sprav_tranzistor (529834), страница 81
Текст из файла (страница 81)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 1к — — !5 Л, 1в = 3 А не более типовое значение Напряжение насыщения база-эмнттер при 1к = 15 А, 1ь = 3 А не более типовое значение Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при !газ = 4 В, 1, =!5 А при Т= 298 К . 620 70 В ! В 0,75" В 1,7 В 1,3* В 20- 100 Транзисторы кремниевые эпиталсиальныс мсза-плаиарные ггзтк переключатсльные высокочастотные мощные Прелназначеиы лля работы в ключевых и импучьсных схемах Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выво. лами Обозначение типа приводится на корпусе Вывол эмиттера маркируется условной точкой иа корпусе Масса транзистора не более 20 г типов овос значение . 2Т9 915А при 7/кэ = 5 В, 7„= 3 А не более при 7 = 398 „Ри Т=213К. кдючения прп Тк = 10 А.
Уа = 2 А не Время вкз более выключения при !к, — — !О А* Ть = 2 А не Врема более . Молузгь коэффипнента передачи тока при Т= 30 МГп, =10 В, Тк=! А не менее Пкэ Е,«кость сть коллекторного перехода прн гткв = 10 В, Мгц не более . сть эмиттеоного пеРехода ' пРи Ояэ = 4 В, Емкость 7'= 1 МГц не более 06 атный ток коллектор-эмиттер и и й Обрат более при Т= 298 К и Т-213 К 7ткэ=80 В при Т = 398 К Тткэ = 60 В Обрат«гый ток зми гтсра при гткэ = 4 В не более . Предельные эксплуатапнонные лаииые 3О* 150 10 — 100 0,25 мкс 0,7 мкс 1,7 800 пФ 3500 пФ 30 мА 60 мА 300 мА Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при йвэ= =!ООм, Т,<373 К,...,........ 80 В тн и 60 Вт 423 К .
От 2!3 до Т„ = 398 К . От 228 до Т„ = 383 К ! Максимально допустимая постоянная расколлектора, Вт, прн Т„ > 323 К рассчитывается КТ935А Примечания секваемая мощность по формуле р — (423 — Т«ВВт и « где йт и « — тепловое сопротивление переход-корпус, опредеяяемое из о з области максимальных режимов гхопускается при включении аппаратуры выброс тока коллектора ло 5 20 А в течение 1 мс, далее ток коллектора спадает до А в течение 2 мс Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при < 50 мкс, Д > 20, тв > 15 мкс, Явэ =!О Ом Постоянное напряжение база-эмиттер . Импульсное напряжение база-змиттер при т„< 50 д>20 Постоянный ток коллектора .
Импульсный ток коллектора при ти < 1 мс, Д > 20 . Постоянный так базы Импульсный ток базы при т„< 1 мс, 0 > 20 . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Т«< 323 К . Температура перехода Температура окружающей среды 2Т935А !00 В 5 В мкс, 6 В 20 А 30 А !О А 15 А при 621 Ха~А 1,б 100 1г ач Огтз 120 гб 1,7 Ся,лФ 700 баа боо чаа 621 : во :" ба 40 га ХбХХ7Х ХВХ ХВХ ЧОХ Ччвт„,н Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от температуры перехода. Р 4 В 12 101я,А Зона возможных положенин зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. "'„1,б ~ 1,4 1,Х 1,г О 1 2 Х 41БЯ Зависимость напряжения насыщения база-эмнттер от тока базы.
о 04 аб аВ 1 120„ В Входные характеристики. : г 'ъ 1б 1 Оуб г х 4ХБА Зависимость напряжении насыщения коллектор-эмиттер от тока базы. ХОО а га ЧО ба Ваохб,а Зависимость емкости колпак торного перехода от нанряж~ ния коллектор-база. 100 БО Т,УГ 001 0,04 0,1 0,000001 8 4 7000,0м 00 213 ББЮ 09 Зависимость напряжения лол.чектор-эмпттер от сопротнвчепня база-эмиттер асимость максимально доЗависи пусти имей лющности рассеивания к я коллектора от температуры лорпуса 1к.
л 00 Б чэ у „г 1 0 2 4 Б 00лас Зависимость идпряжения насыщения коллектор-эмиттер от ук11Б 2 Скэл и при 7п ь 373 К 3 Пайка выводов допускается корпуса транзистора Об пасть максим ачьных режи- мов снижается чинейно до 40 В на расстоянии не менее 2 мм от КТ940А, КТ940Б, КТ940В ТРанзисторы кремниевые мезд-планарные и-р-и высокочастотные усилительные мощные П е алены э я работы в выхолных каскад ' " У """ гелей т ей ~елевизионных приемников цветного н черно-белого ллзображення Вы"ускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Обозначение ение типа приволится на корпусе Масса транзистора нс более 0,7 г 623 00 :00 е» 00 00 „00 м 70 ~ 00 г 1 0,0 0,4 0,0 0,1 0,00 0,04 0,00 0,01 г Е Б 10 га Ч000100икз,й Электрические параметры Граничная частота при Г/кэ = 10 В, тк = 15 мА не менее .
Статический коэффициент передачи така в схеме с общим змиттером при Укэ = 10 В, тк = ЗО мА не менее . Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при тк = 30 мА. 1а = 6 мА не более Обратный так коллектора не более при Пка = 250 В КТ940А . при и„= !60 В КТ94ОБ . при Бкь =!00 В КТ940В Обратный тоь эмиттера при Узк = 3 В не более .
