sprav_tranzistor (529834), страница 87
Текст из файла (страница 87)
Коэффициент усичения по мощности (мелианное значение) при ()кь = 20 В, )к = 110 мЛ. (= 1 ГГц не менее 2Т607А-4, КТ607А-4 при Р,„= 0,4 Вт . КТ607Б-4 при Р,„= 0,5 Вг . Коэффициент полезного лействия лол тектора (медианное значение) при Окь = 20 В, )л = 110 мА, Т= 1 ГГц 2Т607А-4, КТ607А-4 при Р,„=- 04 Вт, КТ607Б-4 при Р,„= 0,5 Вт не менее . Модуль коэффициента передачи тока при (/кэ = 1О В, Iк = 80 мА, Г= 100 МГц не менее типовое значение Постоянная времени пепи обратной связи при (зка = = 1О В, )э = зО мА, Т= 5 МГц 2Т607А-4, КТ607А-4 не более типовое значение .
КТ607Б-4 не более . Емкость коллекторного псрехола при (ткк = 1О В не бочсе 2Т607А-4, КТ607А-4 . КТ607Б-4 Обратный ток коллектора 2Т607А-4, КТ607А-4 при ()ккс = 40 В, КТ607Б-4 при ()кь = 30 В не более . Обратный ток эмиттера при ()эь = 4 В не более . Предеаьиые эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при )(эв» 10 Ом при Т» 358 К 2Т607А-4, КТ607А-4 . КТ607Б-4 . при Т = 398 К 2Т607А-4 Постоянное напряжение коллекторбвза при Т» 358 К 2Т607А-4, КТ607А-4 . КТ607Б-4 . при Т = 398 К 2Т607А-4 Постоянное напряжение эмиттср-база при Т» 358 К при Т= 398 К 2Т607А-4 .
Постоянный ток колзектора при Т»358 К при Т= 398 К 2Т607А-4 674 1 Вт 4 дБ 3 дБ 45% 18 пс 10» пс 25 пс 4 пФ 4,5 пФ 1 мкА 0,5 млЛ 35 В 30 В 25 В 40 В 30 В 30 В 4 В 3 В 150 мА 125 л»А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т«ж 313 К 2Т607Л 4 КТ607А 4 КТ607Б 4 . при Т, = 398 К 2Т607Л.4 прн Т„= 158 К КТ607А-4 и КТ607Б-4 Температура перехо ы Теп човое сопротив чепие пер»коз-лорпус . Температзра окружающей среды 2Т60" Л-4 1,5 Вт 0,34 Вт 089 Вт 423 К 73 К/Вт От 2!3 "„1,1 а,в ° 1,1 а' 0,5 0,7 0 В '15 г» Пха,о Зависичость выходной мощности от напряжения коллектор- база 0,7 ' П,1 амг 0,5 О,» Р„,аг Зависимость выходной чощности от входной !агузов ра еа 0,9 ай 0,7 0,5 ' ЕП Ва 100 1807„,мД Зависимость выхолной мощности от тока коччектора Ч 50 100 150 гаа Тх,мд Зависимость модуля коэффиниента передачи тока от тока коллектора 22' до Т„= 398 К КТ607А-4.
КТ607Б 4............ Оч 228 до Т„=- !58 К П ри меч ание Крепление транзистора производится прикчеиванием ичи пайкой Максимачьно допустимая течпература припоя ие бочее 433 К Вречя пайки не более ! с Нажимиое усичие на горне ьа,клого вывода не золжно превышать 400 г 1,5 1,5 /Ъз 70 л;„лг 50 Зависимость постоянной врал!сии цепи обратной связи от тола эмиттера З~висимость сзатического коэф. фипнента перелачи тола от тола ко з тек! ора 2Т610А, 2Т610Б, КТ610А, КТ610Б Транзисторы кремниевые зпнтаксиазьно-пзанарные и р-л СВл( усн чительные Предназначены д ~я усилителей напра кения и мощности Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами Обозначение тшм приводится на корпусе Масса транзистора ие более ' г ум Кал Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схелзе с общим эмиттером при (экв = 10 В, /э = 150 мА 2Т6(ОА 2Тб(ОБ КТб(ОА КТО(ОБ Неравномерность «оэффиниента передачи тока в схеме с общим эмиттерам в режиме матаго сигнала при (/лэ = 10 В, /к = 30 — 270 мА 2Т6(ОА, КТ6(ОА не более .
