sprav_tranzistor (529834), страница 90
Текст из файла (страница 90)
40;,', 3,34 2,8 2,5 2 Критический ток лол.гектора при бкэ = 10 В. Т= 300 МГц 2Т911А. КТ9!1А не менее . типовое значение 2Т91!Б. КТ911Б не менее типовое значение . КТ91!В не ченее КТ911Г не менее Постоянная времени цепи обратной связи при = !О В, тэ = тб мА, 7 =- 5 МГц не более 2Т9! 1А 2Т911Б, КТ91!А КТ911Б. КТ911В КТ911Г Ечкость колзекторного церехола прц сгкв= 28 В, 7= = 5 МГц не ботее .
типовое зна ~ение Емкость эмиттерного перехола * при Оэв = О, / = 5 МГц, типовое значение Обратный ток ко зтектора при Сл„= Пкв„„„, не батсе при Т= 298 К 2Т911А. 2Т911Б КТ91!А, КТ91!Б КТ911В. КТ911Г . при Т= 398 К 2Т911А, 27911Б при Т= 358 К КТ91!А, КТ911Б. КТ911В КТ91!Г . Образный тол эчнттера при Узк — — 3 В Т:= 298 К не более 2Т911Л. 2Т911Б КТ91!А.
К3911Б, КТ91!В КТ91!Г 170 мА 220* мА 150 мА 220' мА 1бО мА 140 мА 25 пс 50 пс 100 пс 10 пФ 4" пФ 18 пФ 3 мА 5 чА 10 мА 10 мЛ 1 мЛ 2 мА Прелезьные энсплзатациоиные ланиые Пол оянпое ~запряаение коз тел!ор-база 2Т911А 2Т9!1Б, КТ911А, КТ911Б . КТ911В, КТ911Г, !остоянгое и, прчаенпе ло лчелтор-зонт!ар при Яьэ ц !4100 Оч ч г91!Л зТ9!!Б КТ911А КТ911Б 55 В 40 В 40 В 701 !! 3 — 28 В Р„и,=08 Вт, Тхц313 К.1=1 — 18 ГГц, з-ипоное значение мзчеслий козФфипиент перелачи тока в схеме с обгпич с чипероч* при Плэ =.
5 В, !э = 200 чА, типовое зна чен не . Мочрль лозффнциента перелачп тола при 7 = 300 МГц, = 10 В. /к = 100 чА не менее 2Т9!1А 2Т911Б КТ911А, КТ911В . КТ9!1Б, КТ911Г . 30 В КТ911В, КТ911Г Постоянное ггапрял ение эчнттер-база Постоянный тол лотлектора 3 В 400 чА Средняя рассеиваемая чошиость в динамическом режиме прп 7'„К 323 К 2Т911А, 2Т91!Б при Гх С 298 К КТ911А, КТ91! Б КТ911В, КТ911Г......
3 Вт прн Г„= 398 К 2Т911А, 2Т911Б....... 0,75 Вт при Г„= 358 К КТ911А, КТ911Б, КТ91!В КТ911Г 105 Вг 33 Куйт Тепювое сопротивтенне переход-корпус Течперат>ра перехода 2Т911А 2Т91!Б КТ911А КТ9!! Б, КТ911В КТ911Г Течперат>ра окружающей среды 2Т911А, 2Т911Б . 423 К 393 Е От 213 зо Т,=398 К От 233 Т„= 358 К КТ911А, КТ911Б, КТЯ11В, КТ911Г 1,О 7,0 оз с., аз Оз9 ,й о,г 0,9 0,0 О,У О,Ю 0 5 10 15 гО гбао„,В 0 0,1 0,2 О,З 04 0,5 Ре„бг 3гвнснчость выходной чошио- стн оз вхалной Зависимость выходной чошпостн от напряжения источника питания 702 П р н ч е х а н н е Разрешается трехкра гный изгиб выволов на р к.
