sprav_tranzistor (529834), страница 97
Текст из файла (страница 97)
40- э00 !!3» 35 — 200 15 ! 25» !8 В 28» В типовое значение Емкость коззекторного перехода при !/кь = !2 В не ботев . типовое значение Обратный ток ьотэектора прн !7кь = 30 В не бозее . Обратный ток эмиттера нри 17эк = 3 5 В не бо тес . Емкость змиттерного перехода' при Оэш = 0 . типовое значение Обратный ток коээектор-змиттер* прн Окэ = 30 В не бо час . 5,5 пф 39* пф ! мА 05 мА !5 — 23 лФ !75 пФ Предельные эксплуатапнаниые данные Постоянное напряжение кочлеьтар-база при Т, = 298 — 398 К прн Т„ = 2!3 К Постоянное напра кение таз зектор-эмиттер прн Лэк = =!ООм при Т, = 298 — 398 К .
при Т„= 213 К Постоянное напряжение эмиттер база прн Т„= 2 13 — 398 К Постоянная рассеиваемая мощность козтеьтора прн Т» Н 298 К при Т» = 398 К Температура перехода Температура окружающей среды ч!30 В 25 В 30 В 25 В 35 В 4 Вз 0,8 Вт 423 К От 2!3 до Т„ = 398 К Примечание При эксплуатапни транзисторов в режимат ие выходящих за предечы обчасти максэгмазьных режимов, допускается их применение на низких частотах вплоть до статического режима Пайка выводов допускается прн усэовии, что температура кори!са в любой точке не будет превыгнать 423 К Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 лтм от корпуса транзистор~ Разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее 3 мм от корпуса Оба эмнттерных вывода должны быть симметрично соелине"н в зчектрической схеме г,5 г,е '50 700 750г00г505005501„иА 50 50 50 400 750 г00г503003501к,иА Зависимость статического ьозффидиеюа передачи тока от тока козлсктора Зависимость граничной частоты от тока коллектора.
С„лсв 1к,мА $ 7 500 000 0 и в 7г 75 г0 гк 0ка,В 700 0 4 в 4г Гв го гк 0„„0 Зависимость емкости коллектор- ного перехола от напряженна коллектор-база Зависимость тока коллектора от напрях ения коллектор-эмиттер. Транзисторы кремниевые зпитаксиально-планарные и-р-и генера горные сверхвысокачастотныс. Пре.зпазначены лчя работы в схелзах зсизення моглности, генеРирования, умножения частоты в лиапазоне 0,7-2 ГГп в режимах с азсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлоьерачическом корпусе с полосковыми выводами Условное обозначение тина дается на верхней части хор Пса 2Т942Л вЂ” б>ква Л. 2Т942Б — бУква Б, КТ942 — бтква В в красная точка. Обозначение типа дается также в этикетке. Масса транзистора не более 2 г. 755 в;зз ~гв 00 100 50 В0 70 г,в "г,в г,у г,в 2Т942А, 2Т942Б, КТ942В Электрические параметры Выхолная молпность на Т= 2 ГГп при Пкь = 28 В Рм -— 4 Вт 2Т942Л, КТ942В це менее типовое значение . 2Т942Б не менее Коэффициент полезного лействня коллектора на Г= 2 ГГц при сзкь = 28 В.
Р,„ = 4 Вт, типовое значение Модуль коэффициента передачи тока при сзкь = 10 В, 2э = 1.2 А, Г= 300 МГц не менее типовое значение Критический ток прн ~lкь =- 10 В, 1 = 300 МГц не менее 2Т942Б, КТ942В . 2Т942А типовое значение 2Т942А Постоянная времени цепи обратной связи при ьзкь = 10 В, уз = 150 мА, у = 30 МГц не более 2Т942А 2Т942Б КТ942В Емкость коллекториого перехода при Ггкь = 28 В не более .
