sprav_tranzistor (529834), страница 101
Текст из файла (страница 101)
45 В типовое значение.............. 55 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при =!О мА, 1в=! мА не более......... 0,2 В Напряжение насыщения база-эмиттер при 1и = !О мА, 1ь= ! мА..............., .0,7« — 0,9 В ~иповое значение............,, 0,75"' В статический коэффициент перелачн тока в схеме с бшим эмитчером при !/кк = 5 В /э = 1 мА при Т= 298 К, прн Т= 398 К при Т= 2!Э К . Ыод) ~ь коэффициента передачи тока в схеме с общим эмнттером на / = 100 МГц прн !/кь = 5 В, /э —— = 1О мА не менее Постоянная времени пепи обратной связи' на Т= 30 МГц при 1/кв = 10 В, /э = 30 мА типовое значение бмкость коллекторного перехода прн Екв = 5 В, /'= =10 МГц ие бочее Обратный ток коллектора при 1/кк = 45 В не более прн Т=298 К и Т=213 К прн Т= 398 К Обратный ток эмиттера при !/кэ = 4 В не более . 40-180 40 -280 20-180 30-80 нс 50 нс 8 пФ 0,5 мкА 10 мкА 1 мкА Лара аетры сдеоечгаьчч траазистараа Отношение статических коэффициентов передачи тока транзисторов при 1/кь = 5 В, /э = ! мА ие менее прн Т= 298 К при Т=2!Э К н Т= 398 К Разность входных напряжений' при 1/кк = 5 В, !э = = 1 мА не более 0,7 0,6 30 мВ 15 мВ типовое значение Прелельные эксплуатацисниые данные Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при йвэс !ОкОм.
Постоянный ток коллектоР83. Импу ~ясный ток коччектора при т„с 40мкс, )9 > 500. Пссгоянный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность коллекторов сдвоенных транзисторов (в составе микросхемы) при ТК 323 К.............. 0,5 Вт при Т = 398 К . . . . .
. . . . . . . . . 0,125 Вт Постоянная рассеиваемая мощность кодлектора одного транзистора )в составе микросхемы) при Тс 323 К.....,........ 0,25 Вт при Т = 398 К............... 0,0625 В Температура перехода . . . . . . . . . . . . . 423 К Температура окружающей среды......... От 213 45 В 0,1 А 0,5 А 0,03 А т до 398 К П р и м е ч а н и я 1 При извлечении сдвоенных транзисторов вэ тары, измерении параметров, а также применении и монтаже должны быть приняты меры, исключающие возможность повреждения транзисторов, в том числе статическим электричеством 2 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощност сть козлектора, Вт, одного транзистора при Гх = 323 — 393 К оп делается по формуле РК макс (423 Тх)((400 + )(Гс пз «) где Яг „„„— тепловое сопротивление участка урамическая п д ло кка — корпус микросхемы г00 08 10т 10" ,г ч вв .г ч ввез,ан и п,г цч цв пви„,в Зависимость т ока базы с~ напря кения база-эмиттер Зависимость напра кения насыщения колзекзор-эмиттер ог ка "эффнпнента насыщенна 0,1 'а 1 г 3 чк„„ бгта 110 100 00 70 г 130 и„100 зп 03 „'цга и О,г 1 „па п,в 0,7 Зависимость относительно~о макснматьно допустимого на пражанин коллектор-эмипер от сопротивтения база-эмнттер ва цаг цаа цгцпца г Ч а га Ч02„ыд 001 Ц1 1 10 Зависимость статического коэффипиента пере- дачи тока от тока коллектора "гза УБО УЧО угр тависггмость статического коэффициента передачи тока от температуры.
БО губ гББ ганг ггг гугу,г р-и-р 2ТС393А-1, 2ТС393Б-1, КТС393А, КТС393Б йеллеитер Омиттер 1/ База илхие 6 ОгООЧ Транзисторные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных р-и-р усилительных сверхвысокочастотныл маломощных транзисторов иа одном кристалле с раэдепьными выводами Прелназначены для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов герметиэированной аппаратуры Электрические параметры Пора петры одиночного транзистора Коэффициент шума при Пкэ = 6 В, (и = 1 мА, = 60 МГц, йг = 250 Ом типовое значение Модуль коэффициеи га перелачи тока при Пка = 1 В, )э = 1 мА, /= 100 МГц не менее Постоянная времени пепи обратной связи при (/кк = = 2 В.
