sprav_tranzistor (529834), страница 100
Текст из файла (страница 100)
1,ХО,1Я вЂ” дава 2, Е, 0,7е-копеектор .7, Т, 70, 74-зыитте77 7о - корпуС 4,11-сеододный Эзектричесиие параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме с обшим эмиттером при 77кв = 5 В, 7к = 200 лзА при Т= 298 К 2ТС613А, КТС613А 2ТС613Б, КТС61ЗЬ . КТС6! ЗВ . КТС613Г . при Т= 358 К КТС613А КТС613Б . КТС6! ЗВ . КГС613Г . при Т= 398 К 2ТС6!ЗА . 2ТС613Б Напряжение насышения коллектор-эмиттер при 1к = =- 400 мА, !в = 80 мА 2ТС6!ЗА, 2ТСб!ЗБ не более типовое значение .
КТС613А, КТС613Б, КТС6!ЗВ, КТСб! ЗГ не более 25- 100 40 — 200 20 — 120 50 — 300 20-200 30- ЗОО 10-120 30 — 300 20- 200 30-300 1 В 0,5' В 1,2 В Напряжение насыщении база-эмнттер при 7к = 400 мА, Ук = 80 мА нс более . типовое значение Время рассасывания ири тк = 150 мА, уь = 15 мА не более . типовое значение Модуль коэффициента перелачи тока при 17кь = 10 В, lэ = 30 мА, Г= 100 МГн не менее Емкость коллекторного перехода при !7кв = 10 В не более типовое значение Емкость эчиттсрного перехола прв бгэа = 4 В не более . Граничное напряжение при 7э = 50 мА 2ТС613А, 2ТС613Б не менее .
Обратный ток коллектора не более 2ТС61ЗА, 2ТС61ЗБ при Уха=60 В КТС61ЗА, КТС613Б при !7нв = 60 В . КТС61ЗВ, КТС613Г прн !7кв = 40 В ° Обратный ток эмиттера !7эа = 4 В не более . 2 В 1,1» В 100 нс 45" нс !5 пф 8* пФ 50 пФ 40 В 5 мкЛ 8 мьА 8 млА 1О мьА Предельныс эксплуатационные данные 60 В 45 В 30 В 60 В 30 В 40 В 20 В 50 В 37 В 25 В 50 В 42 В 25 В ЗО В 25 В 15 В Постоянное напряжение коллектор-база 2ТС613А, 2ТС613Б при Т„к 373 К прн Тя = 398 К . при Тя — — 423 К КТС613А, КТС613Б прн Т„к 343 К при Т„= 393 К КТС613В. КТС6! ЗГ при Т„к 343 К при Т„= 393 К Постоянное напра.кение коллектор-эмиттер прн Язь < 1 ьОм 2ТС613А, 2ТС613Б при Т„К 373 К прн Т„= 398 К и ри Т„423 К КТС61ЗА, КТС6!ЗБ при Тя и 343 К при Т„= 378 К прп Тя = 393 К КТС613В, КТС613Г прп Тя и 343 К при Т„= 378 К при Тя — — 393 К Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Яэв=О.
2ТС613А, 2ТС613Б 60 В 45 В зо в при Гя < 373 К при Г„= 398 К при Г„= 423 К КТС613А. КТС61ЗБ при Гя ж 343 К при Га = 378 К при Та = 393 К КТС613В, КТС613Г: прн Т„п 343 К при Г„= 378 К при Т„= 393 К 60 В 50 В 30 В 40 В 34 В 20 В !Зостояггное гыпряжение база-змиттер !4мпульсвое напряжение коллектор-база при тн и 1О мкс, Дл2 2ТС613А, 2ТС613Б: при Г„ж 373 К при Г„= 398 К . при Та = 423 К 4 В 80 В 60 В 40 В КТС613А, КТС613Б при Т„и 343 К прн Г„=- 393 К КТС613В, КТС613Г прн Га и 343 К .
