sprav_tranzistor (529834), страница 98
Текст из файла (страница 98)
г15 гуу ггз ггг т, к Зависимость обратного тока коллектор-эмнттер от температуры. О 1 г 5 «5 ~„,ог Завгпггхгосгь выходной мошносгп и коэгргрицггента полезного детгс~вггя ог входной мощности. Зб2 О 1О гО ЗО ия,,О Зависимость емкости кол ~ск. торного перелета от напра.ке. ння коллектор-база О г « 5 О 10 о„э,о Зависнчость макснчально ло. пустцчого тока коллектора от напряжения коддектор-эчпттср.
О г «5 В 1О д„гг Завпснчос г ь выходной чошности н коэффициента позсзного действия от входной мошносгя % 1ОП ,% во Реш бп УП 4О во го бо го дп 1П 30 гп гп 10 и г 4 в в 1о 1гР„,в. П 4 В 1г ик„В Зависимости вытозной мощности и коэффипиенза по ~сапого действия от напряжения ло ~зек- тор-ззшттер Зависимость вызоднон мощности и лозффиииента потешого действия ог взодногЗ мощносзи ~ 421Д Ття,д гп О 4 В 1г 16 гаук,д О г 4 В В О икао Зависимость модузя лозффициеша передачи тока ог тока ьолзектора Зависимость «рнпшссього тока от напрял ения лозлектор-эмзп- тер зз-я;е 2Т914А, КТ914А 763 Транзисзоры кремниевые эпитаьси.льна-планарные Р-я-р мощные сверзвьюолочасготные Предназначены ддя пспозьзованвя в шзгроьопозосных двухтактныт зон зитезял лзоггзности на ысготат до 400 МГп в паре с транзистором 2Т904Л (КТ904Л) при напряжении ппзання до 28 В Выпускаются в метят зокерамнческих ьорптьаз с жесгкими выгапяами Обозначение типа приводится на корпусе Масса прибора не более б г бмилтезед елгер 7,2 Вт 2,5 Вт 40;/ 65'.„' 30, 12 пФ 400 мА 250 мЛ 350 МГп 15 нс 20 ис 170 пФ 2 мЛ 0,1 мА 4 пГ 1,3 пФ 1,8 пФ 65 В 65 В 4 В Электрические параметры Выхолная мощность прн Р,„= 1 Вт, !7кэ = 28 В 2Т914А не менее: а Г= !ОО Мгц на Г= 400 МГц Коэффициент полезного действия коллектора при Гкэ = =28 В.
Р,,=3 Вт. 2Т914А ие менее: на /= 400 МГц на 7'= 100 МГд КТ914А при Рм„= 2,5 Вт,у'= 400 М Гц не менее . Емкость колдекторного перекопа при !гкх = 28 В, 7'= = 5 МГц нс более Критический ток при б'кэ = 10 В, Г= 100 МГц не менее: 2Т914А КТ914А Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с обшич эмиттером при !Гкэ = 28 В, /= 100 МГц, 1к —— 0,2 А ие менее Постоянная времени цепи обратной связи при сзкв = 10 В, 7э = 30 мА.
1= 5 МГц не более. 2Т914А КТ914А Емкость эмиттернога перекопа* при 1/эх = 0 не более Обратный ток коллелтор-эмиттер прв !Iкэ= 65 В, йэк = 100 Ом не более . Обрзтный ток эмиттера цри Гэг, = 4 В ие более Индуктивность эмиттерного н базового выводов", типовое значение . Емкость эмиттер-кбрпус, база-корпус', типовое значение Емкость коллектор-корпус ь, типовое зиачеинс . Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжснае ьоллектор-эмнттер Импульсное напряжение коллектор-эмиттер .