Коэффициент усиления по мощности (медианнае значение) при (/кэ = !2,6 В, Р„п = ! Вт, /= 400 Мрц 2Т6(ОБ не менее типовое значение Коэффипиент полезного действия ло !зектора (медианное значение) при (/кз = 12,6 В, Р„,„ = 1 Вт, / = 400 М1 п 2Т6(ОБ не менее 50-250 20-250 50 — 300 20 — 300 23 6,4 дБ 8 ° лБ 676 10 7 0 0 20 40 50 Тз, мг( 50 100 150 200 /к,мл Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим э»питером при С кэ = 10 В, тк — - 150 мА 2Т610А КТ610А не менее . типовое значение . »То!ОБ, КТ6>ОБ не лгенее типовое значение .
Постоянная времени цепи обратной связи при ттка = !О В 7 =.3О мА Т=>О МГ 2Т610А не более . типовое значение 2Т610Б не более . типовое значение . КТ6!ОА не ботее КТ610Б не более Бмкость »отче»тарного перехода прн !гкь = 10 В не батсе . Емкость эмнттерного перехода при ь!эа =- 0 не ботев . Граничное напряжение прн тэ — — 30 мА не менее . щповое значение Обратный ток коззекторэ при окв = 20 В не бозее . Образный ток эмнттера прн Пэы = 4 В не бозее .
Коэффпднент шума' прн Т= 2 — 200 МГц ть = 30 мА, йг =- 75 Ом. типовое значение Инд»ктивность эми>тернога вывола" !при испо >ьзованпи дву» выводов) . Индуктивность ьоззекгорного вывода" ГООО МГц !250" МГц 700 МГ~ !100* МГц 35 пс 20" пс 18 пс 7,5* пс 55 пс 22 пс 4,1 пФ 21 пФ 20 В 24' В 0,5 мА 0,1 мА 6 дБ 0,6 нГн 2 38 нГн Предельные эксплуатационные данные По.|оянпос напряженно ьо»тс»~ор-э»»истер прн Нэь = =- 100 Оч Постоянное напря ьенпс эмнттер-база . Постоянное напряжение питания в режиме усизения мощности 2Т610Б прн 7 > 100 МГп при работе в рез»и»»е л »асса С Постоянный ток ьоззектора Постоянная рассеиваемая мощность ко з зектора пои 7„ < 323 К .
при 1, = 358 К Температура пере»ода Темпера~>ра окру кшощей среды 2Т610А, 2Т610Б . 26 В 4 В 15 В 03 А 1,5 Вт 1 Вт 423 К От 213 до Т„= 398 К От 228 до Т, =358 К КТ610А КТ6!ОБ . При не выше ие менее 1,» мм 1000 В ме чан не Пайла выводов допускается прн температуре 423 К Изгиб выводов допускается на рассгояииг> 3 мм от корпуса транзистора с ралиусом не менее Допустимое значение электростатического потенциала 677 ~гзз 00 Л„э 150 ЧЧО го 1го 70 го 50 50 чо гп хо го п„г р. 0,5 п,ч з'к,пс с„, пс ХО 20 70 678 О 1ОО гОО гоп гя, й Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора '-. 1,2 ч." 0,9 О,Е ' О 100 гоп гпп 1„ия Зависимость граничной частоты от тока коллектора О 5 10 15 О„„В Зависимость постоянной времени цепи обратной связи оз напряэ ения коллектор-база 0 100 200 500 гк нп Зависимость статического лозф.1 фицнента перелачи тока от тока' ко.з зектора о 70п гоо гао 1„л Зависимость граничной частоты от тока козлектора О 5 10 15 Пкк,о Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от напряаения кгьзлектор-база ~гнг !50 !00 90 О 700 200 300бо 4 явпсимость статического коэф~иппента передачи тока от тока коллектора и уао гоп 300 Тк, 4 Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора 2Т624А-2, 2Т624АМ-2, КТ624А, КТ624АМ Транзисторы кремниевые эпитаксигдьно-планарные и-р-и переключательяые Предназначены ддя работы в имкупьсных схемах в герметизированной аппаратуре Бескорпусные с защитным покры.
тием с гибкими выводами Обозначение и~па приводится в этикетке Масса транзисторов 2Т624А-2, КТ624А (вариант !) яе более 0,615 г Масса транзисторов 1Т624АМ-2, КТ624АМ (вариант 2) не йодее 0,04 г Вариант ! г Варианег Электрические параметры 12 В ничное напряжение при !э = 30 мА не менее . тический коэффидиеит передачи тока в схеме с общим эмиттером при С кэ = 0,5 В, (к = 300 мА .
