного фчапца не более !2 г 10 и 1 г з й 51д Зона возможныч позоегеинй зависимости статического коэффипиентл передачи тока от тока лоэлектора О 5 00 15 го 25 Укэ,о Зона возможных пото кений зависимости статичеслого коэффипиента передачи тока от напряжения коззелтор эмиттер ва маттер Электрические параметры Напряжение насыщения коллектор-эмиттер ие бодее: 2Т908А, КТ908А при 1к — — !О А, 1в = 2 А .
2Т908А при 1к = 5 А, 1в = 1 А . КТ908Б прп 1!г = 4 А 1г = 0*4 А Напряжение насьпцения база-эмиттер не более 2Т908А, КТ908А при 1к = !О А, 1ь = 2 А . 2Т908А при 1!г = 5 А, 1в = ! А Статический коэффициент передачи тока в схеме с обцзил~ эмиттером при Т= 298 К зТ908А КТ908А при !Зкэ = 2 В.
1к = !О А КТ908Б при 11кз = 4 В, 1к = 4 А не менее . Отношение статического коэффициента передачи тока цри Т, = 398 К к статическому коэффициенту передачи тока при Т= 298 К, !Iкэ = 2 В, 1„=- 5 А не более 2Т908А КТ908А, КТ908Б . Время включения при 1к = 5 А, 1в= ! А, т„== !О мкс 2Т908А..................0 типовое значение Время рассасывания при 1к = 5 А, 1в = ! А, т„= = !О мкс 2Т908А.......... ° ° ° ° 0 типовое значение Время спала прн 1к = 5 А, 1в = ! А, тя = !О мкс 2Т908А .
. . . . . . . . . . . . . . . . .О типовое значение Модучь коэффициента перелачи тока при Т=- !О МГц, !/кэ = !О В, 1з = ! А не менее 2Т908А КТ908А, КТ908Б . Емкость лоллекторного перехода при гтк = !О В, У'= = 0,3 МГц не более . типовое значение Обратный ток коллектора не более при Т =- 298 К и Т = 2!3 К. 2Т908А, КТ908А при Явэ = !О Ом, бГКЭ = =!00 В 1,5 В 0,8 В ! В 2,3 В !,б В 8-60 20 ! — 0,3 мкс 0,2 мкс 6 — 2,6 мкс 2 мкс !-03 мкс 0,2 мкс 700 пФ 500" пФ 25 мА КТ908Б при Лаэ = 250 Ом, сткэ = 60 В .
и Т= 398 К 2Т908А при Явэ = 10 Ом, Укэ = иый ток эмиттера при Тткэ = 5 В не более . !убратны 50 мА 50 мА 300 мА Предельные эксплуатапиониые ланиые линос напряжение коялектор-эмиттер при Тк4373 К 2Т908А, КТ908А при Явэ.= 10 Ом КТ908Б при 7!аз = 250 Ом . Постоанное напражение коллектоР-база пРи Тк С 373 К 2Т908А Постоянное напряжение база-эмиттер . Постоянный ток коллектора, Постоянный ток базы, Постоянная рассеиваемая мощность лоллектора при Тк 4323 К Телшсратура перехода Температура корпуса .
Температура окружасосзчей среды 100 В 60 В 140 В 5 В 10 А 5 А 50 Вт 423 К 398 К От 213 до Т,=398 К П р и м е ч а н и я 1 Постоянное напряжение ко.члектор-эмиттер и коллектор-база при Т„= 373 — 423 К снижается линейно на 10"; через «аждые 10 К Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк = 323 — 398 К опрелеляется по формуле Рк ас !Т Тк)сйтак Не рекоменлуется работа транзистора при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне температур При конструировании схем следует учитывать пэзможность самовозбужлсння транзистора за счет паразитных связей.