при Г„ = 393 К мпульсное напряжение коллектор-эмиттер та<10 мкс, Д>2 Яэк=! кОьг. ЗТ( 6!ЗА, 2ТС613Б при Тек 371 К КТС611А. КТС61!Ь при Г„С 343 К . КТС611В, КТС611Г прн Г„4 341 К . 80 В 40 В 60 В 30 В прн 70 В 70 В 50 В Постоянная рассеиваемая мощность транзисторной матрицы 2ТСб! ЗА, 2ТС613Б прн ТИ 123 К прп Т=398 К КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС6!ЗГ при ГС 323 К прн Г= 358 К Постоянная рассеиваемая мощность одной структуры транзисторной матрицы . цри Т= 398 К 2ТС613А, 2ТС613Б .
0,8 Вт 02 Вт 0,8 В т 0,2 Нт 0,5 Вт 0,125 Вт 781 Постоянный ток кол зектора.......,... 400 мА ИлщутьсныгЗг тоь ьо щеьтора прп т„с!0 мкс, 67>2 800 мА Импульсная рассеиваемая мощность транзисторной матрицы при т„с 10 мкс О > 2 2ТС613А, 2ТС613Б при Тс 323 К при Т= 198 К . КТС613А, КТС61ЗБ, КТС613В, КТС613Г при Т< 323 К при Т= 358 К Импульсная рассеиваемая мощность одной структуры транзисторной матрицы при тя с 1О мкс, Д > 2 . при Т = 398 К 2ТС6!ЗА, 2ТС613Б Температура перехода 2ТС6! ЗА, 2ТС613Б . КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС61ЗГ . 3,2 Вт 0,8 В 32 В» 0,8 Вт 2 В» 0,5 Вт 423 К 393 К Тепловое сопротивление переход-корпус Тепловое сопротивление переход-окружающая среда . Температура окружающей среды 2ТС6!ЗА, 2ТС613Б .
60 К!Вт 125 К(Вт От 213 до 398 К От 228 до 358 К КТС6!ЗА, КТС61ЗБ, КТС613В, КТС613! КТС631А, КТС631Б, КТС631В, КТС631Г Транзисторные сборки, состовшие из четырех кремниевых эпв такспальна-планарных л-р-л переключатедьных сверхвысокочастотных мощных транзисторов с разлельнымн выводамп Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво лами Обозначение типа приводится на корпусе Масса сборки не более 4 г Примечание Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса магрнцы при температуре жала паячьника не выше 523 К в течение времени не более 5 с Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса матрицы с радиусом закругзення не менее 1,5 мм Допускается любая комбинация н последовательность включения транзисторных структур в матрице прн условии, что Рк „,„, одной транзисторной структуры не превышает 05 Вт, а мощность, рассеиваемая всей матрицей, 0,8 В цри Тч с 323 К Допустимый электро.
статический потенциал не более 1000 В Обозна неоне дыбодоб: 2, Е, У, те- конненнзор т,е,о,тг-бтеа Е,р, те, 14-емонтатдэ 4 77 — гбободный Ь - коан!го Электрические параметры Напряжение насьпдения коллектор-змиттср при Ук = = 450 мА, тк = 45 мА КТС63! А, КТС631Г и /к = 100 мА, 3к = 10 мА КТС631Б, КТС631В не батсе . 1,2 В Напряжение насыгдения база-эмнттер при /к = 450 л1А, !к=45 мА КТС63!А, КТС631Г и !к=!00 мА, !ь=!О мА КТС631Б, КТС63!В не более Статический коэффициент передачи тока в схеме с обгдим эмнттером при Нкэ = ! В, !к = 300 мА КТС631А, КТС63! Г и тк = 150 мА КТС631Б, КТС631В нс менее Еь1кость коллекторного перехола при Укк = 10 В, У= 10 МГц не более Емкость эмиттерного перехода при !ткэ = 0,5 В, У= 1О МГц не более 2 В 20 15 ПФ !00 пФ Граничная частота при 6 из = 10 В, !з = 50 мА не менее .
КТС631А, КТС63! Б............ 350 МГц КТС631В, КТС631Г............ 200 МГц Постоянная нремени цепи обратной связи при 'ока =!О В, тэ = 30 мА, Г= 5 МГц не более Время рассасывания при 1к =!50 мА, за= 15 мА не более КТС631А, КТС631Б КТС631В, КТС63!Г 40 нс 30 ис 60 нс Обратный ток коллектора при хткэ = Укэ „,„, не более: КТС631А, КТС631В .