!э = 2 мА, /= 10 МГц не более Напряжение насыщения кочлектор-эмнттер при ух = 10 мА, (к = 1 мА 2ТС39ЗА-1, КТС393А не более Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Пка = 1 В, (э = 1 мА прн Т= 298 К 2ТС393А-1, КТС393А 2ТС393Б-1, КТС393Б при Т= 358 К 2ТСЗ9ЗА-!, КТСЗ9ЗА не более 2ТС393Б-!, КТС393Б не более при Т= 213 К (Т= 228 К КТСЗ93А, КТС393Б) 2ТС393А-1, КТС39ЗА не менее . 2ТС393Б-1, КТС393Б не менее . Емкость коллекторного перехода при Укк = 5 В, у"= = 10 МГц не более Емкость эмиттерного перехода при (зкэ = О, у = 10 МГц ие более . Обратный ток коллектора не более при Т= 298 К и Т = 213 К (Т = 228 К КТСЗ93А, КТС393Б) 2ТС393А-1, КТС393А (при (тка = 10 В) .
2ТС393Б-1, КТС393Б (при П!гк = 15 В) . при Т=- 358 К, Пкк = 10 В 2ТС393А-1, КТС393А и при (гик = 15 В 2ТС393Б-1, КТСЗ93Б . Обратный ток эмиттера при Пкэ — — 4 В не более при Т= 298 К и Т= 213 К (Т= 228 К КТС393А, КТС393Б) 2ТС393А-1, КТС393А 2ТСЗ93Б-!, КТС393Б .
при Т= 358 К 3-6 дБ 4,5' дБ 80 пс 06 В 40-180 30-140 360 280 16 2 пФ 2 пФ 0,1 мкА 0,2 мкА 5 мкА 0,1 мкА 0,2 мкА 5 млА Сборки бескорпусные с гибкими выводами, защитным пок и тием без кристалзодержатечя Поставляются в сопроводитезьи, оч таре, позволяющей без извзечения из нее проводить измереци ии, электрических параметров транзисторов Обозначение типа приводи на этикетке Масса сборки не более 0,005 г Пара пенкеры едвоенны тринтгторов От~гашение статических коэффнпиентов пеРедачи тола схеме с общим эмиттером при Гкв = 1 В, = 1 мА не менее прн Т= 298 К 2ТС393А-! КТС39ЗА 2ТСЗ93Б-1, КТС393Б дри 7 = 358 К н Т = 213 К (Т = 228 К КТС393А, КТС39ЗБ) 2ТС39ЗА-1 КТСЗ9ЗА 2ТС393Б-1 КТС39ЗБ )ч(одуль разности прямых напряжений эмиттер-базы при ()кк = 5 В, (э = 1 мА ие более 2ТС393А-1, КТС393А . 2ТС39ЗБ-1, КТСЗ93Б Ток )течлн между транзисторами не более при Т= 298 К и Т= 213 К (Т= 228 К КТС393А, КТС39ЗБ) 2ТС393А-1, КТС393А (при 1/к,к = !О В) .
0.9 0,8 0,8 0,7 3 мВ 5 мВ 0,1 мкА 0,2 мкА 5 мкА 2ТС393Б-(, КТС393Б (прн Пк,кз = 15 В) з и Т= 358 К Предельные эксплуатационные данные 20 мВт 1О мВт 398 К От 213 до 358 К От 228 до 358 К КТСЗ93А, КТС39ЗБ . Примечания 1 Монтаж кристаллов на подЛожку микро~темы производить клеем хололного отвердения на основе смолы ЭД.5 791 Постоянное напряжение лоллеьтор-база и коллектор-эмиттер при й с5 ком 2ТС393А-1, КТС393А............ 10 В 2ТС393Б-1, КТС393Б............ 15 В Постоянное напряжение элэиттер-база.......
4 В Постоянный ток коллектора . . . . . . . . . . . 10 мА Импузьсный ток козлектора при тч с 10 мкс () > 2... 20 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (суммарная двух транзисторов) прк Т с 318 К при Температура перехода Температура окружающей оралы 2ТС393А-1, 2ТС393Б-1 Допускается изгиб выводов на расстоянии 0.5 мм, сварка менее ( мм от края кристщгла. При длине выволов бол 3 мм выводы должны быть дополнительно закреплены лаком г Не рекомендуется эксплуатация транзисторных пар прн бочих токах, соизмеримых с обратными неуправляемыми токами эмитгера и коллектора вочюем интервале температур.
При значениях ((т„ч, отличающихси от значения 4 К,'мбг максимально допустимая постоянная мощность рассеивания кол. лектора должна быть не более 40.мВт и определяется по формул Рк ххг = (З92 УЗ1(б З Ч У( гпч) гле Ягя, — тепловое сопротивление микросхемы на участке нижняя поверхность кристалла — окружающая среда. ~б~м 4 О,В ОО О,Ч о о,г ач о,а О,ви„,в Ч В 12 19 акв,о Входные характеристики. Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-база.