стоянии не менее 3 чч от торп>са с ради>соч закругдеиня не чеиее 1 мч, а также подрезла выводов на расстоянии не ченее 5 чм от корпуса При изгибе и подрезке выволов должна быть обеспе. чена неполви,кносзь выводов на >частке от карпуся ло честа пз. гнба нпп подрезки и исключена возможность перелачн усивия на место присоединения вывола к торп>ст Допускается изгиб вывозов на расстоянии от 1 до 3 мм ат корпуса и полрезка на расстояияи от 3 до 5 мм от корпуса прн условии выполнения вышеуьаыи.
ных требований и по методике, не приводящей ь нарушегшю консгр>кпии н герметичности транзис~ора г,г и,,% 70 г,о 1,5 50 в", 7,5 У в7Ч 1,г чо 1,0 О,В ' о О,В 1,о г,г 1,ч 7,51,7т„ Зависимость Выходной мощно- сти от частоты. Ргзэ~ 10 5 О 5 10 15 га г5 гаок„о О 5 1О 15 га гбоя„о Зависимость коэффициента усиления по мопзности от напрякения кодлектор-эмиттер. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер. 10 100 а гаи гэ Зависимость относительной постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера.
703 п 700 гаа 500 гя,ил Зависимость модуля коэффициента передачи тока оз тока коллектора. 1О 0 5 70 15 га г5 ИкЭ,В Зависимость козффициенза полезното действия от иапряие- ння ко.злектор-змиттер ' 10 е» В й ,„и р ч ,у г Сз,лФ гб чз лз ч ем 1 70 И Д 77 1г 18гОа„„б О 1 г 20„,В Зависимость емкости эмиттер. ного перехода от напра ленах эмиттер-база Зависимость относительной емкости лозлелторпого перехола от напра,кения лоззектор-база 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В, КТ913А, КТ913Б, КТ913В Транзисторы кремниевые эпнгаксиально-планарные я-р-и гене. раторные сверхвысокочастотные Предназначены дзя работы в схемах усиления мощности, ~оперирования, умножения частоты в диапазоне 200- !000 МГп в режимах с отсечкой коллекторного то«а при напряжении питания 28 В Выпускаются в герметичном металлолерамичеслом корпусе с полословыми выводами Обозначение тюза улазывается на корпусе Масса транзистора не более 1,6 г Электрические параметры Выходная мощность на Г= ! ГГп при 77кв = 28 В не лгенее 2Т9!ЗА, КТ9!ЗЛ .
2Т9 ! 3 Б, К Т9! 3 Б . 3 Вт 5 Вт 704 2Т913В, КТ913В . гбэффициент усиления по мощности на /=! ГГц при Елэ=28 В 2Т913А при Р„о = 3 Вт, типовое значение . 2Т913Б при Рвч„= 5 Вт, типовое значение . 2Т913В при Р, „= 10 Вт, типовое значение . КТ913А прн Р,„„= 3 Вт не менее, КТ9!ЗБ при Р„п = 5 Вт не менее КТ9! ЗВ при Р,„„= 10 Вт не менее !1оэффипиент полезного действия коллектора на /= ! ГГц при Пкэ = 28 В 2Т913А при Рв„„= 3 Вт. типовое значение .
2Т913Б при Р,, = 5 Вт, типовое значение . 2Т913В при Р,„„ = 10 Вт, типовое значение . КТ913А прн Р, „= 3 Вт не менее КТ913Б при Р„,„= 5 Вт нс менее . КТ91ЗВ при Р,и, =!О Вт ие менее Граничная частота коэффнпиента передачи тока прц Вл в = 10 В 2Т9!ЗА, КТ9!ЗА при /к = 200 лкА; 2Т!!ЗБ, КТ91ЗБ, 2Т913В, КТ913В при /к = 400 мА не лвенее Критический ток при //кэ = 10 В не менее 2/9!ЗА ' /91 3Б 2 /91 3 В Бмлость коллекторцого перехода прн !/кв = 28 В не бо тес Т9!ЗА 2Т913Б 2Т9!ЗВ, КТ91ЗБ . КТ913А КТ913В Постоянная времени цепи обрацзой связи при /'= 30 МГц, Плв = 10 В, /= 50 мА не более 2Т9! ЗА, КТ9! ЗБ, КТ913В 2Т9!ЗБ, 2Т91ЗВ КТ913А Активная емкость коллектора " при 1/кв = 28 В, типовое значение.
