sprav_tranzistor (529834), страница 94
Текст из файла (страница 94)
Зависимость емкости коллектор- ного перехода от напряжения кол эектор-база. Зависимость максимально допустимого тока коллектора от напряжении коллектор-эмнтзер О г О 5 В 10 Р„,от Зависимости выходной мощности н коэффициента полезного действия от входной мощности % цт„, 100 100 Екв г бо а~ 100 во во Во ВО до во го го Во го 10 20 о г д в в 1Ор„,в Зависимости выходной мощво сти и коэффициента полезно~в дейсз воя от вхолиой мощности О г 4 В В 10 Рт„,вт Зависимосзи выхолной мощности и коэффициента полезного действия от вхолной мощности (д„,( 1ергА оо го 10 5 д в 1г 1в го гдо„„в Зависимость кргннчесього тока от напра кения коллектор-эмпт.
тер О г Д В В 102я,А Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тола кот- лектора 2Т931А, КТ931А Транзистор кремниевый эпитакспально-птанарный л-р-я генераторный сверхвысокочастотный Предназначен для применения в схемах широкополосных гся. б лителей мощности кчасса С, Змножитечях частоты н автогенераторат иа частотах бй †2 МГц при иа пряжении питания 28 В Выпускается в металлоьера мическом корпусе с гибкими тев точными выводалщ Транзистор содер,кит внутреннее согласующее Е,С-звено Обозначение типа при водится па корпусе гг Масса транзистора не бо' лес 7 г 732 Электрические параметры холная мощное~~ при //кэ = 28 В.
Т = 175 МГн, с3!т К ффициент усиления по мощноспг на Т= 175 МГц яри Рмп =- 80 Вт не лченее 2Т93!А КТ931Б Коэффициент полезного лействня коллектора не менее . типовое значение Отатический коэффициент передачи тока в схеме с общич эчиттеРом" пРи //кэ.= 5 В, /и = 0,5 А. типовое значение Иапряиение насыщения ко тлектор-эмиттер" прн /к = = 0.5 А, /г, — — 0,1 А. типовое значение модуль коэффициента перелачи тоьа при Т= 100 МГц, Окз =- 10 В /к = 5 Л не менее типовое значение Критический ток коллектора " при Окт = !О В, /= 100 МГц, типовое значение .
Г/остояниая времени цепи обратной связи " при //кь = 10 В, /э = 0,5 А, Т= 5 МГп, типовое зяачение . Емкость коллекторпого перехода при //кь — — 28 В, 7= 30 МГц не более типовое значение Емкость эмиттерного перехода ' при //эв = О, /'= 5 МГп, таловое значение Обратный ток коттекгор-эмнттер при //кз = 60 В, //ьэ = 10 Ом, Т = 298 К не более.
2Т93!А КТ931А Обратный ток эмгп гера при //зв = 4 В не более. прн Т= 298 К Инлуктивносгь внутреннего /.С-звена », типовое значение . Емкость внутреннего /.С-звена ', типовое значение . Индуктивность выводов *, типовое значение. эмнтгерного прн /=. 1 мм прп /=- 3 мм коллекторцого прн /= 1 мм при /= 3 млл базового при /.= 1 мч при /= 3 млз 80 Вт 4 3,5 50»У 60»;;, 25 009 В 2.5 4.0* 22 А 18 пс 240 пФ 190* пФ 3200 цФ 20 мА 30 мЛ 10 мА 0,43 нГн 1600 пФ 0 29 нГн 0,47 нГн 1.6 нГн 2.03 нГн 1,47 нГн ! 92 нГн 733 Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при й <!бом. Постоянное напряжение эмиз тер-база . Постоянный ток колзектора Срелняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме при Т„ц 313 К при Т„= 358 К Тепловое сопротивление переход-корпус .