(,г В (г 19 уз относительного коэффнниента пеот тока эмиттера. Зависимость статического редачи тока 792 ° як ч 1,1 в 1 р 0,9 ов 3 0,7 'а 1,4 1ту а В1,2 "„1,1 0,9 'а 1г 1 'о к зов С~ а,в Ц 0,4 0,2 10' 1О' 104 10' 10'О ан Зависимость относительного максимально допустимого ги' пряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.
Ск,лФ 7,г 0,9 К,„,д Б С,,лф 0,9 г,5 к 3г 1,5 0 Ог о,е О,Б ОВТэ,м.а Зависимость молуля разности арямых падений напряжений база-эчнттер от тока эчиттера. гТС393д-7, Я 0,9 2ТС393Б- 7, КТС393А, мов КТС393Б й 0,7 273 253 293 333 373 Т,К Зависимость чолуля относительной разности прямых падев~вз напряжений база-эчиттер от температуры.
0,9 0 05 1 7,5 2 вал,о Зависимость емкости эмиттер, го перекопа от напряжения база-эмиттер. Б — 5 К г о к в 7г 7во„„в Зависимость модуля разности прямых палений напряжений база-эчиттер от напряжения кол- эектор-база о г к Б ви в Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база К 0,5 1 1,5 2 2,53э,мд Зависимость коэффициента шума от тока эмиттера. КаодБ К,дБ 7 и 0 В и г 0 00 00 ВВ 00 Е,МГц б Вике,в Зависимость коэффициента щу. ма от частоты Зависимость коэффициента шума от напряжения коллектор- эмиттер КТС394А, КТС394Б Транзисторные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых зпитаксиально-планарных р-и-р универсальных маломощных транзи.
сторон с раздельными выводами Предназначены лчя применения в герметизированной аппаратуре в балансных, дифференциюзьных и операпионных усилителях, переключающих и других каскадах, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов Сборки поставляются в виде наборов из двух о~дельных трап. зисторов Транзисторы бескорпусвые с гибкими выводамн, защит- Коллектор Вмиттер ее бага ! Бага и ямиттер лоааектор Электрические параметры Граничное иапряженце при «э = 5 мА не менее КТС394А КТСЗ94Б «1апряжение насыщения колдектор-эмиттер при = 10 мА.
«в = 1 мА не более напряжение насыщения база-эмиттер при /и =-!О мА, 1в —— 1 мА не более МодУчь коэффициента пеРелачи тока пРи «ткэ = 5 В, /э =- !О мА, Г= 100 МГц не менее разнос~ь напряжений база-змиттер транзисторов сборки при 0кв — — 5 В, «к = 1 мА КТС394А не более Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при «Гкк = 5 В, «э = 1 мА при Т= 298 К КТС394А .
КТС394Б . при Т= 228 К КТС394А . КТСЗ94Б . при Г= 358 К КТС394А не менее . КТС394Б ие менее Обратный ток котлектора при «ткв = 45 В не более при Т= 298 К и Т= 228 К прп Т= 358 К . Обратный ток эчиттера прц «Гэв = 4 В не более . Емкость колчекторного перехода при «гкв = 10 В, = 10 МГц не бояее 45 В 30 В 0,3 В 1,0 В 3,0 100 мВ 40 — 120 100- 300 20-! 20 50 — 300 40 100 0,5 мкА 1,0 мкА 0,5 мкА 8,0 пцэ Предельнме эксплуатационные данные Постоянное напряжение кол чектор-эмиттер при ««яэ к С 10 кОм Постоянное напра;кение коллектор-база Пос.гоянное напряжение база-эмитй!ер . Постоянный ток коллектора йдиночного транзисто!эв Постоянный ток базы одиночного транзистора . Постоянная рассеиваемая мощность двух транзисторов сборки с дополнительным теплоотводом при ««твх, и ч 200 К/Вт и Т= 333 К 45 В 45 В 40 В 100 мА Зо МА 300 мВТ „,и покрываем, на металлических полложках, электрически соедн„енных с выводами коллекторов Сборки упаковываются в гермеичную сопроволнтельную тару «Збозначение типа приводится на сопроводительной таре Масса сборки це более 0,5 г Импульсная рассеиваемая мощность двух транзисторов сборли с дополнительным теплоотводом Ягялс с с 200 К(Вт, т„с (О мкс, О > 2 и Т = 333 К .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