Постоянное напряжение эмиттер-база 08 А К5 А 0.2 А 77ссгоянньгй гоь лот зектора 77ьгптзьсггый ток колзектора при те и 100 мкс, О в 70, постонггный ток базы . 77осгокнггаЯ Рассеиваемаа могпносгь коззектоРа при Т„< 298 К прн Т,= 398 К Посгояннля рассеиваемая мощность коззеьтора в динамигесьоч режиме при Т,ИЗ!3 К. при Т„= 398 К Теп зовое сопротив зенне перехол-корпус, Течперагура перехода Температура окРу кающей среды . 7 Вт 04 Вт 7 Вт 15 Вт !б К/Вт 423 К От 2!3 до Т„= 398 К 7,г 7,0 аз ез ав О,в ог а 09 7,0 г,прк„,ат О 5 70 75 гп гвпху,а Завггсньгосзь относите |ьнон выхолпойг чошности от входной 7,0 аз ,а5 г 9 ез г а 05 7 7,5 г Ра„,ВГ г73 г73 333 тг К Зависилюсть относитезьного козффиниента позезного лействия оз входной мощности г,п аз 70 ;" 7,г Д п,в а9 Завнсичосгь относительной выхолной чощности от напря кения кот.ектор-эчитзер Зависимость выходной лющности от температуры Ри зде з деи чи! ый ТРАНЗИСТОРНЫЕ СБОРКИ и р-я 1НТ251, 1НТ251А, К1НТ251 а 1 821=унт 74 71 72 77 777 Я слэя ряирийяи 2 й 4 Х Е 7 Электрические параметры Напряягенззе насыщенна коллектор-зчитзер при 1к = = 400 чА, 1в = 80 чА 1НТ251, !НТ251А не ботев типовое значение К!НТ251 не более .
Напрякенпе насыщения эчиттер-паза при 1к = 400 мА, 1Б=80 мА 1НТ251, 1НТ25!А не более типовое значение Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эчиттсром при Гкэ = 5 В, 1э = 200 мА 1НТ251, 1НТ251А типовое значение . К1НТ251 не менее . 1 В 0.7" В 2 В 1.5 В 1,1" В 30-150 45* 10 Транзисторные сборки, состоягнне из четырех кречниевы эпнтаксиачьно-пллнарньм я-р-л переключательньм высокочастотны малочощныт транзисторов Предназначены лзя прнченення в перекдючательных схемах Выпуслаются в четаллаьерачическоч корпусе с гибкичи в,„ водамн Ооозначение типа приводится на корпусе Масса сборки не боэее О 4 г го чь «оэйгФиггиента передачи тока при 6гкэ = 10 В, 7 = 30 мА, Т=!00 МГп ие менее .
К типовое значение Время рассасывания при 7« = !50 мА 7 !5 1НТ25! не бочее типовое значение 1НТ2'1А К!НТ25! не бочее типовое значение . бмкость кочче«зорного перечила при Пкв = !О В Г= 2 МГп не бочее типовое значение бмкость змиттерного перехода при 1гкэ = 0 г'= 2 МГп не бочее типовое значение 13брагный ток коччекчора прн С кв = 45 В не более при Г= 298 К при Т= Ч98 К 1НТ251 1НТ251А Обрынмй то«змпттера при бэь = 4 В не бочее . 2 4,5" 1ОО нс 65" нс 200 нс 120« нс 15 пФ 8' пФ 50 пФ 30* пФ 6 мкА 30 мкА 10 мкА Предельные экспчуатаииоииые данные Постоянное напра«визге коллектор-база п коччекторэмитчер при Яэв С ! «Ом К! НТ251 1НТ251 1НТ251А Прн Та < 373 К прп Г„= 423 К Постоянное напряжение эмиттер-база . Ил~пч зьсное напряжение эмнттср-база при т„с !О мкс, ЬГ>2.