Температура перекопа Температура окружающей среды 2Т931А 60 В 4 В 15 А 150 Вг 44 Вт 0,8 К/Вт 433 К Ог 213 то Т, = 398 К От 213 ло Т,=358 К КТ931А Примечания 1 Допускается работа транзисторов в классах А, АВ, В прп !словил, что рабочая точка находится в области максимальных режимов Допускается работа транзисторов прн 7'> 200 МГц, Р„ц 20 Вт и непревышении предельных эксплуатационных режимов Чистота контактной поверхности теплоотводов должна быть не менее 2,5 Неплосьостность контактной поверхности теплоотводов должна быль не более 0,04 мм Тепловое сопротивление корпус-теплоотвол при нанесении тепло.
отволящей пасты типа КПТ-8 (ГОСТ 19783-74) на поверхность теплоотвода транзистора ие более 0,3 К/Вт 2 Пайка выводов лопускается на расстоянии не менее 1 им от корпуса методом, не приводящим к нарушению конструкции и герметичности транзисторов Пайку разрешается праизвалить прн Г < 543 К в течение времени не более 3 с Раз)жшается обрезать выводы на расстоянии не менее 4 мм от корпуса без передачи усилия на керамическую часть, без нарушения герметичности н с сохранением ооозначення коллекторного вывода на 100 100 е/е 100 Рдя 1ОО во го го 0 2 г7 Б В 10 Рг,,Вг 0 4 Б 8 10 18 Ре„Вг Зависимости выходной мошности и коэффициента полезного дейстаия от ахолной мощности Заиисимости аыхолной мошности и коэффициента полезного ясйсгаия от входной мощности % 100 % 100 ыи 100 Рв 100 80 во во Бо БО 80 БО БО ио го го 20 а В 1г 18 БО БОО„„В 0 4 В 1Б 75 ЯО Ре„,Вг Заяпсимостгг яыходнай мощности и коэффиниента потезного действия от аходной мощности 5 го О В В 18 гя,.а О В В 1г 18 гпияЗ,В Заагщимость критического тока от напряжения коллектор-эмит- тер Зааисимос~ь модуля ьоэффициен ге передачи тока от тока коллектора во во БО БО ЛО ДО го го Зааисимосги выходной мощности и коэффиниенга поэезного действия от напряжения коллек- тор-змнттер с'„,лс 200 гоп гп го 10О 10 О О,г Пй П,П О,В 1,ПТя,й О 10 гп 20 40 пои„,,п Зависимость емкости коллектор.
ного перехола от напряжения - коллектор-база. Завнсимосэь постоянной времени цепи обратной связи от тока коллектора 1к,й 10 п„лр зсоп згоо Зппп гппо гбоо 2400 О 1 г ги„,о О 10 20 гп Пкэ,п Зависимость емкости эмвттерного перехода от напряжения база-эмиттер. Зависимость максимадьно допустимого тока коллектора от напряжения коллектор-эмитмр. 2Т934А, 2Т934Б, 2Т934В, КТ934А, КТ9346э КТ934В, КТ934Г, КТ934Д Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные л-р-л гонора.
торные сверхвысокочастотные. Предназначены для применения в схемах усилителей мошностя класса С, в том числе при амплитудной модуляции в умножи. телях частоты и автогенераторах на частотах более !00-400 МГа прн напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими теи точными выводами и моснажиым винтом.
Обозначение типа приво днюя на корпусе. Масса транзистора не более 4,5 г. Калленнэар энианяа Электрические параметры йизодная мощность при Скэ = 28 В, 1= 400 МГц, 2Т934А, КТ934А . КТ934Г 2Т934Б, КТ934Б . КТ934Д 2Т934В, КТ934В . коэффициент Эсггзения по мощности 2Т934А, КТ934А не менее . гиповое знзчение 2Т934Б, КТ934Б не менее . ~ноевое значение 2Т934В, КТ934В не менее мгповое значение КТ934Г не менее КТ934Д не менее пциент полезного действия коллектора не менее ичесьий коэффициент передачи тока в схеме ь обм эмиттером " при 1/кэ = 5 В, 1к = !00 мА 2Т934А, Т934А, при 1ь = !50 мА 2Т934Б, КТ934Б, при = 250 мА 2Т934В, КТ934В, типовое значение .