1апряя ение насыщения ьоэлектор-змиттер при 1к = 1 А, (к = !00 мА не более 2Т924А.2, 2Т924АМ-2 . КТ924А, КТ924АМ . 30- !80 0,87 В 0,9 В 679 0,62» В типовое значение Напряжение насыщения база-эмиттер при 1ч = 1 А. 1ь =- 100 мА не более типовое значение Вречя рассасывания при 1к = 1000 л»А, 1я = 100 мА не более 2Т624А-2, 2Т624АМ-2 . КТ624А. КТ624АМ . Модуль коэффициента перелачи тока на 1 = 100 МГц при ггкэ = 5 В, 1к = 100 мА не менее типовое значение Граничное напряжение прп 1э = 30 мА не менее .
типовое значение Емкость коллекторнога перехода при 1/кв = 5 В не более . Емкость эмиттерного перехода при 1тэв = 5 В не более . Обратный ток коллектора при Ока = 30 В не более . Обратный ток эмиттера при 1тэв = 4 В не оолее . Обратный ток коллектор-эмиттер црн Окэ = 30 В, Яэв = = 0 не более . 1,7 В 1,2' В 15 нс 18 нс 4,5 9,7' 12 В 22» В 15 пФ 50 пФ 100 мкА 1ОО мкА 200 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напря кение котлектор-база Постоянное напряжение эмиттер-база . 1!остоянныи ток коллектора Импульсный гол холаеглара при тч < 5 чкс, Ц > 10, Т„ц358К.
Постоянная рассеиваемая лтощцость лоллсктора при Т» < 343 К . при Т„= 358 К Температура перехода Температура окружающеи среды 2Т624А-2, 2Т624АМ-2 . 30 В 4 В 1 А 1,3 А 1 Вт 0,7 Вт 393 К От 213 до Т„= 398 К От 223 до Т,=358 К КТ624А, КТ624АМ П р и м е ч а н и е Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляетсв в следующем порядке место монтажа в микросхеме смачивается флюсоч ФКСП, затем укладывается фолыа припоя ПОС-61 толщиной 30 чкс, размером 1.9 х 1,9 лгль Микросхема нагревается ло температуры 473 К в зечение 10 с В мочент пайки транзнстор притирается к месту монтажа пинцетом усилие прилагается к боковым поверхностям кристаллодержателя. о,ч ВО Ба 2О О 200 ЧОО БОО 1х,мА 0 200 чоо БОО 1к,ма Зависимость напряжения насыгдения коллектор-эмиттер от тока коллектора.
!Лег,! 70 0,7 О 200 ЧОО БОО 1„,мА 0 200 ЧОО 000 1к,мд Зависимость хзодуля коэффиписита перетачи тока от зока коллектора. Сх,пф Зависимость статического коэффппиента передачи тока от тока кол тектора. и 0,9 0,0 Зависимость папря кения насыгпения база-эмиттер от тока коллектора Зависимость емкости коллек~орного перехода от напряжения коллектор-база. .0,2 о,ч О Ч Б 120„,0 бб! 2Т634А-2, КТ6345-2 Транзисторы кремниевые эпи.
таксначьно-планарные и-р-и СВц геиераторные келлектер База Электрические параметры Вьжодн я мощность !мелианное значение) при Окь = 20 В, /к = 100 мА Г= 5 ГГц нс ьгенее 2Тб)4А-2 КТб)4Б-2 Коэффициент усичения по мощности' при Р „= 200 мВт, Ока= 0 В /к=!00 мА /=5 Пп, Коэффициент по !езного действия коллектора * при Р„, = =200 мВт, О!,и= 0 В /к=100 мА /=Ч Пн. гпиовое значение Граничная частота прп Екэ = !О В, /ь =- 100 мА не менее . типовое значение Постоянная времени цепи образной связи прн = !О В /э = 30 мА / = 100 МГц не бо !ее типовое значение Емкость ьоччеьторного перехода при Гьп = 15 В не бочее .
типовое значение Емкость змиттерного перехода прн бэх —— 0 не ботве. Межэлектродиые емкости между базой н лочзектором межлу базой и змнттером ме ьлу ко ~челтором и эмиттерам . Обратный ток кочзеьтора при Охь = 10 В не более при Т= 298 К при Т= 398 К Обратный ток эмиттера при бэь = 3 В не ботее при Т = 2!3 — 298 К . прп 398 К 350 мВт 200 мВт 175 — 34 !7 5 — 34/ 22 5*'/ !5 ГГи 2* П'и 2 пс О 85" пс 25 пФ 19* пф 8 пФ О,б! пФ 044 пФ 0 003 пФ 0,5 иА 5 мА 50 млА 500 мкА б82 езз Прелназначены дтя работы в генераторах и )сичителях мощ. тб,/ ф ности в лиапазоне час~от ! — 5 ГГц щ ! в герметизированной аппарат)ре .пп только в схеме влчючения с об- щеи базои сг б чт Бескорпусной с защитным по.