2 Механические усилия па превышать 19,62 Н в осевом направлениях к оси вывода выводы транзистора не должны и 3,43 Н в перпендикулярном Пайка выводов допускаешься ст корпуса транзистора. на расстоянии не менее 6 мм тдс йт „, — тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое из области максимальных режимов (например, при Вкэ = 10 В, )к = 5 А )!та„— — 2 К/Вт) 1г,А 1,5 ~э,А в 1,г о,в о,а ОВ5 1,5 Оо ,", 0,75 патэ "гтэ 50 ХО го о оа ао 1г 150„,0 Входные .арал|ерпстньи 0,5 О 0,5 1 1,5 г 7~,.4 Зависимость напряжения насьь щения ьозлектор-эмнттср от тока базы 10 а г О о в г„,,г Зависимость статического коэффипиента передачи тока от тока коллектора 0 0,5 1 1,5 20,В Зависимость тока эмиттсра от иапрял ения база-эмгп тор 1,4 е.э ч 15 м12 1 1,0 г,г 2,0.1г,д Зависнмосгь напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы а 215 252 гох 525 575 7„к Зависимость статического коэффиписнта передачи тока от тем пературы корпуса С„,пФ 1000 впп боо гоа о го 40 бо воо„„в т„г 3ависимости напряжений насып я коллектор-змиттер и база-эмиттер от температуры корпуса.
Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. Т„д б 4 Область максимальных режи- мов. г 4 бВ1ага ааая„б 2Т912А, 2Т912Б, КТ912А, КТ912Б Транзисторы крелгниевые эпитакснально-планарные л-Р-н высокочастотные генераторные. Прелназначены лля работы в яинейных усилителях мощности на 'ватагах П5 — 30 Мрп прн напряжении питания 27 В йыпускаются в металлокерампческом корпусе с жесткими вы"слами, Транзисторы поставляются с диодом, смонтированным внутри "орпуса и предназначенным для контроля температуры корпуса.
Разрешается поставлять транзисторы без диода. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Транзистор без диода маркггруется синей точкой около лиодного вывода. Мааса транзистора не более 45 г, г,5 : 1,5 и 1 05 'г15 г55 го г 1 аб ад О,г П,1 цаб аоа оог 001 Дио ектер Электрические параметры Выходная мощносзь лвухтанового сигнала в нике огибающей нв частоте 30 МГц при Бк = 27 В не менее . Коэффициент усиления по мощности при Р,„„г„,! = 70 Вт, 7 = ЗО МГц нс менее Коэффиппснт полезного лействия коллектора при Р„,„1„„—— = 70 Вц /= 30 МГд не менее Коэффициент комбинапионпых составляющих третьего порядка при Р,ипх,! = 70 Вт не более Модуль козффиписита передачи тока при У вЂ” — 30 МГц, Окэ=!0 В, ух=3 А пе менее гиповое значение Емкость коллекторно~ о перехода ' при гукь = 27 В не более Статический коэффициент перелачи тока в схеме с общим эмиттеролг при 1ткя = 10 В, /к = 5 А: 2Т912А, КТ912А .
2Т912Б, КТ912Б . Обратный ток коллектор-эмиттср при Пкэ = 70 В, 71эв К 1О Ом не более: при Т к 298 К прн Т-- 358 К КТ912А, КТ912Б . при Г= 398 К 2Т9!2А, 2Т912Б Обратный так эмиттера при Оэк = 5 В не более . Постоянное прямое напряжение на диоде при 7, = 20 мА с Постоянный обратный ток диода при У= 5 В не более Предельные эксплуатац»оиные данные Постоянное напряжение колдектор-эмиттер при 77эв к 10 Ом: 2Т912А, 2Т912Б: при Ге К 398 К при Га = 428 К КТ912А, КТ912Б: при Тх к 348 К при Т„= 358 К Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при 17эв= 1,5 В 2Т912А, 2Т912Б: при Т„ < 398 К при Т„= 428 К 70 Вт 10 50 5'„ — ЗО дБ 3 5,5' 200 ПФ 10-50 20 — 100 50 мА 75 мА 75 мА 250 мА 03-1 В 1 лгА 70 В 35 В 70 В 5б В 80 В 60 В КТ912А, КТ912Б при Те С 348 К при Та = 358 К, !3остоянн нное напРяжение эмиттер-без, Ностоя ояиный ток колчектора .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
