sprav_tranzistor (529834), страница 85
Текст из файла (страница 85)
)Т905А; при Т= 213 К . при Т=343 К. Напряжение насыщения база-эмиттер при ук = 3 А, зв = 0,5 А не более Постоянная времени цепи обратной свази прн Ггкк = 30 В, уз = ЗО мА, Г= 20 МГц не более: ГТ905Л, ГТ905Б . )Т905А Статический коэффициент передачи тока в схеме с общлм эмиттером при !укв = 10 В, 1э = 3 А: 1Т905А, ГТ905А, ГТ905Б при Г = 298 К .
1Т905А: при Т= 213 К при à —.- 343 К Модуль коэффициента передачи тока при )укв = 10 В, уэ = 0,5 А, /= 20 МГц ГТ905А, ГТ905Б не менее Времв включения при (Укв = 30 В, 1х „= 0,5 А, г„= 20 мкс, /= 50 Гц !Т905А не более . Время рассасывания при 1укв = 30 В, ув „= 0,5 А, т„= 20 мкс, у" = 50 Гц !Т905А не более . Время спада при 67кв — — 30 В, Ув „= 0,5 А, т„= = 20 мкс, „У= 50 Гц )Т905А не более . Обратный ток коллектора при Гткв = 75 В 1Т905А, ГТ905А, Гзкв = 60 В ГГ905Б не более: прп Т= 298 К при Г= 213 К при Т= 343 К . 1Т905А ГТ905А, ГТ905Б . Обратный ток эмиттера 1Уэв = 0,4 В не более . Емкость коллекторного перехода при (/кв = 30 В, /= !О МГц ие более; ГТ905Л, ГТ905Б . 1Т905А Емкость эмиттерного перехода при 1укв = 30 В, У'= 10 МГц не более 65 В 30 МГ„ 0,5 В 0,8 В 0,7 В 300 пс 500* пс 35-100 35- 100 20-110 0,2 мкс 4 мкс 0.1 мьс 2 мА з мА 8 мА 16 мА 5,0 мЛ 200 пФ 250* лФ 8000~ иф Гн! Масса тРанзисзоРа в металчостекланиом коРпУсе не б,зл (с крепежным флаицем не более 6 г), в металлопластм лес 4 5 корпусе не более 7 г.
массов вон Предельные эксплуатационные данные „е напряжение коллектор-эмнттер при йьэ < .тояиное ,1,0 О при щзм0,4 В 1Т9 Т905А, ГТ905А . напряжение коллектор. Вивульсное пертого транзистора п запертог ГТ905А, ГТ905В, а Постоянный, п„щ, импузьсный (в режиме переключения) ток коллектора. -ный ток коллектора в режиме переключения 11 ипульсн и т„ж20 мкс, явный, средний прямой или обратный ток базы Постелив Вмпучьсный прямой или обратный ток базы . П стояиная или средняя (при та с 1 мс) рассеиваемая МОщПОСЗЬ С тЕПЛОаиЮЛОЛК ПРИ Тк С 103 К Постоянная рассеиваемая мощность без теплоотвода прн Т= 2П вЂ” ' 296 К .
Тепловое сопротивление переход-корпус . Тепловое сопротивление переход-среда, Температура перехода Температура окружающей среды 60 В 75 В 60 В 60 В 130 В 3,0 А 7,0 А 0,6 А 1,0 А 6,0 Вт 1,2 Вт 9 К)Вт 50 К)Вт 353 К От 213 до 343 К допустимая по формуле Примечание При Т„= 303 — 343 К максимально постоянная рассеиваемая мощность, Вт, рассчитывается 1 к ча с к)5~ Тк) йт -к ~к мака к)5~ 7 Гйт и с 1т,мА 250 Тл аЯ г,о гоо 1а0 150 1,г 100 0,0 50 О,') О,г О,С О,Б 0,0 1,00Б„В Входные характеристики. 0 0,1 О,г 0,3 00 о,5ОБз,о Зависимость тола эмнттера от напряжения база-эмиттер При Т= 298 — 343 К максимально лопустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, рассчитывается по формуле у,г з,о г,5 ),и г,о ч)5 ),О „о,в о,в о,д О,б а,г о о,г о,е о,в о,в (,от„л о о,г о,е о,в о,в 1 О Т „ а~я Зона возможных положениИ висимости напряженья пасы нй за.