2Т913А, КТ9!ЗА . 2Т9!ЗБ, КТ913Б . 2Т913В. КТ9!ЗВ Суммарная активная и пассивная емкость коялектора * при //кв = 28 В, типовое значение. 2Т913А, КТ913А . 2Т913Б, КТ913Б . 2Т913В, КТ913В . Вмкость коллектор-эмиттер ", типовое значенне: 2Т9!ЗА, КТ91ЗА . 2Т913Б, КТ9!ЗБ . 23 по,ктировоаникаввя оривары !О Вт 2,5 2,5 2,5 2 2 2 45;:„' 45;,' 40 40;,' 50 У 900 МГц 0,4 А 0,8 А !,б А 6 пФ 10 пФ 12 пФ 7 пФ !4 пФ !5 пс 12 пс 18 пс 1,3 пФ 2,5 пФ 2,7 пФ 4 пФ 8,0 пФ 8,2 пФ 0,7 пФ 1,5 ПФ 1,5 пф 0,15 Ом 0,1 Ом 0,05 Ом 3 Ом 1,5 Ом 1,! Ом 3 нгп 2,5 нГн 2 нГн 0,55 нГв 0.25 нГп 30 В 45 пф 90 пФ 0,28 В 1.0 В 10 мЛ 20 мА 25 мА 50 мА (мЛ 1,5 МА +320) О. 2+2! б) Ом 2-ь,!4) Ои~ 55 В 2Т9(ЗВ, КТ913В . Сопротивление эмиттера", типовое значение: 2Т9!ЗА, КТ9(ЗА . 2Т9(ЗБ, КТ9! ЗБ .
2Т9(ЗВ, КТ9(ЗВ Сопротивление базы* типовое значение: 2Т9!ЗА, КТ9(ЗА . 2Т9(ЗБ, КТ9(ЗБ . 2Т9(ЗВ, КТ9(ЗВ . Индуктивность вывода базы' на расстоянии 3 мм от корпуса, типовое значение: 2Т9(ЗА, КТ91ЗА . 2Т9(ЗБ, 2Т913В, КТ9(ЗБ, КТ9(ЗВ Индуктивность вывода коллектора ч на расстоянии 3 мм от корпуса 2Т91ЗА, КТ913Л.
2Т91ЗБ. КТ91ЗБ, 2Т9!ЗВ, КТ9(ЗВ, типовое шаченис . Индуктивность вывода эмиттера* прн заземлении обоих выволов у основания, типовое значение: 2Т913Л, КТ9(ЗА . 2Т9(ЗБ, КТ9(ЗБ, 2Т9! ЗВ, КТ9(ЗВ. Граничное напряжение коллектор-змиттер при 1„= 75 мА 2Т913А, 2Т913Б, 2Т9!ЗВ не менее . Емкость эмнттерно~о перехода* при ((эв = О, типовое значение 2Т913А, КТ913А 2Т913Б, КТ913Б, 2Т91ЗВ, КТ9!ЗВ Напряжение насьнцения коллектор-эмиттер ' прп („ = 250 мА, (и =. 30 мА, типовое значение Напряжение насыщения база-эмиттер' при /„= 250 мЛ.