Емкость коллекторнаго перехода ири Ггкк = 30 В, г"= = 1 МГц не более 90 МГц 25 1 В 50 нА 50 нА 50 нА 50 нА 5.5 пйэ Предельные эксилуатаииониые данные 300 В 250 В !60 В ЗОО В 250 В 160 В В !00»А 300 мд 50»А 624 Постоянное напряжение коллектор-база КТ94ОА КТ940Б КТ940В Постоянное напряжение коллектор-змнттер при Яэн ж С 10 кО» КТ940А КТ940Б КТ940В Постоянное напря кение эмитзер-база . Постоянный ток колзсктора . Импульсный ток коллектора при т„= 30 мкс, Д > 10 Постоянный ток базы . П,гоянная рассеиваемая мощность без тспзоотвода лри T„ а 298 К с геплаозводоч НРи Т, и 318 ри при Огкн =- 160 В .
лрн 17кз = 250 В . прн Огьз= 300 В . Тепловое сопротивление переход-окр)жающая среда . персхол-корпус Течлература перехода Темпера гура окружаю теб среды, ко |тек гора 1,2 Вг К 1О Вт 7.5 Вт 3.5 Вт 1 Вт 104 К1Вт 1О Кувт 423 К От 228 до Т,=358 К П р н м е ч а н и е Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, без теплоотвода при Т > 298 К онрсделяется по форчулс Рк а = (423 — ТЭЛ04 Малснмально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, с тепчоотводом при Т„> 318 К опредечяется но форчуле Рк „,„„, = «аЭ вЂ” Т„1 1 1О КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д 2,8 7,6 Транзисторы кремниевые мезанланарные я-р-и усилительные высокочастотные мощные Предназначены для работы в усиь лительных имлуяьсных схемах Е Выпускаются в нчастмассовом ч ч корпусе с гибкими выводами Обо- значевие тина приводится на корпусе Е Е Масса транзистора не более 0,8 г Е 2 3 О,аа т,з З.тек грнческне параметры р а р ннчное напрвжение лрн lк = 100 мА, ае КТ943А КТ943Б, КТ943Д .
КТ943В, КТ943Г . ченее 45 В бо В 80 В 625 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при ук = 1 А, 1ь — — О,! А не более КТ943А, КТ943Б, КТ943В КТ943Г, КТ943Д . Статический коэффяпиент передачи тока в схеме с общим эмиттером при бзкэ = 2 В, 1к = 0,15 А при Г= 298 К КТ943А КТ94ЗБ КТ943В КТ943Г КТ943Д при Т= 358 К КТ943А КТ943Б КТ94ЗВ КТ94ЗГ КТ943Д при Т = 228 К не менее КТ943А, КТ943Б, КТ943В КТ94ЗГ, КТ943Д . Модуль коэффиниента передачи тока при 1 = 10 МГп, 1/кэ = !О В, 1! = 0,25 А не менее Обратный тоь кочлектора при 11кь = 45 В КТ943А, при 11кв = 60 В КТ943Б, при Укв = 100 В КТ94ЗВ, КТ94ЗГ, КТ943Д не более при Т = 298 К и Т = 228 К КТ943А, КТ943Б, КТ943В КТ943Г, КТ943Д при Т= 358 К КТ94ЗА, КТ94ЗБ, КТ943В КТ943Г, КТ943Д .
Обратный ток эмиттера при 1укэ = 5 В не более КТ943А, КТ94ЗБ, КТ943В КТ943Г, КТ94ЗД . О,б В 1,2 В 40 — 200 40- !60 40 — 120 20 — 6О 30 — 100 40 — 400 40 — 320 40 — 250 20 — 200 30 — 300 15 5 О,! мА 1 мд 0,3 мА 3 мА 1 мА 5 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение кочлелтор-база КТ943А Кз94ЗБ КТ943В, КТ943Г, КТ943Д Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Явэ = 1О Ом — ! кОм, 11кэ = 0,5 В КТ94ЗА КТ943Б, КТ943Д . КТ943В, КТ943Г . Импузьсчзое напряжение коллектор-эмиттер при Якэ =10 Ом КТ943А 626 45 В 60 В 1ОО В 45 В 60 В 80 В 50 В 25 Вт 423 К От 228 до Тх 358 К П Р и м е ч а н и я ! Разрешается использование транзисторов в схемах кадровой развертки телевизоров при !4 = 2, т„= 10 мс в 1„„< ЗА Максилызьна лопУстимаЯ постоаннаЯ Рассеиваемаа мощность коллектора, Вт, при Т„= 298 — 358 К рассчитывается по формуле Рк с = (423 — Т ! l 5 2 Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора При пайке температура корпуса не должна превышать 398 К При эксплуатапии транзистора слелует учиты! вать возможность е~о самовозбуждения за счет паразитных обратных связей монтажа "гтз !00 та,мз! Е5 г0 80 0 04 0,5 0,0 0 У 0,00яз,в 50 0 05 ! !5 21к>А Входные характеристики.
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. б27 К Т943Б КТ943В, КТ943Г КТ943Д нное напряжение эмиттер-база . ПостоЯнэ Постояв „,пяй ток кол ~ектора Вмпульс , „оный ток коллектора при Д в 50, тх ж ! мс . санный ток базы . Постоя оянная рассеиваемая мощность коллектора !.х с 298 ° тезше!>аз ура перехода !емпература окРУжающей сРеды 75 В !оо в 80 В 5В 2Л 6 А прн лат э 70 50 40 п,г Пв,лФ 000 500 Пя,лФ 50 гп РП гп 0 05 7 7,5 ггк,Д Зависимость статического коэффипиента передачи тока от тока коллектора .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