ния база-эмиттер от тока ба сыше. ази Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы Ск,лф 500 Илга 50 400 гпп гоо го 100 о 5 (и 15 го гви„„в Зависимость емкости коллектор- ного перехода от напряжения коллектор-база О 0,5 ),а (,5 г,аг,вуя,Д Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора 1Т90бА, ГТ906А, ГТ90бАМ Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-и-р переклм чательные мощные Предназначены для применения в преобразователях напряжения переключающих и лругих импульсных каскадах радиоэлектронн нньп устройств Выпускаются в металлостеклянном (!Т906А, ГТ906А) и и и метал.
лопластмассовом (ГТ906АМ) корпусах с жесткими выводами Обозначение типа приводится на корпусе елее 45 " Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более массовом (с крепежным фланцем не более 6 г), в металлопластма корпусе не более 7 г. Эмиттер цп Эии / ТРР Электрические параметры Граничное напряжение при 1э„= 5 А не менее ГГ906А ГГ906Л, ГТ906АМ . Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмнттерам при 77кь =!О В, /э = 0,5 А !Т906А не менее Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 1к = 5 А, 7ь= 0,5 А не боэее !Т906А, ГТ906А, ГТ906АМ при Т = 298 К . !Т906А при Т= 2!3 К при Т= 343 К, Напряжение насыщения база-эмиттер при !к = 5*0 В та=0,5 А не более !Т906А ГТ906А, ГТ906АМ В емя Реня включения при тlкь = ЗО В, !ь „= 0,5 В, В тч = 20 мкс, Г= 50 Гц не более .
Ь«я р сасывання при !7КБ=ЗО В, 1ья=0,5 В, Статич тн = 20 мкс, 7'=- 50 Гп не более . атический коэффициент передачи тока в схеме с общим зипттером прн 77кь = !О В. 7э = 5 А !Т906А, ГТ906А, ГТ906АМ при Т= 298 К . !Т906А при Г=2!3 К при Т = 343 К . 65 В 75 В ЗО Мгц 0,5 В 0,5 В 1,0 В 0,6 В 0,7 В !,О мкс 5,0 мкс ЗО-!50 ЗО- 770 20-!50 66! Обратный ток коллектор-эмиттер при (7кь = 75 В (7эк = 0,5 В не более: при Т = 298 К при Г = 2! 3 К 1Т906А, ГТ906А ГТ906АМ прн Т= 343 К: 1Т906А ГТ906А, ГТ906АМ . Обратный ток эмиттера при Уэк = 1,4 В не более: 1Т906А ГТ906А, ГТ906АМ . 8,О „ 15,0 мА 30,О 80 мА 15о мй Прелельные эксплуатаннонные ланиые Напряжение коллектор-эмиттер при С/ьэ = 0.5 + 1,4 В Импульсное напряжение коллектор-эмиттер запертого транзистора при т„» 20 мкс и Ц Л 3 ГТ906А, ГТ906АМ Напряжение коллектор-база Напряжение база-эмиттер .
Постоянный или импульсный (в режиме переключения) ток коллектора; 1Т906А ГТ906А„ГТ906АМ . Постоянный нлн импульсный ток коллектора в режиме насыщения при токе выключения 1Т906А ие более 5 А н ГТ906А. ГТ906АМ не более 6 А . Ток коллектора в режиме переключения 1Т906А при Укэ = 36 В н выбросах напряжения до 45 В, т„» 1О лзкс н Укэ» 25 В ГТ906А, ГГ906АМ .