Имат чьсное напряжение «оъчектор-эмигтер при т» ж с10 мкс Дв2 К1НТ251 !НТ251 1НТ25! А при Г„ж 371 К при 7'« = 398 К . прп Т« = 423 К Постоянный ток колче«тора Имптчьсный ток коллектора при т» < 10 мкс, Д > 2 Па.тоянная рассеиваемая чогпигжть прп ТС 333 К при Т = 358 К К1НТ25! при Т= 398 К 1НТ251, 1НТ25!А Импучьсная рассеиваемая могпность !НТ251 !НТ251А при Тс 333 К. прн Т= 398 К Температура перехода 1НТ251, 1НТ251А К!НТ251 Тепчовое сопротивление переход-среда . 45 В 45 В 22 В 4 В 6 В 60 В 60 В 40 В 30 В 400 мА 800 мА 04 Вт 016 Вт 0! Вч 10 Вт 2,5 Вт 423 К 393 К 218 К/Вт 767 Температура окружающей среды )НТ25), )НТ25)А От 2)3 до 398 К О 238 т 358 К К)НТ25! П р и м е ч а н н е Расс~овине от корпуса до места пайки длине вывода) не менее ! мм Ради)с изгиба выводов дота.я быль не менее 0,3 мм расстояние от корпуса до центра окрчя ности изгиба ье менее ! мм При монтаже на плату необходимо учитывать, чзо кора)с сборки имеет металлическое дио и металлическую крышлу и ни одна из выводов не имеет соединения с дном и крышкой корпуса Выводы ! н г свободные Иггэ 100 иг1э 100 80 йо го О 50 1ОО 150гООг501я,ый О Д и эг 10 гОО„,В Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора Зависимость статического козффициеита передачи тока от напряжения коттектор-змнтгер 1,О э,г 1,0 о,г 0,0 0,0 ' 0 100гООХОО ДОО5002„,нй 0 й50 гаогОО ДООЗООТ„нй Зависимость напряжения насыщения коллектор-змиттер от тока коллектора Зависимость напряжения насыщения база-змиттер от тока коллектора Огй чз "О,Е й о,гэ 1,4 оз йэ,г 1,0 С„,л~ уг чо го >о г О 20 гО ЗО ЧО 50ик,,о о го чо го оо юор,мгц 50 го гб го го уо О У г У Ч 5 о>до О ЧО ЮО ЮООЮООО йдэ,ам 2Т381А-1, 2Т381Б-1, 2Т381В-1, 2Т381Г-1, 2Т381Д-1 Парные транзисторы, состоящие из двух отдельнык кремниевых зпитаксивльно-планарных и-р-л транзисторов с раздельными вывоялмн Транзистор 2Т38>Г-! одиночный 25 поигироиоииииовио ириаори '>лтги г г5 З висимость мод> чя ьоэффипи- ента перелачи тока от частоты С,,ля гб Зависимость емкости эмигтерного перехода от напряжения база-эмиттер из и Зависимость емкости кот гекторного перехода оч напряжения коллектор-база Зависимость максимально дол>стимого напряжения коллектор.эмпттер от сопротивяения база-эмиттер Бескорпусные без кристалто держателя с гибкими выводами ч защитным покрытием Постав та.
ются в сопроводительной таре позвочяющей без извлечения из нее производить измерение электриче. скит параметров Обозначение типа приводится на этикетле Масса каждого транзистора не более 0.01 г Келлеяыяр 50 40 30 20 20 15 12 10 4 0,9 0,85 0,6 4 мВ 6 мВ 3 мВ 10 нА 10 нА 200 нА 770 Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Укэ = 5 В, Гэ = 10 мкА не менее при Тс 298 К 2Т381А-1 2ТЗ81Б-1 2Т 381 В-1 2ТЗ81Г-1 2ТЗ81Д-1 при Т= 213 К 2Т381А-1 . 2Т381Б-1 .
2Т381В-1 . 2Т381Д-1 . Огнен!ение статических коэффициентов перелачи тока в схеме с общим эмиттером дри сГкэ = 5 В, 1э = 10 мкА не менее при Т= 298 К 2Т381А-1, 2Т38!Б-1 2Т 381 В-1 при Т = 213 К и Т = 346 К Разность прямых падений напряжения на переходах эмиттер-база при (/кэ = 5 В, Зэ =!О мкА 2Т38!А-!, 2ТЗ81Б-1, 2Т381В-1 пс более прн Т= 298 К при Т = 213 К и Т = 346 К Разность прямых падений напряжения на переходах коллектор-база при ук —— 100 мкА, Т = 298 К 2Т381Д-1 не бочее Обратный ток коллектора не более при 1ткв = 5 В при Т= 298 К при Т = 213 К 2Т381А-1, 2Т38!Б-1, 2ТЗ8!В-1 .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