КТС631Б, КТС631Г . 200 мкА 50 мкА Обратный ток эмиттера при ттаэ = 4 В не более... 100 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при йаз = 0 КТС631А, КТС63! Б . КТС63!В, КТС631Г Постоянное напря кение коллектор-база КТС631А, КТС631Б КТС631В, КТС631Г . Постоянное напряжение база-эмиттер Постоянный ток коллектора КТС631А, КТС631Г КТС631Б, КТС631В Импульсный ток коллектора при т» и 1О мкс, Д и 50: КТС631А, КТС631Г КТС631Б, КТС631В .
30 В 60 В 30 В 60 В 4 В 1 А 0,3 А 1,3 А 0,5 А Постоянная рассеиваемая мощность транзисторной матрицы прн Tх с 328 К Т„=358 К. Импульсная рассеиваемая мощность транзисторной матрицы при тч С 10 мкс, 6З В 50, Тх С 328 К при Тх = 358 К КТС631А, КТС631Г. КТС631Б, КТСо31В Температура перехода Температура окружающей среды 1 Вт 0,5 В 3 Вт 1,5 Вз 0,9 Вт 393 К От 228 ло 358 К К1НТ661А Транзисторная сборка, состоящая из четырех кремниевых эп" таксиально-планарных л-р-л переключательных высокочастотных ма' ломощных транзисторов.
Предназначена для прлменения в переключательных схемах Выпускается в металлокерамическом корпусе с гибкими вывозил Обозначение типа приводится на корпусе Масса сборки не более 0,4 г 74 2 71 34 тг77 Л 1Я Х б' Э.зентрические параметры Напряжение насыщщгня коллектор-эмиттер при = 5 мА, )в = 2 мА~ не более Статический коэффипиент передачи тока в схеме с общим змиттером прв 77кь = )О В, )э —— )О мА не менее Обратный ток коллектор-змиттер при 7)кэ = 250 В, )тзь = ! ьОм не более 5 В 30 мкА Предеяьиые эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база . Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Авэ с 1 кОьг Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора при 7= 400 — !ОООО Гп.
Постоянный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность (лля всей сборки) при Ти 323 К при Т= 343 К Температура перехода Тепловое сопротивление переход-среда . 300 В 250 В 5 мА )О мА 5 мА О,! Вт 0,06 Вт 373 К 500 К/Вт 785 Температура окружающей среды От 238 до 343 К Примечание Сборка должна устанавливаться на печатцу, плату плозно по асей поверхности корпуса с помощью клея ц не имеющего кислотньм и щелочных составляющих и ие лопускшо, щего деформацию корпусов в процессе монтажа и эксплуатацн ни !например, клей АК-20 или частика «ЛНэ) Расстояние от корпуса ло места пайки (по длине вывода! ц ке менее ! мм, жато паяльника должно быль заземлено Радиус нагиба выволов должен быть не менее 0,3 мм, стояние от корпуса до центра окружности изгиба ие менее ! м„ и-р.и и р-и-р 2ТСЗОЗА-2, КТСЗОЗА-2 Транзисторная сборка, состоящая из лвух кремниевых зпитаксиально-планарных р-и.р и и-р-и универсальных высокочастотных маломощных транзисторов с раздельными выводами Прелназначеиа для работы в выходных каскадах операцион.
ных усилителей, усилителях и генераторах низкой и высокой частот и генераторах импульсньм сигналов герметизированной аппаратуры Бескорпусная с гибкичц 9 выводами и защитным покрытием на кристаллодержа. теле Сборка помещается в сопроводительную тару, позволяющую без извлечения нз нее произволить измерение ях электрических параметров Обозначение типа приводится иа крышке возвратной тары Масса слвоенных транзисторов ие более О,! г и.ттер 2 ллектор2 за 2 бага Иалл унит Электрические параметры Парамезиры одиночного транзистора Граничное напряжение" при 1э = 20 мА, не менее...
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