типовое значение Емкость эмиттерного перехода' прн Уэь = О, типовое значение Суммарная активная и пассивная емкость коллекторного перехода' при сзкь = 28 В, типовое значение . Емкость перехода коллектор-змнттер*, типовое значение Активнаа емкость кодлектоРиого пеРехода* пРи ьзкь = = 28 В, типовое значение Емкость перехода эмиттер-база*, типовое значение . Емкость перехода коллектор-база", типовое значение. 8 Вт 9 Вт 6 Вт 30", 6.5 11,4' 1.5 Л !.6 Л 2.5 А 2,2 пс 2,5 пс 3 пс 22 пФ 16,5ч пФ 110 пФ 12.5 вФ 2,5 пФ 2 пф 2,7 пФ 2,0 пФ вЂ” тивление базы», типовое значение 1,опр" чедовательное сопротивление коллектора", типовое Посл значение противление эмиттера*, типовое значение „ду«тивность базы внутренняя», типовое значение .
1„ уктнвность элтиттера внутренняя ', типовое значение Индуктивность коллектора внутренняя », типовое значение Телзператургзый коэффициент критического тока ', типовое значение Температурный коэффициент граничной частоты", типовое значение Температурный коэффициент сопротивления базы », типовое значение Обратный ток коллектора при (/кк = 45 В не более . Обратный ток эмиттера при бэв - -3,5 В не более . 0,25 Ом 0,25 Ом 0,1 Ом 0,14 нГн 0,8 нГн 1,5 нГн 0,003 17К 0,0006 17К 0,0003 17К 20 мА 10 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база прн Т,< 373 К при Т„= Т» Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток колчектора .
Импульсный тол кол зектора при тя = 10 мкс, !'7 = !ОО . Постоянный ток базы Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамичеслом ре~име прп Тл < 298 К 2Т942А, КТ942В . 2Т942Б Тепзовое сопротивление перекоп-корпус 2Т942А, КТ942В . 2Т942Б Температ! Ра окружающей срелы 2Т942А.
2Т942Б 45 В 40 В 3,5 В 1,5 А 3 А 05 А 25 Вт 22 Вт 7 К7Вт 8 К7Вт От 213 до Т»=398 К КТ942В.....,........... От 228 до Т„= 373 К П р и м е ч а н и я 1 Пайла выводов при Т с 533 К лоэжна производиться на расстоянии не менее 3 мм от корпуса Допускается пайка на расстоянии до 1 мм от корпуса прп Тс 398 К прн времени пайки не более 3 с Разрешается пайка корпуса транзистора к тептоотводу при Т < 423 К и при скорости изменения температуры при пайке не бочее 1 К7с 2 Работа транзистора в импульсных режимах класса А до"Ускается при т„< 1О мкс и в непрерывных режимах при !7КЬ С 7 В и Рк <4,9 Вт 10274 10 пя,яс О 7,0 г,а 5,07„4 О 700 гаа Дк,„д Зависимость мо ц эя козффпцн- Зявнснмость постоянной внеси ента передачи тока на высокой нн цепи обратной связи от го„ чвстотс от зова эмпттера ьоэзелтора О„.Ф 7ОО Ск,лФ 100 ВО во 20 го О 7О гааэя,В а 70 га О„„в Зввнснмость емкости коээекторного переходя ог напряжения козтелтор-база Зависимость емкости эхин ~ер.
ного перехола от напряаеввя эмнттер:-база % 50 реьц 70 % 50 рвыя 70 40 га га 70 0 а 1 2 З 4гвгоВг Зввисичости выхолной ээощггости и коэффициенте полезного действия от входной мотцностн О О Ог Оэе 06 0ОВОЭ,ОН Зввггсичостгг выходной мошно сти и коэффициента поэегного действия от сопротивления оазя. эмиттер го ги вяз% 1ОО во 15 ь .1г :. в го з 15 п~ 10 во о О О,г О,О О,в О,ВР1„,8г 0 10 15 го г5 го гбо„,в Зависимость вьыоднон мощности в схече иззпчзьсного автогеператара от напрях ения кол- лектор-база Зависит!осз н выходной мопзности и лозффипиента незвано~о дейсзвия от входной моппзости % 70 бит во Ьиз г5 15 го 1О 1О о 0,8 1,0 1,г 1,г7 1,5 1,8 1,Г~~ о о,в 1,о 1,г 1,0 1,5 1,81,ггц Зависимость выходной мощности от часзоты в схеме импульсного усизизезя мощности Зависимости выходной мощности и коэффициента полезного лействпя о~ частоты в схеме выпь зьсного автогенератора 2Т960А, КТ9бОА Транзисторы кремниевые зпитаксиазьно-пзанаряые и-р-и генеРаторные сверхвысоьочастотиыс Прелназна |ены и ~я приченения в схемах усизитезей ьгощности класса О умножите1яз ластозы и автагеиеразорах на частотах 1бб-400 МГгз при напряжении питания 12 6 В Выпусьаюгси в чета ~ юьерачпяескоч корпусе с гибьичн ленточными выводами Транзистор содержит внзтреннее согласующее ьС-звено Обозначение типа пргзводзгтся на корпусе Масса зранзистора не более 7 г ттер Нест еиреея 'Электрические параметры Выходная мощность при Пкэ = 12 В.