Постоанный или средний (за период не более 2 мс) ток базы . Постоянная нли средняя (за период не более 2 мс) рассеиваемая мощность при Т„» 310,5 К . Импульсная рассеиваемая мощностэ» при т„» 10 мкс . при т„» 200 мкс, у" » 5 Гц и (ук» 60 В . Тепловое сопротивление переход-корпус . Тепловое сопротивление переход-среда .
Температура перехода Температура окружающей среды . до 75 В 130 В 75 В 1,4 В 5,0 Л 6,0 А !00 А 7,0 А 1,5 А 15,0 Вт 375 Вт 300 Вт 2 5 К)Вт 50 К~'Вт 348 К От 213 7.к = 343 К Рк „, = (348 — Т,)/2,5. Примечание. При Т э 310, 5 К максимально лопус™ вмы к х,„„нуае постоянная рассеиваемая мощность, Вт, рассчитывается по ч-" О,О 1,г о,о 1,О о,а йо,г Яо,г 0,1 О,О „"0,0 0,4 о г1г ггг гбу гуг гог губ азот к Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмнттер от температуры.
о,г 04 0,6 О,В 1,01а, „,гь напряжения насы3авяснмо сняв "о' ко пектоР ~маттер от том ьа базак Д,М 100 дго 100 00 ВО чо го О ° в уг 10 гои„„о о 0 о уг 10 гаг„д Зависимость статического коэф- Зависимость статического коэффициента пеосдачи тока от фнциеита передачи тока от тока напряжен .н коллектор-база. змиттера. 1Т910А го Транзпс~ср германиевый диф- Р>звонко-сп |авной Р-и-р переключательныи в~ ыокочастотный мощный 11рсщыи анен лля применения в сзе сземах мг с говых преобразователей напряжения Вын ьщуслсстся в металлопчаст' чассово вом корпусе с гибкими вывоззчи О сз на Обозначение типа приводитпамо;~ корпусе Вывод эмиттера ен синей точкой. 1ранзистора не более Масса Е Е и 75 И» -8' О А, 0,15" 06 -,6 й 0,22*-0,8 025» й * * й А не 1 В 30- цц» 70* 50- 320 167 ' 50 — 320* 223 ' 35 35- 320 6*-1,5 мж !* мкс О 5»-1 мж 0,8* мкс 30 МГк 6 мА 20 мА 32 В ЗЗ В !О А 20 А 3 А 6 А 35 Вт 09 Вт 358 К 1 85 К!Вт 70 К)йт Т„= 343 К Электрические параметры Граничное напряжение прн уэ „ = 5 А .
типовое значение Напряжение насыщения кодлектор-эмиттер. прн Т=298 К и Т= 213 К, Укц=)0 )Б ц типовое значение приТ=298К Ук»=20А Рвц=2А ° типовое значение . при Т=343 К )кц=10 А, 1ьц=! более . Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмнттеролы при Т=- 298 К; п)зи Окв ц -— 1О В, )э»» — - 0,1 А типовое значение . прн 1.кБ»=10 В, йэц=10 А типовое значение . прн Окв „ = 10 В, )э „ = 20 А . типовое значение . при Т = 343 К, Г7кв „ = 1О В, 1э ц = 0,1 А не менее пРн Т = 213 К Гткв ц = 10 В )э ц = 10 А ВРемЯ наРастаниЯ пРн !/к „ = 10 В, У„ ц = 5 А О типовое значение Время спада при Окэ — †В, )и „ = 5 А .
типовое значение Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Укв = 1О В, Тэ = 0,1 А не менее . Обратный ток коллектора прн !/кх = 40 В не более прн Т = 298 К и Т = 213 К при Т= 343 К . Предельные экеплуатвцнощ»ые данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер прн Овэ = =0,4В. Постоянное напряжение коллектор-оаза Постоянный ток коллектора . Импульсный ток коллектора при т„ц 1 мс, О и 10 Постоянный ток базы .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