рял.сние насыщения коллектор-эмиттер*, типовое аченне 2Т934А при 1и = гоо мА, 1н —— 20 мА 2Т934Б при 1к = !50 мА, 1ь = 30 мА Т934В при 1к = 250 мА, 1б 50 мА . ль коэффициента пегхдачи тока при Г= !00 МГц, =!О В ри 1к =- О.!5 А 2Т934А, КТ934А, прн 1к = О 6 А 934Б, КТ934Б, при 1к = !,2 А 2Т934В, КТ934В е менее . типовое значение при !к = 0,6 А КТ934Г, при 1к = г,2 А КТ934Д не менее . тический ток коллелтора пргг 1/кэ = !О В, = !ОО Мгц 2Т934А, КТ934А нс менее ,24 ца~трроврамн овне рр бары 3 Вт !О Вт !2 Вт 20 Вт 25 Вт 6 9' 4 5,5" 3 йв 3,3 2,4 50 ", 50 0,2 В О,!б В О,!2 В 4,5 230 мА 737 типовое значение . 2Т934Б КТ934Б не менее . типовое значение 2Т934В. КТ934В ие менее типовое значение . КТ934Г не менее КТ934Д не менее .
Постоянная времени цепи обратной связи при 17кь = 10 В, Г= 5 МГц при 7к = 0,1 А 2Т934А, КТ934А, при lк = 0.15 А 2Т934Б, КТ934Б, при гк = 0,2 А 2Т934В, КТ934В не бочсе . типовое значение . при lк = 0,15 А КТ934Г„при гк = 0,2 А КТ934Д не более Емкость кочтекторного перехода при 6гкн — — 28 В, Г= 5 МГц не более 2Т934А, КТ934А .
типовое значение 2Т934Б, КТ914Б, КТ934Г . типовое значение 2Т934В, КТ914В, КТ934Д типовое значение . Емкость эмнперного перехола" прп Гэь= О, Г= 5 МГц 2Т934А, КТ914А, типовое значение . 2Т934Б, КТ934Б, КТ914Г, типовое значение 2Т934В, КТ934В, КТ934Д, типовое значение . Обратный ток ко.1чектор-эмпттер при 1/ьэ= 60 В. Рьэ = 10 Ом, 7 = 298 К не ботев 2'Г934А КТ934А 2Т934Б 2Т934Б, КТ934Г . 2Т934В 2Т934В, КТ934Д .
Образный ток эмиттера прп Ггэь = 4 В, Т= 298 К не более 2Т934А, 2Т934Б, 2Т934В КТ934А, КТ914Б, КТ934Г . КТ934В, КТ934А . Инлэлтивность выводов* 2Т934А, КТ934А эмиттерного котлекторного . базового 2Т934Б, КТ934Б, КТ934Г эмнттерного котлекторного . базового 2Т934В. КТ934В, КТ934Д 320* ц 3 ГООО „д 1500* мд 2000 цд 3200" эгд 900 мд !80О,.Л 20 пс 5" пс 25 пс 9 пФ 6,5' пф 16 пФ 10* пФ 32 пФ 22' пФ 30 пг! 100 пФ 200 пФ 5 лзч 75 мА 1О мд 15 чЛ 20 мД 30 м3 5 мА 75 мд 8 мА 1,3 иГн 25 иГн 3,1 пГк 1,2 .Гн 25 нГн 3.! п1" ! О пГн 2.5 нГн 2.8 пГи 60 В 50 В 4 В 7.5 Вт 15 Вг 30 Вт П р и и е ч а н и я 1 Допускается работа транзисторов в классах А, АВ.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