(к = 30 мА, типовое значение Обратный ток коллектор-эмиттер прп Скэ = 55 В. йэь = 1О Ом ие более 2Т9!ЗА 2Т9(ЗБ, 2Т9(ЗВ . КТ913А КТ913Б, КТ91ЗВ . Обратный ток эмитгера при (Ьэк = 3,5 В не более: 2Т9! ЗА, 2Т9(ЗБ, 2Т9(ЗВ КТ9(ЗА, КТ9(ЗБ, КТ9(ЗВ .
Полное входное сопротивление в динамическом режиме* на Г= 1 ГГп -при (lкэ = 28 В, типовое значение 2Т9(ЗА прн Р,„„= 3 Вт.......... (3 2Т9!ЗБ при Р„и„= 5 Вт........... (1 2Т9!ЗВ при Рчи„= 1О Вт..........(1 Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-змиттер при Я.эа =- 1О Ом: 2Т9(ЗЛ, 2Т9(ЗБ, 2Т9!ЗВ: при Т„ж 398 К при Г„= 213 К КТ9! ЗА, КТ913Б, КТ91ЗВ при Т„< 358 К . при Т„= 228 К !!ивовое напряжение коллектор-эмиттер при Рэь = !О Ом П„ст,эянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток лозлектора 2Т9!ЗА, КТ913А .
2Т913Б, 2Т913В, КТ9! ЗБ, КТ91ЗВ Импульсный ток коллектора 2Т913А, КТ913А . 2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В . Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамичеслом режиме 2Т913А при Т„< 328 К прн Т„= 398 К 2Т91ЗБ при Т„. и 343 К при Т„= 398 К 2Т91ЗВ при Тк ч 298 К при Т,= 398 К. КТ913А при Тх с 328 К при Тк = 358 К . КТ913Б при Т„к 343 К при Т„= 358 К КТ913В при Тх к 298 К . при Тх —— 358 К Тепловое сопротивление переход-корпус 2Т9! ЗА, КТ913А 2Т913Б, 2Т913В, КТ9!ЗБ, КТ9!ЗВ Температура перехода Температура окружающей среды 2Т9! ЗА, 2Т91ЗБ, 2Т913В . 45 В 55 В 45 В 55 В 3.5 В 0,5 А 1 А 1 А 2 А 4,7 Вт 1,7 Вт 8 Вт 2,5 Вт 12 Вт 2 Вт 4,7 3,2 Вт 8 Вт 6,5 Вт 12 Вт 6 Вт 20 К7Вт 10 К!Вт 423 К От 213 до Т,=398 К От 228 до Т,= 358 К КТ913А, КТ913Б, КТ913В При эксплуатации оба вывода эмиттера должны быть симметрично соединены в схеме На частотах менее 200 МГц должны применяться облегченные режимы прн пониженном напряжении пи- тания 23ч П р и м е ч а н не В процессе присоединения выводов температура "орпуса в люоой его точке не должна превышать 358 К Изгиб и обрезание выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от лорпуса Транзисторы 2Т9!ЗА и КТ913А могут быть использованы в нь нейных Усилите зЯх в Режимах пРи Гукэ < б В, 1к < 500 мА 7,5 7,5 50 2,5 2,5 ТкрЯ О г„,лс 100 7,5 50 о 10 го 50 «а 50 0„,0 00 го О 1 г З Ооза,о 0 10 20 50 ООО„„В 708 ~й„,! 10,0 0 02 09 0 Б 001к,д Зависимость модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте от тола хо 1 илнзра Зависимость критического тока от напряжения коллектоо-эмит- тер Ся,лФ 10 Зависимость емкости коллектор- ного перехола от напря кения коллектор-база ~й„, ! 1ОО о ОО 00 1г 151„,д Зависимость модуля коэффициента передачи тока нь высоток ыстотс ог тола лот зеьгора О 50 100 150 гаага Д Зависимость посточнной времени цепи обратной связи от тока эмнттера Сз,лФ 100 Зависимое гь емкости эмиттср ного перекопа от напряжения эмиттер-база.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