Т= 400 МГц, Т,с313К. Коэффициент усиления по мощности при Р,„„= 40 Вт, Т= 400 МГц не менее типовое значение Коэффициент позезного лействия колэектора не менее типовое значение Напряжение насыщения коэлектор-эмиттер при =- 500 мА, ть.= 100 мА, типовое значение . Молуль коэффициента передачи тока при Т= 300 МГц. бкэ =!О В, тк = 3 А не менее типовое значение Критический ток коллектора" при Гкэ = !О В. = 300 МГц, типовое значение Постоянная времени цепи обратной связи" при !Iкв = 5 В. тэ = 500 мА, Т= 5 МГц, типовое значение Емкость колэекториого перехода' прн с!ив = !2 В, / = 30 МГц не более .
типовое значение Емкость эмпттерного перехода при 6тэк = О, Т= 5 МГц, ~иповое значение Обратный ток коллектор-змиттер прп !ткэ = 36 В, йьэ = 1О Ом не более прн Т= 298 К при Т= 398 К 2Т96ОА . Обра~ный ток эмгптера прп Уэк = 4 В не более при Т= 298 К при Т = 398 К 2Т960А Индуктивность внутреннего 86хзвена', типовое значение 40 Вт 2,5 3,5' 60 "„ 65* ", 0,08* В !2,5 пс 120 пФ 82 пФ 1200 пФ 20 мА 40 мА 10 мА 20 мА 0,33 нГн „ость внутреннего 2 С-звена', бмк „1 гньтивность выволов при 1= Инл эчпттерного калчелторного базово~о .
ышовое значение... 6ГО пФ 1 чм 0 38 нГн 16 нГн 0,49 нГн Предельные эксплуаганноипые данные Постоянное напряжение коллектор.эчнттер при Ккэ н 410 Оч Постоянное напряжение эчиттер-база Постоянный ток кол зектора Средняя рассеиваемая чошность в динамическом режиме при 7'„н 313 К . при Т„= 398 К 2Т960А допустимый Кс,ь прв Р„ю < 40 Вт, Окэ = 12,6 В, Т,с 313 К в течение 3 с . в непрерывном режиме. Тепзовое сопротивление переход-корпус Температура перехода Течпература окружающей срезы 2Т960А 36 В 4 В 7 А 70 Вт 20 Вт 10 3 1,75 К)Вт 433 К От 213 до Т,=398 К От 233 до Т„= 358 К КТ960А При че чан на 1 Допускается работа транзисторов на переменном сигнале в режиме классов А, АВ при усчоваи, что рабочая точка надсадится в области максимальных режимов Допускается работа транзисторов при Т> 400 МГп„Рмч,„, Н С 16 Вт и непревышении предезьно допустимыч режимов 761 2 Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 лгч от корпуса по четалике, не приводящей к нарушению конструкппи н гермепзчности транзисторов Пайку следует производить при температуре жала паяльника не выше 543 К в течение времени не бочее 5 с Разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее 4 чч от корпуса без передачи уснтия на керамическую часть корпуса без нарзшения герметичности н с сохранением обозначения коллекториого вывода Чисгота контактной поверхности теплоотводов должна быть ве менее 2,5, непчоскостность не более 0,04 мм Тепловое сопротивление корпус-теплоотвод прн нанесении теплоотваляшей смазки типа КПТ-8 (ГОСТ 19783-74) на поверхность гепзоатвода транзистора не бочее 0,3 К!Вт Скгвр гоо т,,пс 1го го во э'ц, А ро % во 1йгх 50 % 90 реви 50 ВО ЧО 70 го оо го 50 10 «о го 50 го 10 О О,г О,«О5 О,В 1О7зга Завцснмость постоянной врелгенн цепи обратной связи от тока эчнттера.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
